基板处理装置以及基板处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置以及基板处理方法。在使用通过将化学溶液和气体混合而生成的化学溶液的液滴将附着于基板的聚合物去除时，获得充分的去除性能。基板处理装置具有：第1喷嘴(41)，其用于将通过将由气体供给机构(71B)供给来的气体和由加热化学溶液供给机构(71A)供给来的加热后的化学溶液混合而形成的化学溶液的液滴朝向基板(W)的表面喷出；第2喷嘴(47)，其用于将由加热纯水供给机构(75)供给来的加热后的纯水朝向基板的背面喷出。第1喷嘴向被从第2喷嘴供给来的加热纯水从背面侧加热而温度上升了的基板的表面供给液滴。

Substrate processing apparatus and substrate processing method

The invention provides a substrate processing device and a substrate processing method. The removal of the polymer attached to the substrate is achieved when the droplets of the chemical solution produced by mixing the chemical solution and the gas are removed. A substrate processing device has a nozzle (41), first for the gas supply mechanism (71B) to the gas supply and heating supply mechanism by chemical solution (71A) chemical solution mixing and heating supply to the chemical solution and the formation of droplets toward the substrate (W) onto a surface of second; the nozzle (47), which is used for heating by water supply mechanism (75) water supply to the heating after spray toward the back substrate. The first nozzle is supplied to the surface of the substrate, which is heated by pure water supplied from the second nozzle from the back side and the temperature rises.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及将通过混合化学溶液和气体而生成的化学溶液的液滴向基板喷出而对基板实施处理的基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中可进行如下清洗处理：通过使SC－1(氨水和过氧化氢水的混合溶液)等化学溶液与气体的流动合流而朝向半导体晶圆等基板的表面喷射，从而将附着到基板的表面的微粒、聚合物等污染物质去除。在使用单张式清洗装置来执行该清洗处理的情况下，基板被保持于被称为旋转卡盘的基板保持器具，使该基板绕铅垂轴线旋转。从位于该旋转的基板的上方的喷嘴向基板供给化学溶液。在使用双流体喷嘴进行化学溶液的供给的情况下，从双流体喷嘴喷射出来的液滴的与基板表面上碰撞的碰撞位置在基板中心部和周缘部之间移动。在专利文献1中，通过提高从双流体喷嘴喷出的液滴的温度来提高污染物质的去除性能。然而，在进行聚合物去除的情况下，仅通过专利文献1的方法无法获得充分的去除性能。现有技术文献专利文献1：日本特开2008－246319号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于提供如下技术：在使用混合化学溶液和气体而生成的化学溶液的液滴将附着到基板的聚合物去除时，能够获得充分的去除性能。用于解决问题的方案根据本专利技术的一技术方案可提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：基板保持部，其用于保持基板；加热化学溶液供给机构，其用于供给加热后的化学溶液；气体供给机构，其用于供给气体；加热纯水供给机构，其用于供给加热后的纯水；第1喷嘴，其用于将所述化学溶液的液滴朝向所述基板的表面喷出，所述化学溶液的液滴是通过将由所述气体供给机构供给来的所述气体和由所述加热化学溶液供给机构供给来的加热后的所述化学溶液混合而形成的；第2喷嘴，其用于将由所述加热纯水供给机构供给来的加热后的所述纯水朝向所述基板的背面喷出，所述第1喷嘴向被从第2喷嘴供给来的加热纯水从所述背面侧加热的所述基板的表面供给所述液滴。根据本专利技术的另一技术方案，可提供一种基板处理方法，其是基板处理装置的基板处理方法，该基板处理装置包括：基板保持部，其用于保持基板；加热化学溶液供给机构，其用于供给加热后的化学溶液；气体供给机构，其用于供给气体；加热纯水供给机构，其用于供给加热后的纯水；第1喷嘴，其用于将所述化学溶液的液滴朝向所述基板的表面喷出，所述化学溶液的液滴是通过将由所述气体供给机构供给来的所述气体和由所述加热化学溶液供给机构供给来的加热后的所述化学溶液混合而形成的；第2喷嘴，其用于将由所述加热纯水供给机构供给来的加热后的所述纯水朝向所述基板的背面喷出，其中，该基板处理方法包括如下工序：从所述第2喷嘴将所述加热后的纯水开始朝向所述基板的背面喷出的工序；在从所述第2喷嘴开始将所述加热后的纯水朝向所述基板的背面喷出之后、开始从所述第1喷嘴将所述液滴朝向所述基板的表面喷出的工序。专利技术的效果根据本专利技术的上述技术方案，在使用通过将化学溶液和气体混合而生成的化学溶液的液滴将附着到基板的聚合物去除时，能够获得充分的去除性能。附图说明图1是表示本专利技术的实施方式的基板处理系统的概略结构的图。图2是表示第1实施方式的处理单元的概略结构的纵剖视图。图3是表示第1实施方式的化学溶液供给机构以及基板温度调节液供给机构的结构的配管系统图。图4是表示第2实施方式的化学溶液供给机构以及基板温度调节液供给机构的结构的配管系统图。图5是表示第3实施方式的基板保持机构以及基板温度调节液供给机构的结构的图。图6是用于说明第3实施方式的基板温度调节液的供给以及排出的顺序的图。图7是用于对第1实施方式的化学溶液处理工序的变形例进行说明的图。图8是第4实施方式的处理单元的概略纵剖视图。图9是图8的区域IX的放大剖视图。图10是以另一截面观察第4实施方式的处理单元而得到的概略纵剖视图。附图标记说明W、基板(晶圆)；20A、处理腔室(腔室)；20B、第1分区；20C、第2分区；31、基板保持部；31a、基板保持部的板部分；31b、基板保持部的保持部分；33、旋转驱动部(驱动部)；41、第1喷嘴(双流体喷嘴)；45A、喷嘴臂；46A、臂驱动机构；47、第2喷嘴(下喷嘴)；71A、加热化学溶液供给机构；71B、气体供给机构；7104、纯水温度调节器(基板温度调节液温度调节器)；7110、7112、化学溶液配管、纯水配管(化学溶液管线、基板温度调节液管线)；7120、温度调节器(化学溶液温度调节液温度调节器、用于调节基板温度调节液的温度的温度调节液的温度调节器)；7116、温度
调节液夹套(水夹套)；7140、绝热材料；7160、7162、化学溶液罐；7171、第1分支管线(稀释液管线)；7180、加热纯水夹套(温度调节罐、温度调节夹套)；7184、第2分支管线(罐温度调节液供给管线)；75、加热纯水供给机构(基板温度调节液供给机构)；150、杯；152、上杯体；152a、上杯体的下部分；152b、上杯体的上部分；153、外杯体；161、分隔板；161a、分隔板的开口；161b、边缘；163、分隔板；164、狭缝。具体实施方式图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上。如图1所示，基板处理系统1具有输入输出站2和处理站3。输入输出站2和处理站3邻接地设置。输入输出站2具有承载件载置部11和输送部12。以水平状态收容多张晶圆W的多个承载件C被载置在承载件载置部11中。输送部12与承载件载置部11邻接地设置，在输送部12的内部设置有基板输送装置13和交接部14。基板输送装置13具有用于保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置13能够沿着水平方向以及铅垂方向移动并以铅垂轴线为中心回转，使用基板保持机构在承载件C和交接部14之间进行晶圆W的输送。处理站3与输送部12邻接地设置。处理站3具有输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列设置于输送部15的两侧。输送部15在内部设置有基板输送装置17。基板输送装置17具有用于保持晶圆W的基板保持机构。另外，基板输送装置17能够沿着水平方向以及铅垂方向移动并以铅垂轴线为中心回转，使用基板保持机构在交接部14和处理单
元16之间进行晶圆W的输送。处理单元16对由基板输送装置17输送的晶圆W进行预定的基板处理。另外，基板处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。在存储部19中储存有对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读出被存储于存储部19的程序并执行，从而对基板处理系统1的动作进行控制。此外，该程序既可以是记录于可由计算机读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装于控制装置4的存储部19的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，输入输出站2的基板输送装置13从载置到承载件载置部11的承载件C取出晶圆W，将取出来的晶圆W载置于交接部14。载置到交接部14的晶圆W由处理站3的基板输送装置17从交接部14取出，向处理单元16输入。在输入到处理单元16的晶圆W由处理单元16处理了之后，由基板输送本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：基板保持部，其用于保持基板；加热化学溶液供给机构，其用于供给加热后的化学溶液；气体供给机构，其用于供给气体；加热纯水供给机构，其用于供给加热后的纯水；第1喷嘴，其用于将所述化学溶液的液滴朝向所述基板的表面喷出，所述化学溶液的液滴是通过将由所述气体供给机构供给来的所述气体和由所述加热化学溶液供给机构供给来的加热后的所述化学溶液混合而形成的；第2喷嘴，其用于将由所述加热纯水供给机构供给来的加热后的所述纯水朝向所述基板的背面喷出，所述第1喷嘴向被从第2喷嘴供给来的加热纯水从所述背面侧加热的所述基板的表面供给所述液滴。

【技术特征摘要】
2015.05.15 JP 2015-100082;2015.11.13 JP 2015-223311.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：基板保持部，其用于保持基板；加热化学溶液供给机构，其用于供给加热后的化学溶液；气体供给机构，其用于供给气体；加热纯水供给机构，其用于供给加热后的纯水；第1喷嘴，其用于将所述化学溶液的液滴朝向所述基板的表面喷出，所述化学溶液的液滴是通过将由所述气体供给机构供给来的所述气体和由所述加热化学溶液供给机构供给来的加热后的所述化学溶液混合而形成的；第2喷嘴，其用于将由所述加热纯水供给机构供给来的加热后的所述纯水朝向所述基板的背面喷出，所述第1喷嘴向被从第2喷嘴供给来的加热纯水从所述背面侧加热的所述基板的表面供给所述液滴。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热化学溶液供给机构具有化学溶液温度调节机构，所述化学溶液温度调节机构具有：温度调节器，其用于供给温度控制后的温度调节液；水夹套，其包围用于向所述第1喷嘴供给所述加热化学溶液的化学溶液配管，并且，向该水夹套供给从所述温度调节器供给来的温度调节液。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热纯水供给机构具有纯水温度调节机构，所述纯水温度调节机构具有：温度调节器，其用于供给温度控制后的温度调节液；水夹套，其包围用于向所述第2喷嘴供给所述加热纯水的纯水配管，并且，向该水夹套供给从所述温度调节器供给来的温度调节液。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述加热化学溶液供给机构具有储存所述化学溶液的化学溶液罐，所述加热纯水供给机构具有用于对向所述第2喷嘴供给的纯水进行加热的纯水温度调节器，该基板处理装置设置有包围所述化学溶液罐的周围的加热纯水夹套，向所述加热纯水夹套供给由所述纯水温度调节器加热后的纯水而对储存于所述化学溶液罐内的所述化学溶液进行保温或加热，使从所述加热纯水夹套排出来的纯水返回所述纯水温度调节器。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述化学溶液是用纯水对化学溶液成分稀释而成的溶液，所述加热纯水供给机构具有用于将由所述纯水温度调节器加热后的纯水向所述第2喷嘴供给的加热纯水管线，该基板处理装置设置有从所述加热纯水管线分支而向所述化学溶液罐供给在所述加热纯水管线中流动的加热纯水作为用于调和所述化学溶液的稀释液的第1分支管线和从所述加热纯水管线分支并向所述加热纯水夹套供给在所述加热纯水管线中流动的加热纯水的第2分支管线，所述第2分支管线从加热纯水管线分支的位置比所述第1分支管线从加热纯水管线分支的位置靠上游侧。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述基板保持部具有：板部分，其位于所述基板的下方，与所述基板面对面；保持部分，其设置于所述板部分的周缘部，用于保持所述基板的周缘部，所述基板和所述板部分之间的空间被从所述第2喷嘴喷出来的所述加热纯水充满了的状态下，所述第1喷嘴向所述基板的表面供给所述液滴。7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还具有：旋转驱动部，其用于使所述基板保持部旋转；杯，其包围所述基板保持部的周围，用于接收并回收从由所述基板保持部保持而旋转的基板飞散的所述化学溶液，所述杯包括：上杯体，其具有圆筒形的下部分和以随着靠近上端而朝向半径方向内侧的方式倾斜的上部分；槽，其能够使附着于比所述上杯体的上部分的上端靠外侧的位置并在所述上杯体的所述下部分的外侧向下方通过的液体向比所述下部分靠内侧的下方流下。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述杯还包括圆筒形的外杯体，该外杯体将所述上杯体支承于内侧，该外杯体能够相对于所述基板保持部进行升降，在所述外杯体和所述上杯体的所述下...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田省贵，福井祥吾，篠原英隆，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP