等离子体处理装置制造方法及图纸

在一实施方式的等离子体处理装置中，气体供给系统向处理容器内供给气体。等离子体源使由气体供给系统供给的气体激励。支承构造体在处理容器内保持被处理体。支承构造体构成为，将被处理体支承成可旋转且可倾斜。该等离子体处理装置还具备偏压电力供给部，该偏压电力供给部将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于支承构造体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理装置
本专利技术的实施方式涉及等离子体处理装置。
技术介绍
作为使用了磁阻效应元件的存储器元件的一种，具有MTJ(磁性隧道连接，MagneticTunnelJunction)构造的MRAM(磁性随机存储器，MagneticRandomAccessMemory)元件引人注目。MRAM元件包括由含有强磁性体等金属的难蚀刻材料构成的多层膜。在这样的MRAM元件的制造过程中，多层膜使用由Ta(钽)、TiN这样的金属材料形成的掩模来进行蚀刻。在这样的蚀刻中，如日本特开2012-204408号公报所记载那样以往使用了卤素气体。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-204408号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本申请专利技术人进行了利用使用了含有稀有气体的处理气体的等离子体的蚀刻来蚀刻多层膜的尝试。在该蚀刻中，利用源自稀有气体的离子的溅射效果来对多层膜进行蚀刻。然而，在该蚀刻中，蚀刻后的金属附着于由于该蚀刻而形成的形状的表面而形成堆积物。由此，越沿着层叠方向远离掩模该形状变得越粗。即、该形状成为锥形状。因而，需要提高由于蚀刻而形成的形状的垂直性。另外，在这样的蚀刻中，除本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其对被处理体进行等离子体蚀刻，其中，该等离子体处理装置具备：处理容器；气体供给系统，其向所述处理容器内供给气体；等离子体源，其使由所述气体供给系统供给的气体激励；支承构造体，其在所述处理容器内保持被处理体；以及排气系统，其用于进行所述处理容器内的空间的排气，所述排气系统设置于所述支承构造体的正下方，所述气体供给系统具有：第1气体供给部，其向所述处理容器内供给第1处理气体；第2气体供给部，其向所述处理容器内供给第2处理气体，该等离子体处理装置还具备控制器，该控制器对所述第1气体供给部和所述第2气体供给部进行控制，以便根据所述处理容器内的等离子体生成时或等离子体消失时的等离子...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.15 JP 2014-2106661.一种等离子体处理装置，其对被处理体进行等离子体蚀刻，其中，该等离子体处理装置具备：处理容器；气体供给系统，其向所述处理容器内供给气体；等离子体源，其使由所述气体供给系统供给的气体激励；支承构造体，其在所述处理容器内保持被处理体；以及排气系统，其用于进行所述处理容器内的空间的排气，所述排气系统设置于所述支承构造体的正下方，所述气体供给系统具有：第1气体供给部，其向所述处理容器内供给第1处理气体；第2气体供给部，其向所述处理容器内供给第2处理气体，该等离子体处理装置还具备控制器，该控制器对所述第1气体供给部和所述第2气体供给部进行控制，以便根据所述处理容器内的等离子体生成时或等离子体消失时的等离子体状态对所述第1处理气体的供给量和所述第2处理气体的供给量单独地进行调整，所述支承构造体构成为将被处理体支承成能够旋转且能够倾斜，该等离子体处理装置还具备偏压电力供给部，该偏压电力供给部将脉冲调制后的直流电压作为用于离子吸引的偏压施加于所述支承构造体。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，所述支承构造体具有在沿着与铅垂方向正交的方向延伸的第1轴线上延伸的倾斜轴部，该等离子体处理装置还具备驱动装置，该驱动装置对所述倾斜轴部进行轴支承，使所述支承构造体以所述第1轴线为中心进行旋转，该驱动装置设置于所述处理容器的外部，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村荣一，大秦充敬，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP