等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种在从由对除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成的载置台使被处理基板上升期间中形成除电气体的等离子体时，降低该等离子体对载置台的影响的技术。等离子体处理装置(1)将被处理基板(G)保持在设置于处理容器(10)内的载置台(2)的静电卡盘(22)上，利用等离子化了的处理气体进行等离子体处理。在使完成等离子体处理的被处理基板从载置台上升移动期间中，使用除电气体的等离子体对被处理基板进行除电时，为了抑制附着在处理容器的副产物与除电气体的等离子体的反应成分进入被处理基板的下方侧，向载置台与被处理基板夹着的空间供给进入抑制气体。另外，该载置台由对除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成。

Plasma treatment device, plasma treatment method and storage medium

The invention provides a technology to reduce the influence of the plasma on the loading stage when the plasma of the electric discharge gas is formed during the rising of the treated substrate during the rising stage of the substrate which is made up of the material which is corrosion-resistant to the plasma of the electric discharge gas. The plasma treatment device (1) maintains the treated substrate (G) on the electrostatic chuck (22) of the loading platform (2) disposed in the processing container (10), and uses plasma treated gas to conduct plasma treatment. In the complete plasma treated substrate from the loading station during the rise of mobile, in addition to when the substrate is processed using plasma in addition to electric gas, reaction components in order to inhibit the attachment of by-products in handling the containers and removal of electric gas plasma into the lower side is at the base to the table board. With the space supply substrate sandwiched by processing into gas suppression. In addition, the carrier is made up of materials with corrosion resistance to the plasma of the electric gas.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质
本专利技术涉及一种利用等离子化了的处理气体进行被处理基板的等离子体处理的技术。
技术介绍
在液晶显示装置(LCD)等的平板显示器(FPD)的制造步骤中，存在向作为被处理基板的玻璃基板供给等离子化了的处理气体，进行蚀刻处理或成膜处理等的等离子体处理的步骤。例如在将玻璃基板吸附保持于设置在形成为真空气氛的处理容器内的载置台的静电卡盘上的状态下实施等离子体处理。完成了等离子体处理的玻璃基板，在解除吸附保持状态并被向载置台的上方侧搬送后，从处理容器被搬出。此处，有时通过在使等离子体处理后的玻璃基板上升移动时向处理容器内供给氧气等除电气体进行等离子体化，来进行静电卡盘的除电等。另一方面，在玻璃基板的上升移动期间中，因为载置台的上表面没有被玻璃基板覆盖(没有载置玻璃基板)，所以有受到等离子体到达载置台所产生的不良影响的危险。此处在专利文献1中记载了用作为树脂的聚酰亚胺制耐蚀膜覆盖因与作为除电气体的氧气的等离子体的接触而易于腐蚀的碳制载置台的技术。以高精度地对等离子体处理中的玻璃基板进行温度调节为目的，在该载置台的上表面开口有多个用于向玻璃基板的背面供本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其用于利用等离子化了的处理气体对被处理基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器，其用于对被处理基板进行等离子体处理，在内壁面附着所述等离子体处理时生成的副产物；载置台，其设置在所述处理容器内，具有用于在吸附保持所述被处理基板的静电卡盘上的吸附保持位置与该吸附保持位置的上方侧的位置之间进行被处理基板的升降搬送的升降机构；除电气体供给部，其用于向所述处理容器内供给对被处理基板进行除电的除电气体；等离子体形成部，其用于在使所述被处理基板上升期间中形成所述除电气体的等离子体；和进入抑制气体供给部，在使所述被处理基板上升期间中，为了抑制附着在所述处理容器...

【技术特征摘要】
2016.05.31 JP 2016-1088231.一种等离子体处理装置，其用于利用等离子化了的处理气体对被处理基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器，其用于对被处理基板进行等离子体处理，在内壁面附着所述等离子体处理时生成的副产物；载置台，其设置在所述处理容器内，具有用于在吸附保持所述被处理基板的静电卡盘上的吸附保持位置与该吸附保持位置的上方侧的位置之间进行被处理基板的升降搬送的升降机构；除电气体供给部，其用于向所述处理容器内供给对被处理基板进行除电的除电气体；等离子体形成部，其用于在使所述被处理基板上升期间中形成所述除电气体的等离子体；和进入抑制气体供给部，在使所述被处理基板上升期间中，为了抑制附着在所述处理容器的副产物与除电气体的等离子体的反应成分进入所述被处理基板的下方侧，向由所述载置台和被处理基板夹着的空间供给进入抑制气体，所述载置台由对所述除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述进入抑制气体的分子量比所述除电气体的分子量大。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述处理气体包括与被处理基板作用的作用气体和用于稀释所述作用气体的稀释气体，使用稀释气体作为所述除电气体。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理是对形成于被处理基板的被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻处理，所述作用气体是对所述被蚀刻膜具有蚀刻作用的蚀刻气体。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述进入抑制气体是蚀刻气体。6.如权利要求1～5中任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，对所述除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料是金属材料。7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述金属材料形成有钝化膜。8.如权利要求1～7中任意一项所述的等离子体处理装...

【专利技术属性】
技术研发人员：山涌纯，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP