蚀刻方法技术

一个实施方式的方法包括：执行1次以上的流程的步骤；和使通过执行1次以上的流程形成的含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在被处理体上形成含碳氟化合物膜的步骤；和利用含碳氟化合物膜所包含的碳氟化合物的自由基对第一区域进行蚀刻的步骤。在该方法中，交替反复执行1次以上的流程和使含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】蚀刻方法
本专利技术的实施方式涉及蚀刻方法，特别而言，涉及通过对被处理体进行的等离子体处理，相对于第二区域选择性地对含有硅原子和氧原子的第一区域进行蚀刻的方法，其中，上述第二区域由与该第一区域不同的材料构成。
技术介绍
在电子器件的制造中，有时对含有硅原子和氧原子的区域、例如由氧化硅(SiO2)构成的区域进行形成孔或槽这样的开口的处理。在这样的处理中，如美国专利第7708859号说明书所记载的那样，通常将被处理体暴露于碳氟气体的等离子体中而对该区域进行蚀刻。另外，已知有相对于第二区域选择性地对含有硅原子和氧原子的第一区域、例如由氧化硅构成的第一区域进行蚀刻的技术，其中，上述第二区域由与该第一区域不同的材料构成。作为这样的技术的一个例子，已知有SAC(Self－AligndContact)技术。关于SAC技术，在日本特开2000－307001号公报中有记载。作为SAC技术的处理对象的被处理体具有氧化硅制的第一区域、氮化硅制的第二区域和掩模。第二区域设置以划设凹部的方式设置，第一区域以填埋该凹部且覆盖第二区域的方式设置，掩模设置于第一区域上并在凹部之上提供开口。在现有的SAC技术中，如日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻方法，其通过对被处理体进行的等离子体处理，相对于第二区域选择性地对含有硅原子和氧原子的第一区域进行蚀刻，其中，所述第二区域由与所述第一区域不同的材料构成，所述蚀刻方法的特征在于：该被处理体包括：划设凹部的所述第二区域；以填埋该凹部且覆盖所述第二区域的方式设置的所述第一区域；和在所述凹部之上提供开口并设置于所述第一区域上的掩模，该方法包括：执行1次以上的流程的步骤，该1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在所述被处理体上形成含碳氟化合物膜的工序；和利用所述含碳氟化合物膜所包含的碳氟化合物的自由基对所述第一区域进行蚀刻的工序；和使所述含碳氟化...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.05 JP 2014-2467451.一种蚀刻方法，其通过对被处理体进行的等离子体处理，相对于第二区域选择性地对含有硅原子和氧原子的第一区域进行蚀刻，其中，所述第二区域由与所述第一区域不同的材料构成，所述蚀刻方法的特征在于：该被处理体包括：划设凹部的所述第二区域；以填埋该凹部且覆盖所述第二区域的方式设置的所述第一区域；和在所述凹部之上提供开口并设置于所述第一区域上的掩模，该方法包括：执行1次以上的流程的步骤，该1次以上的流程中的每个流程包括：通过生成包含碳氟气体但不包含氧气的处理气体的等离子体，在所述被处理体上形成含碳氟化合物膜的工序；和利用所述含碳氟化合物膜所包含的碳氟化合物的自由基对所述第一区域进行蚀刻的工序；和使所述含碳氟化合物膜的膜厚减小的步骤，在该方法中，交替反复执行所述执行1次以上的流程的步骤和使所述膜厚减小的步骤。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述使膜厚减小的步骤中，生成仅包含三氟化氮气体的处理气体的等离子体。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述使膜厚减小的步骤中，生成包含三氟化氮气体和稀有气体的处理气体的等离子体。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述交替反复执行的步骤所包含的一部分的所述使膜厚减小的步骤中，生成包含三氟化氮气体和稀有气体的处理气体的等离子体，在所述交替反复执行的步骤所包含的另一部分的所述使膜厚减小的步骤中，生成仅包含三氟化氮气体的处理气体的等...

【专利技术属性】
技术研发人员：户村幕树，胜沼隆幸，本田昌伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP