基板清洗方法技术

本发明专利技术涉及基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决手段]本实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、和去除液供给工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于上述有机溶剂中的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给去除处理膜的去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施方式设及和存储介质。
技术介绍
一直W来，已知有对于附着于娃晶圆、化合物半导体晶圆等基板的微粒进行去除 的基板清洗装置。例如，专利文献1中公开了，使用面漆液在基板的表面形成处理膜，并将 该处理膜去除，由此将处理膜与基板上的微粒一起去除的。 现有技术文献 专利文献 阳0化]专利文献1 :日本特开2014-123704号公报
技术实现思路
发巧要解决的间颗 然而，专利文献1记载的方法中，存在如下可能性：例如由于对具有基底膜的基板 进行处理的情况下等的作为处理对象的基板，处理膜不会被充分地去除而不能得到高的微 粒去除性能。 实施方式的一个形式的目的在于提供能够得到高的微粒去除性能的基板清洗方 法和存储介质。 用于解决间颗的方案 实施方式的一个形式的包括：成膜处理液供给工序、和去除液供给 工序。成膜处理液供给工序向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有 氣原子且可溶于上述有机溶剂的聚合物。去除液供给工序对处理膜供给用于去除处理膜的 去除液，所述处理膜是成膜处理液在基板上固化或硬化而成的。 发巧的效果 通过实施方式的一个形式，能够得到高的微粒去除性能。【附图说明】 图IA是本实施方式的的说明图。 图IB是本实施方式的的说明图。 图IC是本实施方式的的说明图。 图ID是本实施方式的的说明图。 图IE是本实施方式的的说明图。 图2是表示关于现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液由基板去除的去除性 的评价结果的图。图3是表示本实施方式的基板清洗系统的结构的示意图。 图4是表示本实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。 图5是表示本实施方式的基板清洗装置所实施的基板清洗处理的处理过程的流 程图。 阳0。] 附图梳巧说巧 W晶圆 P微粒1基板清洗系统 2输入输出站 3处理站 阳0測 4控制装置 14基板清洗装置 20 腔室 21FFU 30基板保持机构 40液供给部 45a成膜处理液供给源 4化DIW供给源 45c碱水溶液供给源 50回收杯【具体实施方式】 W下，参照附图，对于本专利技术公开的和存储介质的实施方式详细地 进行说明。需要说明的是，本专利技术不受限于W下所示的实施方式。 <的内容> 首先，对于本实施方式的的内容，使用图IA~图IE进行说明。图 IA~图IE是本实施方式的的说明图。 如图IA所示，本实施方式的中，对于娃晶圆、化合物半导体晶圆等 基板（W下，有时也称为"晶圆W")的图案形成面供给"成膜处理液"。 本实施方式的"成膜处理液"是包含有机溶剂、和含有氣原子且可溶于有机溶剂的 聚合物（优选为具有后述式（1)所示的部分结构的聚合物）的基板清洗用组合物。通过使 用所述成膜处理液，能够不依赖基底膜的种类而得到高的微粒去除性能。需要说明的是，聚 合物不限定于具有后述式（1)所示的部分结构的情况，只要含有氣原子则能够得到与上述 同样的效果。 向晶圆W的图案形成面所供给的成膜处理液固化或硬化而成为处理膜。由此，形 成于晶圆W上的图案、附着于图案的微粒P成为被该处理膜覆盖的状态（参照图1B)。需要 说明的是，此处"固化"是指固体化，"硬化"是指分子彼此连接而高分子化（例如，交联、聚 合等）。 接着，如图IB所示，对晶圆W上的处理膜供给剥离处理液。剥离处理液是指使前 述的处理膜由晶圆W剥离的处理液。 剥离处理液供给至处理膜上之后，浸透至处理膜中并到达处理膜与晶圆W的界 面。运样，通过剥离处理液进入到处理膜与晶圆W的界面，由此处理膜W"膜"的状态由晶 圆W剥离，与此相伴，附着于图案形成面的微粒P与处理膜一起由晶圆W剥离（参照图1C)。