液处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。

Liquid treatment method and substrate processing device

The present invention provides a liquid treatment method and a substrate processing device. Wherein, the hydrophobic treatment of the surface of the substrate can be rapidly obtained, and the dry substrate can be removed by pure water and hydrophobic agents that are present in the pattern of the substrate. To maintain the level of the substrate (W), after the supply of water to the substrate (W) when dry, in first solvent delivery process, after the water supply to the substrate surface (W) of the supply of first solvent, water repellent in the supply process, to the surface of the substrate (W) for water repellent. In the second solvent supply step, a second solvent is supplied to the surface of the substrate after hydrophobic (W), and the second solvent on the surface of the substrate (W) is removed in the subsequent drying process. Moreover, the specific gravity of the first solvent is smaller than that of the hydrophobic agent, and the specific gravity of the second solvent is larger than that of the hydrophobic agent.

【技术实现步骤摘要】
液处理方法和基板处理装置
本专利技术涉及向基板供给处理液而进行了处理之后、对该基板进行干燥的液处理方法和基板处理装置。
技术介绍
在对作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)进行液处理的单张式的旋转清洗装置中，向旋转的晶圆的表面供给例如碱性、酸性的化学溶液，通过使该化学溶液在晶圆的表面扩散，将晶圆表面的尘土、自然氧化物等去除。残存于晶圆表面的化学溶液被纯水等冲洗液去除，若保持使晶圆旋转的状态下停止冲洗液的供给，可获得残留的冲洗液被甩开而干燥的晶圆。另一方面，若利用上述的方法使晶圆干燥，则存在发生形成于晶圆的表面的图案坍塌的图案倒塌的情况。作为抑制图案倒塌的发生、同时将残留于晶圆表面的冲洗液去除的方法，在例如专利文献1中记载有向化学溶液被纯水去除之后的晶圆供给疏水剂(相当于本申请的憎水剂)而对晶圆的表面进行疏水化的技术。若根据专利文献1，则作为在进行疏水化处理之前供给溶剂的处理的第1溶剂冲洗处理和作为在进行了疏水化处理之后供给溶剂的处理的干燥前冲洗处理中，在供给疏水剂的处理的前后供给通用的溶剂。并且，作为该通用的溶剂，例示了IPA(异丙醇，IsopropylAlcohol)、HFE(氢氟醚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液处理方法，在该液处理方法中，向水平地保持的基板供给纯水，之后使基板干燥，其特征在于，该液处理方法包括：向基板的表面供给纯水的纯水供给工序；在所述纯水供给工序之后向基板的表面供给第1溶剂的第1溶剂供给工序；之后向所述基板的表面供给使该基板的表面憎水化的憎水剂的憎水剂供给工序；向憎水化之后的所述基板的表面供给第2溶剂的第2溶剂供给工序；将所述基板的表面的第2溶剂去除的去除工序，所述第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。

【技术特征摘要】
2016.02.15 JP 2016-026108;2016.08.08 JP 2016-155681.一种液处理方法，在该液处理方法中，向水平地保持的基板供给纯水，之后使基板干燥，其特征在于，该液处理方法包括：向基板的表面供给纯水的纯水供给工序；在所述纯水供给工序之后向基板的表面供给第1溶剂的第1溶剂供给工序；之后向所述基板的表面供给使该基板的表面憎水化的憎水剂的憎水剂供给工序；向憎水化之后的所述基板的表面供给第2溶剂的第2溶剂供给工序；将所述基板的表面的第2溶剂去除的去除工序，所述第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。2.根据权利要求1所述的液处理方法，其特征在于，所述第1溶剂具有与所述纯水以及憎水剂的相互溶解性，所述第2溶剂具有与所述憎水剂的相互溶解性而相对于纯水是非溶解性的。3.根据权利要求1或2所述的液处理方法，其特征在于，所述第1溶剂是异丙醇，所述憎水剂是三甲基甲硅烷基二甲胺，所述第2溶剂是氢氟烯烃。4.根据权利要求1～3中任一项所述的液处理方法，其特征在于，所述第2溶剂具有比所述第1溶剂的沸点高的沸点，所述第2溶剂在被加热到比所述第1溶剂的沸点高的温度的状态下向所述基板的表面供给。5.根据权利要求4所述的液处理方法，其特征在于，在将所述第2溶剂加热成比所述第1溶剂的沸点高的温度之后，进行加热后的第2溶剂与该第2溶剂所含有的气泡的气液分离。6.根据权利要求4或5所述的液处理方法，其特征在于，在将所述第2溶剂加热成比所述第1溶剂的沸点高的温度之前对该第2溶剂所含有的气体进行脱气。7.根据权利要求4～6中任一项所述的液处理方法，其特征在于，在所述第2溶剂供给工序中，使所述基板绕通过该基板的中央部的铅垂轴线旋转，向所述中央部供给第2溶剂；在所述去除工序中，使所述第2溶剂的供给位置从所述旋转的基板的中央部侧向周缘部侧移动；从所述第2溶剂的供给位置到达从所述中央部侧向周缘部侧的路径上的预先设定好的位置起，向所述旋转的基板的背面供给加温流体。8.根据权利要求7所述的液处理方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：川渕洋介，立花康三，中森光则，大石幸太郎，江头佳祐，田中幸二，稻富弘朗，山下刚秀，福田喜辉，山下浩司，钓船祐，增住拓朗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP