蚀刻方法技术

本发明专利技术提供一种在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。本发明专利技术的蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；(b)第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；以及(c)第3工序，在该第3工序中，利用通过第1工序和第2工序而形成在被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率小于第2工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻方法
本专利技术涉及一种蚀刻方法，尤其是涉及一种通过针对被处理体进行的等离子体处理来相对于由氮化硅构成的第2区域而选择性地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的方法。
技术介绍
在电子器件的制造过程中，有时对由氧化硅(SiO2)构成的区域进行用以形成孔或沟槽这样的开口的处理。在这样的处理中，如美国专利第7708859号说明书所记载地那样，通常的做法是，通过将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中来对该区域进行蚀刻。另外，公知有一种相对于由氮化硅构成的第2区域而选择性地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的技术。作为这样的技术的一个例子，公知有一种SAC(Self－AlignedContact：自对位接触)技术。在日本特开2000－307001号公报中记载有SAC技术。作为SAC技术的处理对象的被处理体具有氧化硅制的第1区域、氮化硅制的第2区域、以及掩模。第2区域以划分出凹部的方式设置，第1区域以将该凹部填埋且覆盖第2区域的方式设置，掩模设置在第1区域上且在凹部之上提供开口。在以往的SAC技术中，如日本特开2000－307001号公报所记载地那样，为了对第1区域进行蚀刻而使用含有碳氟化合物气体、氧气、以及稀有气体的处理气体的等离子体。通过将被处理体暴露在该处理气体的等离子体中，从而对第1区域的自掩模的开口暴露出的部分进行蚀刻而形成上部开口。通过将被处理体进一步暴露在处理气体的等离子体中，从而对被第2区域包围的部分、即凹部内的第1区域自对位(日文：自己整合)地进行蚀刻。由此，自对位地形成与上部开口相连续的下部开口。专利文献1：美国专利第7708859号说明书专利文献2：日本特开2000－307001号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在所述以往的技术中，在对第1区域进行蚀刻而使第2区域暴露的时刻，产生没有在第2区域的表面上形成保护该第2区域的膜的状态。当在该状态下进一步对第1区域进行蚀刻时，会产生将第2区域削去这样的现象。因而，要求在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻。用于解决问题的方案在本专利技术的一技术方案中，提供一种通过针对被处理体进行的等离子体处理来相对于由氮化硅构成的第2区域而选择性地对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻的蚀刻方法。该蚀刻方法包括以下工序：(a)第1工序，在该第1工序中，在容纳有被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；(b)第2工序，在该第2工序中，在容纳有被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；以及(c)第3工序，在该第3工序中，利用通过第1工序和第2工序而形成在被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。第1工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率小于第2工序中的、为了生成等离子体而利用的高频电力的功率。在所述一技术方案的方法中，在第1工序和第2工序中，在被处理体的表面上形成含有碳氟化合物的堆积物，在第3工序中，利用该堆积物中的碳氟化合物的自由基来对第1区域进行蚀刻。在此，在用于使含有碳氟化合物气体的处理气体生成等离子体的高频电力较小时，形成在被处理体上的堆积物的量变少，但被处理体被蚀刻的量也变少。另一方面，在该高频电力较大时，形成在被处理体上的堆积物的量变多，但被处理体被蚀刻的量也变多。在所述方法中，由于在第1工序中使用的高频电力较小，因此能够抑制被处理体的蚀刻量、即第2区域的蚀刻量并在第2区域上形成堆积物。通过利用在该第1工序中形成的堆积物来保护第2区域并在第2工序中使用较大的高频电力，能够使形成在被处理体上的堆积物的量增加。并且，能够利用如此形成的堆积物来保护第2区域并在第3工序中对第1区域进行蚀刻。因而，能够在抑制第2区域被削去的同时对第1区域进行蚀刻。在一实施方式中，也可以是，重复执行依次包含所述第1工序、所述第2工序、以及所述第3工序的序列。在一实施方式中，在被处理体的第2区域中划分出凹部，第1区域以将凹部填埋且覆盖第2区域的方式设置，被处理体具有设置在第1区域上的掩模，该掩模在凹部之上提供具有宽度比该凹部的宽度大的开口。一实施方式中的蚀刻方法还包括对第1区域进行蚀刻而直至使第2区域即将暴露为止的工序，所述序列是在对第1区域进行蚀刻而直至使第2区域即将暴露为止的上述工序之后执行的。在一实施方式中，所述序列还能够包含第4工序。在第4工序中，在容纳有被处理体的处理容器内产生含有含氧气体和非活性气体的处理气体的等离子体。采用一实施方式，能够利用氧的活性种来使形成于被处理体的堆积物的量适度地减少。因而，能够防止掩模的开口和通过蚀刻而形成的开口被闭塞。另外，在一实施方式中，由于处理气体中的含氧气体被非活性气体稀释，因此能够抑制堆积物被过量地去除。专利技术的效果如以上说明那样，能够在抑制由氮化硅构成的第2区域被削去的同时对由氧化硅构成的第1区域进行蚀刻。附图说明图1是表示一实施方式的蚀刻方法的流程图。图2是对作为一实施方式的蚀刻方法的适用对象的被处理体进行例示的剖视图。图3是概略地表示能够用于实施图1所示的方法的等离子体处理装置的一个例子的图。图4是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图5是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图6是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图7是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图8是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图9是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图10是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图11是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图12是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图13是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图14是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图15是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图16是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。图17是表示图1所示的方法的实施的中途阶段中的被处理体的剖视图。具体实施方式以下，参照附图详细说明各种实施方式。此外，在各附图中，对于相同或相当的部分标注相同的附图标记。图1是表示一实施方式的蚀刻方法的流程图。图1所示的方法MT是通过针对被处理体进行的等离子体处理来相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域选择性地进行蚀刻的方法。图2是对作为一实施方式的蚀刻方法的适用对象的被处理体进行例示的剖视图。如图2所示，被处理体、即晶圆W具有基板SB、第1区域R1、第2区域R2、以及后述的构成掩模的有机膜OL。在一个例子中，晶圆W是能够在鳍式场效应晶体管的制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，其通过针对具有由氧化硅构成的第1区域和由氮化硅构成的第2区域的被处理体进行的等离子体处理来相对于所述第2区域而选择性地对所述第1区域进行蚀刻，其中，该蚀刻方法包括以下工序：第1工序，在该第1工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；第2工序，在该第2工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体；以及第3工序，在该第3工序中，利用通过所述第1工序和所述第2工序而形成在所述被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对所述第1区域进行蚀刻，所述第1工序中的、为了生成所述等离子体而利用的高频电力的功率小于所述第2工序中的、为了生成所述等离子体而利用的高频电力的功率。

【技术特征摘要】
2015.01.16 JP 2015-0067711.一种蚀刻方法，其通过针对具有由氧化硅构成的第1区域和由氮化硅构成的第2区域的被处理体进行的等离子体处理来相对于所述第2区域而选择性地对所述第1区域进行蚀刻，其中，
该蚀刻方法包括以下工序：
第1工序，在该第1工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而在所述被处理体上形成含有碳氟化合物的堆积物；
第2工序，在该第2工序中，在容纳有所述被处理体的处理容器内进一步生成含有碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，从而使得在所述被处理体上形成的所述堆积物的量增加；以及
第3工序，在该第3工序中，利用通过所述第1工序和所述第2工序而形成在所述被处理体上的堆积物所含有的碳氟化合物的自由基来对所述第1区域进行蚀刻，
所述第1工序中的、为了生成所述等离子体而利用的高频电力的功率小于所述第2工序中的、为了生成所述等离子体而利用的高频电力的功率，
重复执行依次包含所述第1工序、所述第2工序、以及所述第3工序的序列，
在所述第2区域中划分出凹部，
所述第1区域以将所述凹部填埋且覆盖所述第2区域的方式设置，
所述被处理体具有设置在所述第1区域上的掩模，该掩模在所述凹部之上提供具有宽度比该凹部的宽度大的开口，
该蚀刻方法还包括对所述第1区域进行蚀刻而直至使所述第2区域即将暴露为止的工序，
所述序列是在对所述第1区域进行蚀刻而直至使所述第2区域即将暴露为止的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边光，辻晃弘，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP