基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
本专利技术涉及基板处理方法和基板处理装置。
技术介绍
当前，在对基板(例如半导体晶圆)进行微细加工来制造半导体器件时，一般广泛地进行使用光刻技术而在基板上形成凹凸图案(例如抗蚀剂图案)的工序。在半导体晶圆上形成抗蚀剂图案的工序包括例如在晶圆的表面形成抗蚀剂膜(涂敷膜)的抗蚀剂膜形成处理、按照预定的图案对该抗蚀剂膜进行曝光的曝光处理、以及使曝光后的抗蚀剂膜和显影液反应而进行显影的显影处理。在抗蚀剂膜形成处理中，一般而言，可采用使晶圆旋转、同时向晶圆的表面滴下抗蚀剂液的旋涂法。因此，通常在晶圆的表面整体形成抗蚀剂膜。然而，若利用输送臂输送这样的晶圆W，在输送臂把持晶圆W的周缘之际抗蚀剂膜附着于输送臂。在该情况下，后续的晶圆可能被附着到输送臂的抗蚀剂膜的残渣污染。因此，有时进行将存在于晶圆的周缘区域的抗蚀剂膜去除的周缘去除处理。专利文献1公开了一种方法(边缘冲洗处理)作为周缘去除处理的一个例子，在该方法中，在抗蚀剂膜形成于晶圆的表面之后，使晶圆旋转、同时向抗蚀剂膜(固化膜)中的位于晶圆的周缘区域的部分(抗蚀剂膜的周缘部)供给有机溶剂，从而将抗...
【技术保护点】
一种基板处理方法，其包括：第1工序，在该第1工序中，在翘曲量已知的基准基板的周缘整周上利用照相机对所述基准基板的端面进行拍摄；第2工序，在该第2工序中，对在所述第1工序中获得的拍摄图像进行图像处理，在所述基准基板的周缘整周上取得所述基准基板的端面的形状数据；第3工序，在该第3工序中，在被处理基板的周缘整周上利用照相机对所述被处理基板的端面进行拍摄；第4工序，在该第4工序中，对在所述第3工序获得的拍摄图像进行图像处理，在所述被处理基板的周缘整周上取得所述被处理基板的端面的形状数据；第5工序，在该第5工序中，基于在所述第2工序中取得的形状数据和在所述第4工序中取得的形状数据对所...
【技术特征摘要】
2016.02.22 JP 2016-0313691.一种基板处理方法，其包括：第1工序，在该第1工序中，在翘曲量已知的基准基板的周缘整周上利用照相机对所述基准基板的端面进行拍摄；第2工序，在该第2工序中，对在所述第1工序中获得的拍摄图像进行图像处理，在所述基准基板的周缘整周上取得所述基准基板的端面的形状数据；第3工序，在该第3工序中，在被处理基板的周缘整周上利用照相机对所述被处理基板的端面进行拍摄；第4工序，在该第4工序中，对在所述第3工序获得的拍摄图像进行图像处理，在所述被处理基板的周缘整周上取得所述被处理基板的端面的形状数据；第5工序，在该第5工序中，基于在所述第2工序中取得的形状数据和在所述第4工序中取得的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算；第6工序，在该第6工序中，向所述被处理基板的表面供给涂敷液而形成涂敷膜；第7工序，在该第7工序中，基于在所述第5工序中计算出的所述翘曲量来决定有机溶剂相对于所述涂敷膜的周缘部的供给位置，利用从该供给位置供给的有机溶剂使该周缘部溶解而从所述被处理基板上去除。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，该基板处理方法还包括周缘曝光工序，该周缘曝光工序在所述第7工序之后，在该周缘曝光工序中，在所述被处理基板的周缘的整周以预定的曝光宽度对所述被处理基板的表面上的所述涂敷膜的位于周缘区域的部分进行曝光，在所述周缘曝光工序中，基于在所述第5工序中计算出的所述翘曲量来决定所述曝光宽度。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，该基板处理方法还包括：第8工序，其在所述第7工序之后，在该第8工序中，对所述涂敷膜进行加热；第9工序，其在所述第8工序之后，在该第9工序中，在所述被处理基板的周缘整周上利用照相机对所述被处理基板的端面进行拍摄；第10工序，在该第10工序中，对在所述第9工序中获得的拍摄图像进行图像处理，在所述被处理基板的周缘整周上取得所述被处理基板的端面的形状数据；第11工序，在该第11工序中，基于在所述第2工序中取得的形状数据和在所述第10工序中取得的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算，于在所述第11工序中计算出的所述翘曲量比预定的阈值大的情况下，不对所述被处理基板进行曝光处理。4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，该基板处理方法还包括：第8工序，其在所述第7工序之后，在该第8工序中，对所述涂敷膜进行加热；第9工序，其在所述第8工序之后，在该第9工序中，在所述被处理基板的周缘整周上利用照相机对所述被处理基板的端面进行拍摄；第10工序，在该第10工序中，对在所述第9工序中获得的拍摄图像进行图像处理，在所述被处理基板的周缘整周上取得所述被处理基板的端面的形状数据；第11工序，在该第11工序中，基于在所述第2工序中取得的形状数据和在所述第10工序中取得的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算，周缘曝光工序，其在所述第9工序之后，在该周缘曝光工序中，在所述被处理基板的周缘的整周以预定的曝光宽度对所述被处理基板的表面上的所述涂敷膜的位于周缘区域的部分进行曝光，在所述周缘曝光工序中，基于在所述第11工序中计算出的所述翘曲量来决定所述曝光宽度。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，于在所述第11工序中计算出的所述翘曲量比预定的阈值大的情况下，不对所述被处理基板进行曝光处理。6.一种基板处理方法，该基板处理方法包括：第1工序，在该第1工序中，在翘曲量已知的基准基板的周缘整周上利用照相机对所述基准基板的端面进行拍摄；第2工序，在该第2工序中，对在所述第1工序中获得的拍摄图像进行图像处理，在所述基准基板的周缘整周上取得所述基准基板的端面的形状数据；第3工序，在该第3工序中，在被处理基板的周缘整周上利用照相机对所述被处理基板的端面进行拍摄；第4工序，在该第4工序中，对在所述第3工序获得的拍摄图像进行图像处理，在所述被处理基板的周缘整周上取得所述被处理基板的端面的形状数据；第5工序，在该第5工序中，基于在所述第2工序取得的形状数据和在所述第4工序取得的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算；第6工序，在该第6工序中，向所述被处理基板的表面供给涂敷液而形成涂敷膜；以及周缘曝光工序，在该周缘曝光工序中，在所述被处理基板的周缘的整周上以预定的曝光宽度对所述被处理基板的表面上的所述涂敷膜的位于周缘区域的部分进行曝光，在所述周缘曝光工序中，基于在所述第5工序中计算出的所述翘曲量来决定所述曝光宽度。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，该基板处理方法还包括第7工序，该第7工序在所述第6工序之后，在该第7工序中，对所述涂敷膜进行加热，所述第3工序～所述第5工序在所述第7工序之后进行。8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，于在所述第5工序中计算出的所述翘曲量比预定的阈值大的情况下，不对所述被处理基板进行曝光处理。9.根据权利要求1、2、4～8中任一项所述的基板处理方法，其中，所述基准基板是平坦的，在所述第2工序中取得的形状数据是穿过所述基准基板的端面的中央的第1轮廓线的数据，在所述第4工序中取得的形状数据是穿过所述被处理基板的端面的中央的第2轮廓线的数据，在所述第5工序中，基于第1轮廓线的数据和所述第2轮廓线的数据对所述被处理基板的所述翘曲量进行计算。10.根据权利要求1、2、4～8中任一项所述的基板处理方法，其中，该基板处理方法还包括：周缘表面的拍摄工序，在该周缘表面的拍摄工序中，利用照相机对所述被处理基板的表面上的周缘区域进行拍摄；检查工序，在该检查工序中，对在所述第4工序拍摄到的拍摄图像进行图像处理而对所述被处理基板的端面的状态进行检查，并且，对在所述周缘表面的拍摄工序中拍摄到的拍摄图像进行图像处理而对所述被处理基板的表面上的周缘区域的状态进行检查。11.一种基板处理装置，其具备：涂敷液供给部，其构成为向被处理基板的表面供给涂敷液；溶剂供给部，其构成为向所述被处理基板的表面供给第1有机溶剂和第2有机溶剂；第1旋转保持部，其构成为保持所述被处理基板并使所述被处理基板旋转；至少一个照相机；以及控制部，所述控制部执行如下处理：第1处理，在该第1处理中，在翘曲量已知的基准基板的周缘整周上利用所述至少一个照相机对所述基准基板的端面进行拍摄；第2处理，在该第2处理中，对在所述第1处理中获得的拍摄图像进行图像处理，在所述基准基板的周缘整周上取得所述基准基板的端面的形状数据；第3处理，在该第3处理中，在所述被处理基板的周缘整周上利用所述至少一个照相机对所述被处理基板的端面进行拍摄；第4处理，在该第4处理中，对在所述第3处理中获得的拍摄图像进行图像处理，在所述被处理基板的周缘整周上取得所述被处理基板的端面的形状数据；第5处理，在该第5处理中，基于在所述第2处理中取得的形状数据和在所述第4处理中取得的形状数据对所述被处理基板的翘曲量进行计算；第6处理，在该第6处理中，对所述涂敷液供给部和所述第1旋转保持部进行控制，通过向旋转中的所述被处理基板的表面供给涂敷液而形成涂敷膜；第7处理，在该第7处理中，对所述溶剂供给部和所述第1旋转保持部进行控制，基于在所述第5处理中计算出的所述翘曲量来决定有机溶剂相对于所述涂敷膜的周缘部的供给位置，利用从该供给位置供给的有机溶剂使该周缘部溶解而从旋转中的所述被处理基板上去除。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，该基板处理装置还具备构成为向所述被处理基板的表面上的周缘区域照射能量线的照射部，所述控制部还执行周缘曝光处理，该周缘曝光处理在所述第7处理之后，在该周缘曝光处理中，对所述照射部进行控制，在所述被处理基板的周缘的整周上以预定的曝光宽度对所述被处理基板的表面上的所述涂敷膜的位于周缘区...
【专利技术属性】
技术研发人员：野田康朗，西山直，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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