本发明专利技术提供一种蚀刻处理方法以及斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置监视被照射到基板的斜角部之前的激光并检测激光的输出值的变动。该蚀刻处理方法使用了斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置具备激光发生器和测量从上述激光发生器输出的激光的功率计，照射激光来蚀刻基板，该蚀刻处理方法包括以下工序：在照射激光来蚀刻基板之前，向功率计将激光照射规定时间；利用上述功率计来测量激光的输出值；判定进行上述测量得到的激光的输出值相对于从上述激光发生器输出的激光的输出设定值而言是否处于规定阈值的范围内。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种蚀刻处理方法以及斜角蚀刻装置。
技术介绍
附着于半导体晶圆(以下简称为“晶圆”。)的斜角部(晶圆端部的做出倒角的部分)的斜角/背侧聚合物会污染器件的表面或者影响产品的成品率。因此，提出了一种向晶圆的斜角部照射激光来对斜角/背侧聚合物进行蚀刻以将该斜角/背侧聚合物从晶圆去除的装置(例如参照专利文献1)。通过监视并控制向激光发生器提供的电流来管理被照射到斜角部的激光的输出强度。专利文献1:日本特开2010-141237号公报
技术实现思路
_5] 专利技术要解决的问题然而，即使在向激光发生器提供的电流相同的情况下，激光的输出强度也会由于激光发生器的故障、经时变化而变动。存在如下担忧:在激光的输出值发生了异常的情况下，无法检测出该异常而向晶圆的斜角部照射高于规定值的功率的激光，使得晶圆的斜角部被削去或者在斜角部产生缺口。针对上述问题，一个方面的目的在于监视被照射到基板的斜角部之前的激光并检测激光的输出值的变动。_8] 用于解决问题的方案为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种蚀刻处理方法，该蚀刻处理方法使用斜角蚀刻(日语少工、y千y夕')装置，该斜角蚀刻装置具备激光发生器和测量从上述激光发生器输出的激光的功率计，照射激光来蚀刻基板，该蚀刻处理方法包括以下工序:在照射激光来蚀刻基板之前，向功率计将激光照射规定时间；利用上述功率计来测量激光的输出值；以及判定进行上述测量得到的激光的输出值相对于从上述激光发生器输出的激光的输出设定值而言是否处于规定阈值的范围内。专利技术的效果根据一个方式，能够监视被照射到基板的斜角部之前的激光并检测激光的输出值的变动。【附图说明】图1是表示一个实施方式所涉及的斜角蚀刻装置的整体结构的一例的图。图2是表示一个实施方式所涉及的蚀刻处理的一例的流程图。图3是表示由功率计(power meter)测量的激光的输出值的随时间的变化的一例的图。图4是表示一个实施方式所涉及的功率计的测量结果的一例的图。图5是表不一个实施方式所涉及的校正图表的一例的图。图6是用于说明一个实施方式所涉及的功率计的测量原理的图。图7是表示一个实施方式所涉及的激光发生器的结构的一例的图。图8是表示一个实施方式所涉及的激光发生器的内部结构的一例的图。图9是一个实施方式所涉及的堆叠部(半导体激光器)的放大图。图10是表示一个实施方式所涉及的激光发生器的输出的经时变化的一例的图。附图标iP,说曰月1:斜角蚀刻装置；2:BSP ；11:腔室；12:旋转卡盘；14:BSP去除部；14bl:热电偶；14c:盘状构件；15:功率计；15a:散热器；15b:风扇；18:激光照射头；30:激光发生器；30d:光纤；50:控制装置；51:监视部；52:控制部；53:存储部；130:堆叠部；131:微透镜；132:引导镜；133:重定向镜；134:边缘镜；135:聚焦透镜；142:半导体激光器。【具体实施方式】下面，参照附图来说明用于实施本专利技术的方式。此外，在本说明书和附图中，通过对实质上相同的结构标注相同的标记来省略重复的说明。(前言)在半导体集成电路的制造中，当对晶圆进行等离子体蚀刻时，在等离子体中产生的自由基、离子绕到晶圆的斜角面、背面，聚合物附着于斜角面和背面上。该附着物被称作斜角/背侧聚合物(Bevel/Backside Polymer、以下称作“BSP”)。对于半导体集成电路，BSP会污染器件的表面或者影响产品的成品率。因此，通过使用了激光和臭氧气体的热处理来去除BSP。下面，说明去除BSP的斜角蚀刻装置的一个实施方式。参照图1来说明一个实施方式所涉及的斜角蚀刻装置的整体结构的一例。图1示出一个实施方式所涉及的斜角蚀刻装置1的整体结构的一例。斜角蚀刻装置1照射激光来对基板进行蚀刻，由此去除附着于晶圆W的斜角部的BSP 2。图1中示出了在晶圆W的背面的斜角部附着有BSP 2的情形。斜角蚀刻装置1具备作为收容晶圆W的容器的腔室11。在腔室11的内部设置有将晶圆W保持为能够旋转且保持为水平的旋转卡盘(Spin Chuck) 12。旋转卡盘12与设置于腔室11的下方的旋转电动机13连接。旋转卡盘12例如在通过真空吸附将晶圆W保持的状态下使晶圆W旋转。在腔室11的内部，在与晶圆W的周缘部对应的位置处设置有BSP去除部14。在BSP去除部14的主体14a处设置有切口部16，以使晶圆W的周缘部旋转的同时通过。在切口部16的下方部分设置有激光照射头18。激光照射头18与激光发生器30连接。激光照射头18向晶圆W的斜角部照射从激光发生器30输出的激光。激光照射头18能够沿主体14a的下部在水平方向上移动。另外，激光照射头18的角度是可变的。由此，能够调节激光照射位置。在主体14a的上部安装有功率计15。在功率计15的底部设置有盘状构件14c，在该盘状构件14c上涂覆有吸收从下方照射的激光的材料。功率计15能够根据由盘状构件14c的吸收材料吸收到的热来测量激光的输出值。激光照射头18移动到激光照射不到晶圆W的位置A，在蚀刻晶圆W之前，向功率计15将激光照射规定时间。之后，激光照射头18沿水平方向移动到激光能够照射到晶圆W的周缘部的位置B，并照射激光来去除BSP。在主体14a处设置有向BSP 2喷出臭氧气体的臭氧气体喷出喷嘴20和几乎100%吸引臭氧气体的臭氧气体吸引喷嘴19。臭氧气体喷出喷嘴20经由供给臭氧气体的供给管线(配管)21而与臭氧气体发生器22连接。从臭氧气体发生器22输出的臭氧气体经过供给管线21后从臭氧气体喷出喷嘴20被导入到腔室11内。在臭氧气体吸引喷嘴19上连接有排气配管31，该排气配管31构成主要排出臭氧气体的排气流路。排气配管31与工厂酸排气配管(未图示)连接。在排气配管31上连接有分解臭氧气体的臭氧分解器(日语:才y''y^y — )4L.在腔室11的上部设置有用于吸引大气并将大气送入腔室11的内部的风扇32以及去除由风扇32吸引到的大气中的微粒的过滤器33。另一方面，在腔室11的底部设置有排气口 34。而且，通过利用风扇32将大气经由过滤器33送入腔室11内并从排气口 34进行排气，来在腔室11内形成清洁空气的向下流动。在排气口 34上连接有排气配管35，排气配管35与工厂酸排气配管(未图示)连接。在腔室11的侧壁上设置有晶圆搬入搬出口 11a，能够当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种蚀刻处理方法，使用斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置具备激光发生器和测量从所述激光发生器输出的激光的功率计，照射激光来蚀刻基板，该蚀刻处理方法包括以下工序：在照射激光来蚀刻基板之前，向功率计将激光照射规定时间；利用上述功率计来测量激光的输出值；以及判定进行上述测量得到的激光的输出值相对于从上述激光发生器输出的激光的输出设定值而言是否处于规定阈值的范围内。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：近藤昌树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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