成膜方法以及成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供成膜方法以及成膜装置，对形成在玻璃基板G上的有机EL元件(106)进行密封的密封膜(105)的成膜方法，包括以下工序：将包含含有硅的气体和含有卤素的气体的混合气体、或者包含含有硅的气体和含有电负性比氮强的官能团的气体的混合气体供给至处理容器(1)内的工序；在处理容器(1)内生成混合气体的等离子体的工序；通过由等离子体活性化后的混合气体以覆盖有机EL元件(106)的方式，使密封膜(105)成膜的成膜工序。

【技术实现步骤摘要】
成膜方法以及成膜装置
本专利技术的各个方面以及实施方式涉及成膜方法以及成膜装置。
技术介绍
使用有机化合物而发光的有机EL(Electro-Luminescence)元件,一般是通过阳极层(阳极)以及阴极层(阴极)夹住形成在玻璃基板上的有机层的构造。有机层防水性弱，若混入水分，则特性变化而产生非发光点(暗斑)，成为缩短有机EL元件的寿命的一个因素。因此为了不使外部的水分、氧透过，提高膜的密封性非常重要。作为保护有机层免受外部的湿气等的方法，提出有例如使用由铝等形成的密封罐的方法(例如，参照专利文献1)。根据这样的方法，用密封材料在有机EL元件上粘贴密封罐，进而在密封罐的内部放置干燥剂，从而使有机EL元件密封以及干燥。由此能够防止水分朝向有机EL元件混入。专利文献1：日本特开2005-166265号公报然而，上述的方法中，虽然对水分的耐受性高，但作为有机EL元件整体需要一定程度的厚度。因此无法发挥薄、轻、能够弯曲等的有机EL元件本来的优点。
技术实现思路
本专利技术的一个方面是对形成在基板上的元件进行密封的密封膜的成膜方法，该成膜方法包括：第一供给工序、第一成膜工序、第二供给工序、第二成膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜方法，是对形成在基板上的元件进行密封的密封膜的成膜方法，其特征在于，包括以下工序：第一供给工序，将包含含有硅的气体和含有卤素的气体的第一混合气体、或者包含含有硅的气体和含有电负性比氮强的官能团的气体的第一混合气体供给至处理容器内；第一成膜工序，通过由在所述处理容器内生成的等离子体活性化后的所述第一混合气体，以覆盖所述元件的方式使第一密封膜成膜；第二供给工序，将不包含含有卤素的气体以及具有电负性比氮强的官能团的气体的任一个而包含含有硅的气体的第二混合气体供给至所述处理容器内；第二成膜工序，通过由在所述处理容器内生成的等离子体活性化后的所述第二混合气体，以覆盖所述第一成膜工序中成膜的所述第...

【技术特征摘要】
2015.12.18 JP 2015-2476601.一种成膜方法，是对形成在基板上的元件进行密封的密封膜的成膜方法，其特征在于，包括以下工序：第一供给工序，将包含含有硅的气体和含有卤素的气体的第一混合气体、或者包含含有硅的气体和含有电负性比氮强的官能团的气体的第一混合气体供给至处理容器内；第一成膜工序，通过由在所述处理容器内生成的等离子体活性化后的所述第一混合气体，以覆盖所述元件的方式使第一密封膜成膜；第二供给工序，将不包含含有卤素的气体以及具有电负性比氮强的官能团的气体的任一个而包含含有硅的气体的第二混合气体供给至所述处理容器内；第二成膜工序，通过由在所述处理容器内生成的等离子体活性化后的所述第二混合气体，以覆盖所述第一成膜工序中成膜的所述第一密封膜的方式使第二密封膜成膜；第三供给工序，将氢气供给至所述处理容器内；以及第一等离子体处理工序，通过在所述处理容器内生成的氢气的等离子体，对在所述第二成膜工序中成膜的所述第二密封膜的表面进行等离子体处理。2.根据权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在所述第二成膜工序与所述第三供给工序之间还包括对所述处理容器内的气体进行排气的排气工序，所述第二密封膜的表面在所述第二成膜工序后不暴露于大气，在所述第一等离子体处理工序中，所述第二密封膜的表面由氢气的等离子体进行等离子体处理。3.根据权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，在所述第三供给工序中，将含有氢气和稀有气体的第三混合气体供给至所述处理容器内，在所述第一等离子体处理工序中，通过在所述处理容器内生成的所述第三混合气体的等离子体，将所述第二密封膜的表面进行等离子体处理。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一混合气体中包含：含有氮的气体、含有硅的气体以及含有氟的气体。5.根据权利要求4所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一混合气体中，所述含有氮的气体的流量相对于所述含有硅的气体的流量之比为0.8～1.1的范围内，所述含有氟的气体的流量相对于所述含有硅的气体的流量之比为0.1～0.4的范围。6.根据权利要求4或5所述的成膜方法，其特征在于，所述含有氮的气体是N2气体或者NH3气体，所述含有硅的气体是SiH4气体，所述含有氟的气体是SiF4气体或者SiHxF4-x气体，其中x是1～3的整数。7.根据权利要求1～3中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，所述含有卤素的气体是SiCl4气体、SiHxCl4-x气体或者SiHxFyClz气体的任一种，在为SiHxCl4-x气体时，x是1～3的整数，在为SiHxFyClz气体时，x、y以及z是满足x+y+z＝4的自然数。8.根据权利要求1～7中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一混合气体中作为所述含有卤素的气体而包含含有氟的气体，所述第一密封膜中的氟的浓度为10atom％以下。9.根据权利要求1～3或7中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，在所述第一混合气体中作为所述含有卤素的气体而包含含有氯的气体，所述第一密封膜中的氯的浓度为10atom％以下。10.根据权利要求1～9中的任一项所述的成膜方法，其特征在于，所述第二密封膜的厚度为所述第一密封膜的厚度的2～4倍的范围内。11.根据权利要求1～10中的任一项所述的成膜方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田一希，加藤大辉，大内健次，松崎和爱，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP