等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种在从由对除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成的载置台使被处理基板上升期间中形成除电气体的等离子体时，降低该等离子体对载置台的影响的技术。等离子体处理装置(1)将被处理基板(G)保持在设置于处理容器(10)内的载置台(2)的静电卡盘(22)上，利用等离子化了的处理气体进行等离子体处理。在使完成等离子体处理的被处理基板从载置台上升移动期间中，使用除电气体的等离子体对被处理基板进行除电时，为了抑制附着在处理容器的副产物与除电气体的等离子体的反应成分进入被处理基板的下方侧，向载置台与被处理基板夹着的空间供给进入抑制气体。另外，该载置台由对除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成。

Plasma treatment device, plasma treatment method and storage medium

The invention provides a technology to reduce the influence of the plasma on the loading stage when the plasma of the electric discharge gas is formed during the rising of the treated substrate during the rising stage of the substrate which is made up of the material which is corrosion-resistant to the plasma of the electric discharge gas. The plasma treatment device (1) maintains the treated substrate (G) on the electrostatic chuck (22) of the loading platform (2) disposed in the processing container (10), and uses plasma treated gas to conduct plasma treatment. In the complete plasma treated substrate from the loading station during the rise of mobile, in addition to when the substrate is processed using plasma in addition to electric gas, reaction components in order to inhibit the attachment of by-products in handling the containers and removal of electric gas plasma into the lower side is at the base to the table board. With the space supply substrate sandwiched by processing into gas suppression. In addition, the carrier is made up of materials with corrosion resistance to the plasma of the electric gas.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质
本专利技术涉及一种利用等离子化了的处理气体进行被处理基板的等离子体处理的技术。
技术介绍
在液晶显示装置(LCD)等的平板显示器(FPD)的制造步骤中，存在向作为被处理基板的玻璃基板供给等离子化了的处理气体，进行蚀刻处理或成膜处理等的等离子体处理的步骤。例如在将玻璃基板吸附保持于设置在形成为真空气氛的处理容器内的载置台的静电卡盘上的状态下实施等离子体处理。完成了等离子体处理的玻璃基板，在解除吸附保持状态并被向载置台的上方侧搬送后，从处理容器被搬出。此处，有时通过在使等离子体处理后的玻璃基板上升移动时向处理容器内供给氧气等除电气体进行等离子体化，来进行静电卡盘的除电等。另一方面，在玻璃基板的上升移动期间中，因为载置台的上表面没有被玻璃基板覆盖(没有载置玻璃基板)，所以有受到等离子体到达载置台所产生的不良影响的危险。此处在专利文献1中记载了用作为树脂的聚酰亚胺制耐蚀膜覆盖因与作为除电气体的氧气的等离子体的接触而易于腐蚀的碳制载置台的技术。以高精度地对等离子体处理中的玻璃基板进行温度调节为目的，在该载置台的上表面开口有多个用于向玻璃基板的背面供给热传递气体(例如氦气)的气体供给孔。虽然各气体供给孔的内表面被上述耐蚀膜覆盖，但是由于树脂制的耐蚀膜长时间地暴露于等离子体所以腐蚀逐步发展。关于此点，在专利文献1中记载了在玻璃基板的上升移动期间从气体供给孔排出氦气等不活泼气体，由此阻止等离子体进入该气体供给孔内，抑制由耐蚀膜覆盖的气体供给孔的内壁面的腐蚀的发展的技术。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4493863号公报第0007、0034、0038～0039段、图4
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题与上述专利文献1中记载的技术不同，在由与碳或树脂制的耐蚀膜相比对除电气体等离子体耐蚀性高、不需要采取防止腐蚀的对策的材料构成的载置台中，从降低成本的观点出发，不需要在玻璃基板的上升移动期间中进行以防止腐蚀为目的的不活泼气体排出。另外，在专利文献1中没有任何有关在玻璃基板移动期间载置台暴露于除电气体等离子体所产生的腐蚀以外的不良影响的记载。本专利技术是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种当使被处理基板从载置台上升移动的上升期间中形成除电气体的等离子体时，降低该等离子体对载置台的影响的技术，该载置台由对除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的等离子体处理装置，其利用等离子化了的处理气体对被处理基板进行等离子体处理，上述等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器，其用于对被处理基板进行等离子体处理，在内壁面附着上述等离子体处理时生成的副产物；载置台，其设置在上述处理容器内，具有用于在吸附保持上述被处理基板的静电卡盘上的吸附保持位置和该吸附保持位置的上方侧位置之间进行被处理基板的升降搬送的升降机构；除电气体供给部，其用于向上述处理容器内供给进行被处理基板的除电的除电气体；等离子体形成部，其用于在使上述被处理基板上升的期间中形成上述除电气体的等离子体；和进入抑制气体供给部，其在使上述被处理基板上升的期间中，为了抑制附着于上述处理容器的副产物与除电气体的等离子体的反应成分进入上述被处理基板的下方侧，向由上述载置台与被处理基板夹着的空间供给进入抑制气体，上述载置台由对上述除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成。专利技术效果本专利技术在等离子体处理后的被处理基板的上升移动期间中在处理容器内形成除电气体的等离子体时，向载置台与被处理基板之间的空间供给进入抑制气体。其结果是，因为能够抑制由除电气体的等离子体产生的反应成分进入被处理基板的下方侧，所以即使在载置台对除电气体的等离子体具有耐蚀性时，也能够抑制由于腐蚀以外的原因对载置台产生的不良影响。附图说明图1是实施方式的等离子体处理装置的纵剖侧视图。图2是对于上述等离子体处理装置的气体供给系统的说明图。图3是表示蚀刻气体和稀释气体的混合比率与蚀刻速度的关系的示意图。图4是上述等离子体处理装置的第1整体作用图。图5是上述等离子体处理装置的第1扩大作用图。图6是上述等离子体处理装置的第2整体作用图。图7是上述等离子体处理装置的第2扩大作用图。附图标记说明G基板1等离子体处理装置2载置台212气体供给路径22静电卡盘23升降销31喷头41稀释气体供给部42蚀刻气体供给部43热传递气体供给部5高频天线6控制部7堆积层71反应成分。具体实施方式以下参照图1、图2对本专利技术的实施方式的等离子体处理装置1的构成进行说明。本实施例的等离子体处理装置1构成为，在作为被处理基板的矩形玻璃基板、例如FPD用玻璃基板(以下仅称“基板”)G上形成例如薄膜晶体管时，向形成于基板G表面的金属膜、ITO膜、氧化膜等被蚀刻膜供给被等离子体化的处理气体，实施蚀刻处理的蚀刻处理装置。此处，作为FPD，示例有液晶显示器(LCD)、电致发光(ElectroLuminescence；EL)显示器、等离子体显示面板(PDP)等。如图1的纵截面侧视图所示，等离子体处理装置1包括由导电性材料例如由内壁面经过了耐酸铝处理的铝构成的角筒形状的容器主体10，容器主体10电接地。在容器主体10的上表面形成有开口，该开口被顶板部11气密地封闭。该容器主体10和顶板部11相当于本实施例的等离子体处理装置1的处理容器，由该容器主体10和顶板部11围成的空间成为基板G的处理空间100。另外，在容器主体10的侧壁设置有用于搬入搬出基板G的搬入搬出口101和打开和关闭搬入搬出口101的闸阀102。在处理空间100的下部侧，以与上述顶板部11对置的方式设置有用于载置基板G的载置台2。载置台2包括由导电性金属材料、例如表面经过耐酸铝处理的铝构成的载置台主体21。载置台主体21的上表面设置有在例如氧化钇等的陶瓷层内配置未图示的卡盘电极而形成的静电卡盘22，能够通过供给或切断来自直流电源(未图示)的电力来切换基板G的吸附保持、解除。载置台主体21收纳于绝缘体框24内，经由该绝缘体框24设置于容器主体10的底面。另外，为了在与经由搬入搬出口101进入处理空间100内的外部的基板搬送机构(未图示)间进行基板G的交接，载置台2包括用于在静电卡盘22上的吸附保持位置与该吸附保持位置的上方侧的交接位置之间进行基板G的升降搬送的4根以上(本实施方式中为4根)的升降销23。各升降销23以在上下方向贯通载置台主体21和容器主体10的底板的方式设置，这些升降销23的下端部与设置在容器主体10外部的共用的升降板231连接。升降板231进一步与驱动部232连接，使用该驱动部232升降升降板231，使升降销23的上端突出或隐没于静电卡盘22，由此在吸附保持位置与交接位置间实施基板G的升降搬送。此外，在各升降销23贯通的容器主体10的底板与升降板231之间设置有波纹管233，保持了容器主体10(处理空间100)内的气密。升降销23、升降板231、驱动部232相当于本实施例的升降机构。载置台2(载置台主体21)经由匹配器251与第2高频电源252连接。第2高频电源252向载置台2施加偏压用高频电力，例如频率是3.2MHz的高频电力。利用由该偏压用高频电力生成的自偏压(selfbias)能够向基板G引入在处理空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其用于利用等离子化了的处理气体对被处理基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器，其用于对被处理基板进行等离子体处理，在内壁面附着所述等离子体处理时生成的副产物；载置台，其设置在所述处理容器内，具有用于在吸附保持所述被处理基板的静电卡盘上的吸附保持位置与该吸附保持位置的上方侧的位置之间进行被处理基板的升降搬送的升降机构；除电气体供给部，其用于向所述处理容器内供给对被处理基板进行除电的除电气体；等离子体形成部，其用于在使所述被处理基板上升期间中形成所述除电气体的等离子体；和进入抑制气体供给部，在使所述被处理基板上升期间中，为了抑制附着在所述处理容器的副产物与除电气体的等离子体的反应成分进入所述被处理基板的下方侧，向由所述载置台和被处理基板夹着的空间供给进入抑制气体，所述载置台由对所述除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成。

【技术特征摘要】
2016.05.31 JP 2016-1088231.一种等离子体处理装置，其用于利用等离子化了的处理气体对被处理基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器，其用于对被处理基板进行等离子体处理，在内壁面附着所述等离子体处理时生成的副产物；载置台，其设置在所述处理容器内，具有用于在吸附保持所述被处理基板的静电卡盘上的吸附保持位置与该吸附保持位置的上方侧的位置之间进行被处理基板的升降搬送的升降机构；除电气体供给部，其用于向所述处理容器内供给对被处理基板进行除电的除电气体；等离子体形成部，其用于在使所述被处理基板上升期间中形成所述除电气体的等离子体；和进入抑制气体供给部，在使所述被处理基板上升期间中，为了抑制附着在所述处理容器的副产物与除电气体的等离子体的反应成分进入所述被处理基板的下方侧，向由所述载置台和被处理基板夹着的空间供给进入抑制气体，所述载置台由对所述除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料构成。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述进入抑制气体的分子量比所述除电气体的分子量大。3.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述处理气体包括与被处理基板作用的作用气体和用于稀释所述作用气体的稀释气体，使用稀释气体作为所述除电气体。4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理是对形成于被处理基板的被蚀刻膜进行蚀刻的蚀刻处理，所述作用气体是对所述被蚀刻膜具有蚀刻作用的蚀刻气体。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述进入抑制气体是蚀刻气体。6.如权利要求1～5中任意一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，对所述除电气体的等离子体具有耐蚀性的材料是金属材料。7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述金属材料形成有钝化膜。8.如权利要求1～7中任意一项所述的等离子体处理装...

【专利技术属性】
技术研发人员：山涌纯，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP