载置台和等离子体处理装置制造方法及图纸

技术编号:13295648 阅读:38 留言:0更新日期:2016-07-09 13:46
本发明专利技术提供一种在周围配置有由绝缘材料构成的环形部件的载置台,能够抑制粒子或异常放电的产生的技术。设置在等离子体处理装置中的载置台(3),包括:棱柱状的金属制的载置台主体;形成于载置台主体的侧部的作为卡合部的凹部(61);和与凹部卡合安装于载置台主体上的定位部件(7)。在定位部件上设置有突起部(72、73),以在该突起部嵌合形成于环形部件(5)的下表面的凹部(55、56)的方式载置设置环形部件。因此,环形部件上表面作构成为未设置上下方向的贯通孔的平坦面,不会形成成为粒子的产生原因的间隙或与从环形部件的上表面用螺丝向载置台固定时的异常放电相关联的间隙,所以能够抑制粒子和异常放电的产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种为了在用于进行等离子体处理的真空容器内载置基板而设置的载置台、和具备该载置台的等离子体处理装置。
技术介绍
在FPD(FlatPanelDisplay)的制造工序中,具有对玻璃基板等实施蚀刻处理或成膜处理等规定的等离子体处理的工序。作为进行这些工序的等离子体处理装置,专利文献1中记载有一种腔室内具备作为下部电极的基座和作为上部电极的平板电极的构成。在该构成中,通过在基座上外加高频电力而生成等离子体,由此将从平板电极供给到室内的处理气体等离子体化,对基板实施等离子体处理。专利文献1的基座形成为截面凸状,截面凸状体的上部平面成为基板载置面,台阶部表面构成为凸缘部。另外,以包围基板载置面的方式设置有用于使等离子体均匀性高地分布于基板上的称为聚焦环等的由绝缘材料构成的环形部件,该环形部件通过螺丝固定于凸缘部的上表面。还周知有下述构成:在环形部件形成有上下方向贯通的开口部,螺丝部插入该开口部内,固定于凸缘部的上表面,以金属制的螺丝部不暴露于等离子体的方式设置有从上方侧覆盖螺丝部的盖部。这样,在环形部件的表面设置有盖部的构成中,如果因等离子体处理,膜堆积在盖部和环形部件的间隙,则该堆积物比其它区域的堆积物易剥离,会成为粒子产生原因。另外,还会担心因盖部暴露于等离子体,所以等离子体从盖部和环形部件的间隙进入,在螺丝部产生异常放电,成为产品不良的原因。另外,专利文献1还记载有下述构成:在凸缘部埋设一部分相对于基座不能移动设置有导向件,另一方面,设置有导向件与环形部件动配合的凹部即导向孔。然而,在该例中由于还形成有开口部即联接部,所以没能解决本专利技术的技术问题。另外,一般的,在基座的表面形成有喷镀膜,在凸缘部的表面设置有导向件的情况下,需要设置用于固定的螺丝孔等,该部位由于没有设喷镀膜,所以还会担心绝缘性降低。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2013-46002号公报:段落0042~0045、0073、图1、图10等
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题本专利技术是鉴于这种情况而完成的,其目的在于,提供一种用于等离子体处理、在周围配置有由绝缘材料构成的环形部件的载置台上,能够抑制粒子和异常放电的产生的技术。另外,本专利技术的另一目的在于,提供包括上述载置台的等离子体处理装置。因此,本专利技术的载置台,其为了在用于对基板进行等离子体处理的真空容器内载置上述基板而设置,上述载置台的特征在于,包括:用于载置基板的棱柱状的金属制的载置台主体;形成于上述载置台主体的侧部的卡合部;定位部件,其与上述卡合部卡合,安装于上述载置台主体上;由绝缘材料构成的环形部件,该环形部件设置成其上表面面对等离子体发生空间且包围上述载置台主体,并且在由上述定位部件定位了的状态下被载置于该定位部件上;和侧部绝缘部件,其设置成在上述环形部件的下方侧包围上述载置台主体,在上述环形部件不形成上下方向的贯通部分。另外,本专利技术的等离子体处理装置,其特征在于,包括:设置于真空容器内的、上述的载置台;向上述真空容器内供给用于产生等离子体的处理气体的气体供给部;和用于使真空容器内产生电场而将上述处理气体等离子体化的等离子体发生部。专利技术效果根据本专利技术,在用于等离子体处理、在周围配置有由绝缘材料构成的环形部件的载置台中,在载置台主体的侧部形成卡合部,以与该卡合部卡合的方式安装定位部件,以在被定位于该定位部件上的状态下载置的方式设置环形部件。因此,在环形部件不形成上下方向的贯通部分,其上表面构成为平坦面。这样,不会形成成为粒子的产生原因的间隙、或与用螺丝从环形部件的上表面固定于载置台时那样的异常放电相关联的间隙,所以能够抑制粒子或异常放电的产生。附图说明图1是表示具备本专利技术的第一实施方式的载置台的等离子体处理装置的纵剖面图。图2是表示设置于第一实施方式的载置台的环形部件的俯视图。图3是表示设置于第一实施方式的载置台的环形部件的仰视图。图4是表示第一实施方式的载置台的横剖面图。图5是表示第一实施方式的载置台的一部分的纵剖面图。图6是表示第一实施方式的载置台的一部分的纵剖面图。图7是表示第一实施方式的定位部件的俯视图。图8是表示第一实施方式的定位部件的侧视图。图9是表示第一实施方式的载置台的一部分的横剖面图。图10是表示第一实施方式的载置台的一部分的纵剖面图。图11是表示第一实施方式的载置台的一部分的纵剖面图。图12是表示第一实施方式的载置台的一部分的纵剖面图。图13是表示第一实施方式的变形例的载置台的一部分的横剖面图。图14是表示第一实施方式的变形例的载置台的一部分的俯视图。图15是表示第一实施方式的变形例的载置台的一部分的纵剖面图。图16是表示包括本专利技术的第二实施方式的载置台的等离子体处理装置的纵剖面图。图17是表示第二实施方式的载置台的横剖面图。图18是表示第二实施方式的载置台的一部分的纵剖面图。图19是表示第二实施方式的载置台的一部分的纵剖面图。图20是表示第二实施方式的载置台的一部分的横剖面图。附图标记说明2真空容器3、8载置台30、80基板载置面31第一电极体32第二电极体4上部电极5环形部件51~54带状部分55、56凹部61凹部62侧部绝缘部件7定位部件72、73突起部具体实施方式以下,参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。(第一实施方式)以下,对于包括本专利技术的载置台的等离子体处理装置的第一实施方式的构成例,参照图1~图11进行说明。该等离子体处理装置例如是对液晶显示装置(LCD)制造用的玻璃基板G实施规定的等离子体处理的装置,包括:真空容器2;置于该真空容器2内的底面中央的载置台3;和该载置台3相对的方式设置于载置台3的上方的上部电极4。真空容器2接地,另外,真空容器2的底面的排气口21经由排气路径22与真空排气机构23连接。该真空排气机构23连接有未图示的压力调节部,由此,真空容器2内被维持为所要求的真空度。在真空容器2的侧面设置有通过闸阀25来开闭的基板用的输送口24。载置台3例如是载置有一边为数m的矩形状的玻璃基板(以下称为“基板”)G的部件,包括第一电极体31和设置于该第一电极体31的下方的第二电极体32,隔着绝缘部件33配设于真空容器2的底面。第一电极体31和第二电极体32例如由表面被铝阳极化处理过的铝或不锈钢等构成,在该例本文档来自技高网
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<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/59/201510994178.html" title="载置台和等离子体处理装置原文来自X技术">载置台和等离子体处理装置</a>

【技术保护点】
一种载置台,其为了在用于对基板进行等离子体处理的真空容器内载置所述基板而设置,所述载置台的特征在于,包括:用于载置基板的棱柱状的金属制的载置台主体;形成于所述载置台主体的侧部的卡合部;定位部件,其与所述卡合部卡合,安装于所述载置台主体上;由绝缘材料构成的环形部件,该环形部件设置成其上表面面对等离子体发生空间且包围所述载置台主体,并且在由所述定位部件定位了的状态下被载置于该定位部件上;和侧部绝缘部件,其设置成在所述环形部件的下方侧包围所述载置台主体,在所述环形部件不形成上下方向的贯通部分。

【技术特征摘要】
2014.12.26 JP 2014-2655191.一种载置台,其为了在用于对基板进行等离子体处理的真空容器内载置所述基板而
设置,所述载置台的特征在于,包括:
用于载置基板的棱柱状的金属制的载置台主体;
形成于所述载置台主体的侧部的卡合部;
定位部件,其与所述卡合部卡合,安装于所述载置台主体上;
由绝缘材料构成的环形部件,该环形部件设置成其上表面面对等离子体发生空间且包
围所述载置台主体,并且在由所述定位部件定位了的状态下被载置于该定位部件上;和
侧部绝缘部件,其设置成在所述环形部件的下方侧包围所述载置台主体,
在所述环形部件不形成上下方向的贯通部分。
2.如权利要求1所述的载置台,其特征在于:
所述环形部件在其下表面形成有不贯通的凹部,
所述不贯通的凹部和所述定位部件的上表面的凸部相卡合,将所述环形部件定位。
3.如权利要求1或2所述载置台,其特征在于:
形成于所述载置台主体的侧部的卡合部为切口部或凹部。
4.如权利要求1~3中任一项所述的载置台,其特征在于:
所述侧部绝缘部件在包围所述定位部件的状态下被固定于所...

【专利技术属性】
技术研发人员:边见笃南雅人佐佐木芳彦
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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