东京毅力科创株式会社专利技术

东京毅力科创株式会社共有7373项专利

  • 检查装置、检查方法和功能液排出装置
    本发明提供一种检查装置,其能够基于利用功能液滴的拍摄结果的功能液的排出状态的检查结果适当校正功能液的排出条件。检查装置(1)检查来自喷嘴的功能液的排出状态。检查装置(1)包括拍摄由从喷嘴排出的功能液在检查片(20)上形成的多个液滴(21...
  • 基板液处理装置、容器清洗方法以及存储介质
    本发明提供高效地清洗容器的内壁面的基板液处理装置、容器清洗方法以及存储介质。该基板液处理装置具备:容器(102、102A),其贮存处理液;循环线(104),其与容器连接,供从容器出来并返回容器的处理液的循环流流动;处理单元(16),其通...
  • 凹部的填埋方法
    提供能够在微细的凹部不产生空隙、缝地填入氮化膜的凹部的填埋方法。重复进行成膜原料气体吸附工序和氮化工序从而在凹部内形成氮化膜而填埋凹部,所述成膜原料气体吸附工序:使表面形成有凹部的被处理基板吸附含有想要成膜的氮化膜的构成元素的成膜原料气...
  • 等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质
    本发明提供了一种在从由对除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成的载置台使被处理基板上升期间中形成除电气体的等离子体时,降低该等离子体对载置台的影响的技术。等离子体处理装置(1)将被处理基板(G)保持在设置于处理容器(10)内的载置台(2...
  • 等离子体处理装置以及等离子体处理方法
    提供一种不扩大离子能的分布地控制离子能、在低压且低等离子体密度的环境下稳定地维持等离子体的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。等离子体处理装置(10)具有处理容器(12)、载波群生成部(62)以及下部电极(LE)。载波群生成部(62)...
  • 基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质
    提供一种基板清洗方法、基板清洗系统以及存储介质。不会对由与水发生反应而发生溶解或腐蚀的材料形成的基板的表面产生影响地将附着于基板的异物去除。实施方式所涉及的基板清洗方法包括以下工序:成膜处理液供给工序,向基板供给含有挥发成分且用于在基板...
  • 基板保持方法、基板保持装置、处理方法和处理装置
    在平台(7)的保持面(7a)设有用于吸附晶圆(W)的微细的吸引槽(7b)。吸引槽(7b)例如被划分为9个吸引区域(61A~61I)。吸引区域(61I)用于吸附圆形的晶圆(W)的中央部分。吸引区域(61A、61B、61C、61D、61E、...
  • 气化器、成膜装置和温度控制方法
    本发明提供一种气化器。气化器具有:气液混合部,其将含有原料的溶液与载气混合;喷嘴,其喷射利用气液混合部混合的含有原料的溶液;气化室,其将利用喷嘴喷射的含有原料的溶液气化;第1温度调整机构,其调整气化室的温度;第2温度调整机构,其调整气液...
  • 蚀刻被蚀刻层的方法
    本发明提供一种蚀刻被蚀刻层的方法。在本发明的一实施方式的方法中,在吸附工序中,对下部电极不施加高频偏压而使由处理气体生成的自由基吸附于被蚀刻层。在接下来的蚀刻工序中,对下部电极施加高频偏压,并将由处理气体生成的离子引入被蚀刻层。吸附工序...
  • 用于原子层蚀刻的方法
    一种对衬底上的层进行蚀刻的方法包括:将衬底设置在被配置成便于蚀刻过程的等离子体处理系统中(112);执行原子层蚀刻过程循环以对衬底的露出表面的单层进行蚀刻(114至117);以及重复原子层蚀刻过程循环,直到达到目标深度(120)。每个过...
  • 包括对准不良误差保护的图案化方法
    本文的基底图案化技术保护免于重叠对准不良。技术包括使用浮雕图案的组合,其中一个浮雕图案包括填充有特定光致抗蚀剂的开口并且这些开口的宽度不足以使得波长大于预定阈值波长的电磁辐射能够波传播。因此,大于一定波长的光化辐射不会影响这些相对小开口...
  • 涂敷处理方法、计算机可读存储介质和涂敷处理装置
    在基板上涂敷涂敷液的涂敷处理方法,包括:在基板的中央部利用溶剂形成第1液膜,在基板的外周部利用该溶剂形成膜厚比第1液膜厚的环状的第2液膜的溶剂液膜形成步骤;一边使基板以第1转速旋转,一边对基板的中心部供给涂敷液的涂敷液供给步骤;和一边供...
  • 基板处理系统、基板处理方法和空穴注入层形成装置
    本发明涉及一种以使用喷墨方式的成膜法在基板上形成有机发光二极管的有机层的基板处理系统,在维持各颜色良好的发光特性的同时,延长蓝色光的点亮寿命。基板处理系统(100)包括:以第1烧制温度在基板上形成红色用和绿色用的空穴注入层的第1空穴注入...
  • 等离子体处理方法
    等离子体处理装置的等离子体处理方法目的在于在容许范围内降低倾斜角度的变化量。该等离子体处理装置包括:可真空排气的处理容器;载置被处理基板的下部电极;配置于下部电极周围的聚焦环;与下部电极相对设置的内侧上部电极;与内侧上部电极电绝缘且配置...
  • 集电环、支承机构以及等离子体处理装置
    一实施方式的集电环具备:导电性的转子,其能绕旋转轴线旋转;导电性的定子,其与转子同轴地设置;导电性的球体,其配置于转子与定子之间,形成转子与定子之间的电气路径;导电性的螺旋弹簧,其设于转子和定子中的一者与球体之间,相对于旋转轴线沿着周向...
  • 等离子体处理装置
    本发明提供一种入射到配置在电极之上的被加工物的离子的能量的可调整范围广的等离子体处理装置。一实施方式的电容耦合型的等离子体处理装置包括变压器和阻抗调整电路。变压器包括一次线圈、第1二次线圈和第2二次线圈。一次线圈与高频电源经匹配器连接。...
  • 使用发色团和曝光除去聚合物
    本发明涉及使用发色团和曝光除去聚合物。一种用于处理基底的方法,其包括接收在基底的表面上具有氟化聚合物残余物的基底。处理氟化聚合物残余物以提供对电磁(EM)辐射暴露敏感度增加的经处理的氟化聚合物残余物。将经处理的氟化聚合物残余物在含氧环境...
  • 等离子体处理装置和气体导入机构
    本发明提供能够使处理气体在与气体的特性对应的适当的解离状态下解离的、且能够兼顾处理气体的导入均匀性和所需的等离子体均匀性的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括:腔室(1)、载置晶片的载置台(11)、经由顶壁(10)向腔室内导入微波的等...
  • 等离子体处理装置
    本发明的技术课题是提高对等离子体处理装置的多个腔室用的电极供电的效率。一实施方式的等离子体处理装置提供多个腔室。多个上部电极分别设置在多个腔室内的空间之上。多个下部电极分别设置在多个腔室内的空间之下。变压器具有一次线圈和多个二次线圈。一...
  • 变压器、等离子体处理装置和等离子体处理方法
    一种变压器、等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明提供一种变压器。一实施方式的变压器包括旋转轴、第一线圈、第二线圈和第三线圈。旋转轴构成为能够以其中心轴线为旋转轴线进行旋转。第一线圈是一次侧的线圈,围绕与旋转轴的中心轴线正交的第一轴...