基板处理装置和基板处理装置的调整方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置和基板处理装置的调整方法。不仅在基板的面内而且在基板间，都能够进行均匀性良好的加热处理。在基板处理装置中，包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，其包括：设置在载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致。第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，第2时刻为在温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理装置的调整方法
本专利技术涉及具有将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件的基板处理装置和基板处理装置的调整方法。
技术介绍
在半导体制造工艺中，在半导体晶片等的基板(以下称为“晶片”)形成涂敷膜后，将基板载置在设置有加热器的载置台来进行加热处理。作为加热处理，能够举例对形成在基板的抗蚀剂膜在曝光前后在例如100℃左右的温度下进行的处理。抗蚀剂图案的线宽被各种因素左右，但是，作为其因素之一能够列举加热处理时的加热温度。而且，存在药液的热处理温度依赖性变高的倾向，所以，加热处理时的晶片的加热过程(历史记录)中的晶片的面内间的差异和晶片间(面间)的差异对抗蚀剂图案的线宽中的晶片的面内均匀性和晶片间均匀性产生的影响变大。进行加热处理的加热组件，将晶片的被加热区域分割为多个，按各分割区域设置加热器，对各加热器独立地进行发热控制。作为加热器的控制系统的参数的调整方法，已知如专利文献1所记载的那样，以在多个测量点测量载置台(热板)的温度时的各测量温度与各目标温度一致的方式进行控制的方法。但是，对于图案的线宽的均匀性要求更严格的标准的工艺中，今后需要改善调整方法。另外，形成抗蚀剂图案的装置，对多个晶片并行地进行处理，所以具备多个加热组件。因此，在各加热组件中，不仅要使晶片的面内的加热过程一致，而且，在加热组件之间，要求以高精度使晶片的加热过程一致。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4391518号
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种无论在基板的面内还是在基板间都能够进行均匀性良好的加热处理的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的基板处理装置，其包括分别将基板载置在载置台来对该基板进行加热的多个加热组件，上述基板处理装置的特征在于，包括：设置在上述载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与上述多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致，上述第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，上述第2时刻为在上述温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。本专利技术的基板处理装置的调整方法，其对基板处理装置中的加热器的发热量进行调整，上述基板处理装置的调整方法的特征在于：上述基板处理装置包括：分别将基板载置在载置台来对上述基板进行加热的多个加热组件；设置在上述载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；对每个加热器设置的、计算设定温度与上述温度检测部的检测温度的偏差并输出加热器的供给电力的控制信号的调节部；和将目标温度和偏置值进行加法运算来取得上述设定温度的加法运算部；上述基板处理装置的调整方法包括：在每个加热组件中使偏置值为零，在加热器的发热量已稳定的状态下将调整用基板载置在载置台，通过设置在该调整用基板的温度检测部检测出与多个加热器分别对应的调整用基板的被加热部位的温度，取得调整用基板的温度变化曲线的第1步骤；基于上述调整用基板的温度变化曲线，在将从向基板的处理温度升温过程中的第1时刻至调整用基板达到处理温度后的第2时刻分割为多个时间区间的各时间区间中，按每个被加热部位求取累计热量，按每个时间区间求取多个被加热部位的平均累计热量，将对应于每个时间区间的平均累计热量和各被加热部位的累计热量的差值的值决定为各被加热部位的偏置值的第2步骤；将使用在上述第2步骤中所决定的偏置值，反复进行上述第1步骤和上述第2步骤取得各被加热部位的偏置值的步骤进行一次以上的第3步骤；和使用在上述第3步骤中求出的偏置值，除此之外同样地实施上述第1步骤，基于所取得的基板的温度变化曲线，在将上述调整用基板载置在载置台后，按每个被加热部位求取从预先设定的时刻至将该调整用基板从载置台搬出的累计热量，将对应于预先决定的多个加热组件中共通的标准累计热量与各被加热部位的累计热量的差值的值决定为各被加热部位的偏置值的第4步骤。专利技术效果依据本专利技术，能够在多个加热组件的各个中，使被加热处理的基板中的与多个加热器对应的被加热部位的加热处理时的累计热量在1台加热组件中一致并且在多个加热组件之间一致。因此，无论在基板的面内还是在基板彼此间，都能够进行均匀性良好的加热处理。附图说明图1是上述涂敷、显影装置的立体图。图2是上述涂敷、显影装置的处理部件的立体图。图3是设置在上述处理部件的加热组件的纵截侧视图。图4是设置在上述加热组件的热板的俯视图。图5是设置在上述加热组件的构成温度调节器的控制系的框图。图6是设置在上述加热组件的控制器的框图。图7是表示上述热板的温度的偏置值的设定步骤的流程图。图8是表示在上述设定步骤中由温度传感器取得的温度变化曲线的图表。图9是表示收纳有上述热板的温度的第2调整用偏置值组的表的示意图。图10是表示在上述设定步骤中由温度传感器取得的温度变化曲线的图表。图11是表示用于根据上述第2调整用偏置值计算出处理用偏置值的数据的图表。图12是表示收纳有作为用于调整上述热板的温度的参数的第2调整用偏置值的表的示意图。图13是表示使用上述处理用偏置值取得的温度变化曲线的图表。图14是表示使用上述处理用偏置值取得的温度变化曲线的图表。图15是表示评价试验的结果的图表。图16是表示评价试验的结果的图表。图17是表示评价试验的结果的图表。图18是表示评价试验的结果的图表。图19是表示评价试验的结果的图表。附图标记说明W晶片W1调整用晶片1涂敷、显影装置2加热组件23热板3加热器4温度传感器5温度控制机构56温度调节器6控制器具体实施方式对于本专利技术的基板处理装置的实施方式的涂敷、显影装置1，参照图1的概略立体图进行说明。涂敷、显影装置1通过将运载部件D1、处理部件D2和接口部件D3依次水平地直线状连接而构成。以部件D1～D3的配列方向为前后方向。另外，在接口部件D3，在与处理部件D2相反的一侧连接有曝光装置D4。在运载部件D1设置有载置载体11的载置台12，该载体11中收纳有多个作为圆形的基板的晶片W。处理部件D2具有单位部件E1、E2、E3各2个，单位部件E1～E3彼此层叠。对2个相同的单位部件E，将晶片W向任意一者运送来进行处理。单位部件E1是用于进行向晶片W涂敷反射防止膜形成用的药液和在该药液涂敷后的晶片W的加热处理，来形成反射防止膜的部件。单位部件E2是用于进行向晶片W涂敷抗蚀剂和该抗蚀剂涂敷后的晶片W的加热处理，来形成抗蚀剂膜的部件。单位部件E3是用于进行由曝光装置D4沿规定的图案对抗蚀剂膜进行曝光后的晶片W的加热处理、和向加热处理后的晶片W供给显影液，从而在晶片W形成抗蚀剂图案的部件。单位部件E3的加热处理是用于进行被称为曝光后烘培(PEB)的曝光后的驻波的除去、在抗蚀剂为化学增幅型(ChemicalAmplification)的情况下被曝光了的部位的化学反应的加热处理。在各部件D1～D3分别设置有晶片W的运送机构，载体11内的晶片W按运载部件D1→单位部件E1→单位部件E2→接口部件D3→曝光装置D4→接口部件D3→单位部件E3的顺序运送，进行上述的各处理，在晶片W本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其包括分别将基板载置在载置台来对所述基板进行加热的多个加热组件，所述基板处理装置的特征在于，包括：设置在所述载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与所述多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致，所述第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，所述第2时刻为在所述温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。

【技术特征摘要】
2015.12.15 JP 2015-2444911.一种基板处理装置，其包括分别将基板载置在载置台来对所述基板进行加热的多个加热组件，所述基板处理装置的特征在于，包括：设置在所述载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；和控制部，其输出控制信号，使得对于与所述多个加热器分别对应的基板的被加热部位，从预先决定的第1时刻直至第2时刻之间的累计热量在1台载置台中一致并且在多个加热组件之间一致，所述第1时刻为在加热器的发热量稳定的状态下在基板被载置于载置台后的基板的温度变化曲线中，向基板的处理温度升温过程中的时刻，所述第2时刻为在所述温度变化曲线中基板达到了处理温度后的时刻。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：在将从所述第1时刻至第2时刻分割为多个时间区间的各个时间区间中，所述被加热部位的各自的累计热量在1台载置台中一致并且在多个组件之间一致。3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：所述多个加热组件中的所述被加热部位的累计热量相对于标准累计热量收敛在±0.5％以内。4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：对每个所述被加热部位设置检测温度的温度检测部，所述控制部包括：对每个加热器设置的、计算设定温度与所述温度检测部的检测温度的偏差并输出加热器的供给电力的控制信号的调节部；将作为处理温度的目标温度和偏置值进行加法运算来取得所述设定温度的加法运算部；和按每个加热器并且按每个所述时间区间存储所述偏置值的存储部。5.一种基板处理装置的调整方法，其对基板处理装置中的加热器的发热量进行调整，所述基板处理装置的调整方法的特征在于：所述基板处理装置包括：分别将基板载置在载置台来对所述基板进行加热的多个加热组件；设置在所述载置台的多个加热器，其发热量能相互独立地被控制；对每个加热器设置的、计算设...

【专利技术属性】
技术研发人员：重富贤一，七种刚，碛本荣一，福留生将，吉原孝介，榎木田卓，竹下和宏，梅木和人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP