本发明提供一种基板搬送装置，当搬送在周边部设置有切口的圆形的基板时，即使检测该基板周边部的位置的传感器部的数量少，也能高精度地将基板搬送至组件。本发明执行以下步骤：使保持有从第一组件接受到的基板的基板保持部相对上述传感器部分别位于预先设...

本发明提供一种在通过共用的排气通路对产生包含附着成分的气氛的多个基板处理部的气氛进行排气时，能够可靠地检测每个基板处理部的独立排气通路的异常的技术。在利用排气能力设备通过共用排气通路(60)对在晶片(W)进行抗蚀剂涂敷的多个抗蚀剂涂敷单...

本发明提供一种基板拍摄装置。抑制设备事故且谋求基板拍摄装置的小型化和低成本化。检查单元(U3)包括：保持台，其构成为保持晶圆(W)而使晶圆(W)旋转；镜构件(430)，其具有反射面(432)，该反射面(432)相对于保持台的旋转轴线倾斜...

本发明提供一种即使是在晶圆具有翘曲的情况下、也对该晶圆的周缘进行恰当的处理的基板处理方法和基板处理装置。晶圆的处理方法包括如下工序：在翘曲量已知的基准晶圆的周缘整周上利用照相机对基准晶圆的端面进行拍摄、在基准晶圆的周缘整周上取得基准晶圆...

本发明提供一种容易地输送腔室的输送用支架和输送方法。一种输送用支架(10)，其用于输送能够上下分割的腔室，其具备：中央框架(20)，其沿着第1方向延伸；两个侧方框架(30)，其在中央框架(20)的第1方向上的两端沿着与第1方向交叉的第2...

本发明提供一种具有静电吸盘的基板载置台，即使在超过120℃的温度下，也难以在静电吸盘的由陶瓷喷镀覆膜形成的电介质层产生龟裂、剥离。在处理容器(4)内对被处理基板实施处理的基板处理装置中用于载置基板的且在超过120℃的温度下使用的基板载置...

本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给...

载置到对晶圆进行处理的处理容器内的基板载置台具有：载物台，在其上表面载置晶圆(W)，在其内部形成有供预定温度的热媒流通的内周部流路和外周部流路；支承台，其支承载物台；温度调节板(32)，其设置于载物台与支承台之间，在其内部设有供对其与载...

简单地以高精度进行对形成于被检查基板的检查芯片进行接触式检查之际的接触位置的检查。在利用探针台对在载置到载物台(11)的晶圆(W)上形成的半导体器件进行检查之际，事先对探针相对于半导体器件的电极极板(71～75)的接触位置进行检查。将形...

一个实施方式的方法包括：执行1次以上的流程的步骤；和使通过执行1次以上的流程形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在被处理体上形成含碳氟化合物膜的步骤...

在一实施方式的等离子体处理装置中，气体供给系统向处理容器内供给气体。等离子体源使由气体供给系统供给的气体激励。支承构造体在处理容器内保持被处理体。支承构造体构成为，将被处理体支承成可旋转且可倾斜。该等离子体处理装置还具备偏压电力供给部，...

本发明提供成膜方法以及成膜装置，对形成在玻璃基板G上的有机EL元件(106)进行密封的密封膜(105)的成膜方法，包括以下工序：将包含含有硅的气体和含有卤素的气体的混合气体、或者包含含有硅的气体和含有电负性比氮强的官能团的气体的混合气体...

本发明提供一种基板排列方法和装置、基板接收方法和装置、基板液处理方法和装置以及基板处理系统。即使基板产生翘曲(变形)，也防止基板与基板支承体接触、基板彼此接触。在本发明中，能够使基板支承体(39)从与沿着基板(8)的外周端局部地上翘的位...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能...

本发明提供半导体器件的制造方法，其维持被蚀刻层相对于掩模的蚀刻的选择比且抑制形成于被蚀刻层的空间的方向变化。在半导体器件的制造方法(MT)中，包括：(a)将含有氟碳化合物气体、氟代烃气体和氧气的第一气体供给到处理容器(12)内，激发该第...

本发明提供涂敷膜形成方法和涂敷膜形成装置。当在晶片上涂敷涂敷液而进行成膜时对形成的膜的膜厚进行调整，在旋涂法中，在通过高速旋转而使抗蚀剂液在晶片(W)上扩散之后，进行低速旋转，一边使晶片(W)的表面均匀，一边向晶片(W)的表面供给干燥气...

本发明提供基板处理方法，一边控制抗蚀剂厚膜的形状一边除去凸起。晶片(W)的处理方法包括：第一步骤，对晶片(W)的表面(Wa)供给涂敷液而形成涂敷膜；第二步骤，从喷嘴(46)排出有机溶剂并将其供给到涂敷膜的周缘部，将该周缘部之中呈凸状突起...

本发明提供使固体原料气化而将含有气体的原料气体供给到成膜处理部时使气化的原料的供给量稳定的技术。在用于向原料容器供给运载气体的运载气体供给通路设置有MFC1，在原料气体供给通路设置有MFM3。并且，在向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的组装方法。缩短基板处理装置的设置所需的时间，且缩短设置时的设备的检查所需要的检查时间。基板处理装置包括：多个基板处理部，其向基板供给处理流体而进行处理；多个处理流体供给控制部，其1对1地与多个所...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理装置的组装方法。缩短基板处理装置的设置所需的时间，且缩短设置时的设备的检查所需要的检查时间。基板处理装置包括：多个基板处理部，其向基板供给处理流体而进行处理；多个处理流体供给控制部，其1对1地与多个所...