此处，例如日本特开2014-123704号公报（专利文献1)中公开了使用面漆液在基 板的表面形成处理膜，并将该处理膜去除，由此将基板上的微粒与处理膜一起去除的基板 清洗方法。面漆液是指为了防止液浸液向抗蚀膜浸渗而涂布于抗蚀膜的表面的保护膜。 本实施方式的中，作为去除上述处理膜的流体，首先，对于将基板上 的处理膜W膜的状态剥离进行说明，但如果使用上述面漆液，则例如由于具有SiN(氮化 娃）膜、TiN(氮化铁）膜等基底膜的基板，会产生处理膜的剥离不足，因此处理膜由基板去 除的去除性不高。目P，存在由于作为处理对象的基板，处理膜不会被充分地去除而微粒去除 性能不能充分地发挥的可能性。 此处，本实施方式的中，使用前述的基板清洗用组合物作为成膜处 理液。所述成膜处理液与现有的面漆层膜相比较，处理膜由基板去除的去除性高，即便在 将具有SiN膜、TiN膜等基底膜的基板作为处理对象的情况下，也能够得到高的微粒去除性 能。 此处，对于设及现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液由基板去除的去除性的 评价结果，参照图2进行说明。图2是表示关于现有的面漆液和本实施方式的成膜处理液 由基板去除的去除性的评价结果的图。 图2中示出对于支撑娃晶圆和SiN晶圆（具有SiN膜的基板），分别形成面漆液的 处理膜和成膜处理液的处理膜之后，作为剥离处理液供给常溫（23~25度左右）的纯水即 DIW时的、各处理膜由基板去除的去除性的评价结果。图2的表中，"0"表示处理膜由基板 去除的去除率为90%W上，"X"表示该去除率为10%W下。 如图2所示，可知现有的面漆液的处理膜虽然在W支撑娃晶圆作为处理对象的情 况下由基板良好地剥离，但在WSiN晶圆作为处理对象的情况下由基板的剥离不充分、去 除性降低。 另一方面，可知本实施方式的成膜处理液的处理膜，无论在W支撑娃晶圆作为处 理对象时还是在WSiN晶圆作为处理对象时，都能从基板良好地剥离且去除性高。 运样，本实施方式的中，与现有的面漆液相比较，通过使用成膜处理 液能够提高对于具有SiN膜等基底膜的基板的去除性。因此，与面漆液相比较，通过本实施 方式的，对于多数基板都能够得到高的微粒去除性能。 需要说明的是，对于成膜处理液的具体的组成等，如后述。 阳化5] 接着，如图ID所示，对于由晶圆W剥离的处理膜，供给使处理膜溶解的溶解处理 液。由此，处理膜溶解并且被处理膜吸入的微粒P成为在溶解处理液中悬浮的状态。之后， 通过用纯水等将溶解处理液、溶解后的处理膜流洗，微粒P由晶圆W上被去除（参照图1E)。 运样，本实施方式的中，通过使形成于晶圆W上的处理膜由晶圆W W "膜"的状态剥离，从而将附着于图案等的微粒P与处理膜一起由晶圆W去除。 因此，通过本实施方式的，利用处理膜的形成和去除而进行微粒去 除，因此能够抑制由蚀刻作用等导致的基底膜的腐蚀。 另外，与现有的利用物理力的相比较，通过本实施方式的基板清洗 方法能够W较弱的力去除微粒P，因此也能够抑制图案崩塌。 进而，通过本实施方式的，能够容易地去除现有的利用物理力的基 板清洗方法中难W去除的、粒径小的微粒P。 需要说明的是，本实施方式的中，处理膜成膜于晶圆W之后，不进行 图案曝光而全部由晶圆W被去除。因此，清洗后的晶圆W成为涂布成膜处理液前的状态、即 图案形成面露出的状态。 <基板清洗用组合物> 接着，对于上述的成膜处理液进行具体地说明。需要说明的是，W下也有将成膜处 理液记载为"基板清洗用组合物"的情况。 基板清洗用组合物包含：有机溶剂、和怔]含有氣原子且可溶于有机溶剂 的聚合物。怔]聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板清洗方法，其特征在于，包括：成膜处理液供给工序：向基板供给成膜处理液，所述成膜处理液包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于所述有机溶剂的聚合物；和去除液供给工序：对处理膜供给用于去除该处理膜的去除液，该处理膜是所述成膜处理液在所述基板上固化或硬化而成的。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：相原明德，吉田祐希，河野央，山下刚秀，菅野至，望田宪嗣，岛基之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，JSR株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP