基板处理方法技术

本发明专利技术提出一种基板处理方法，其包含：准备在一面形成有第一膜及汽缸孔的基板；将基板安置于腔室内部，腔室内部具备可分别以等离子体状态供给多个气体的多个簇射头；利用多个簇射头在第一膜的一面及汽缸孔的内部面形成第二膜；对利用多个簇射头形成在汽缸孔的入口部的第二膜的一部分进行蚀刻；及依序反复进行多次形成第二膜的过程与对第二膜的一部分进行蚀刻而对第二膜的厚度进行控制；且在制造汽缸结构的电容器时，可在使基板与簇射头间的间隔变窄的状态下，将制程气体的等离子体均匀地扩散到基板上，顺利地去除形成在汽缸孔的入口部的薄膜的突出物。

Substrate treatment method

The invention provides a substrate processing method, which comprises: a first substrate for membrane and cylinder hole in the side of the substrate; placed in the interior of the chamber, the interior of the chamber are provided with a plurality of shower head plasma state supply more gas; second film forming internal face and cylinder bore using a plurality of shower head in the first film; forming part of a second film in the cylinder hole entrance of using a plurality of shower head are etched; and sequentially repeated second times to form a process of film is etched with a part of the second film and the second film thickness control; and the capacitor manufacturing cylinder structure when in the narrow gap between the substrate and the shower head of the state, the plasma of the process gas evenly spread onto the substrate, successfully removing formed in the cylinder bore entrance Department The protruding of the film.

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法
本专利技术涉及一种基板处理方法，更详细而言，涉及一种在制造汽缸结构的电容器时，可在使基板与簇射头间的间隔变窄的状态下，将制程气体的等离子体均匀地扩散到基板上，顺利地去除形成在汽缸孔的入口部的突出物的基板处理方法。
技术介绍
随着动态随机存取存储器(DRAM)的设计规则(DesignRule)逐渐变小而单元大小(Cellsize)减小，电容器(Capacitor)的面积缩小。跟随这种趋势，为了确保元件进行动作所需的电容器的电容而电容器的结构朝向增加电容器的下部电极有效表面积的方向进行改善。此时，在利用下部电极的两面而可具有增加有效表面积的效果的电容器的经改善的结构中具有三维汽缸结构。另一方面，原子层沉积制程(AtomicLayerDepositionprocess，ALDprocess)是将多个反应物、例如制程气体依序供给到基板而形成薄膜的制程。在通过原子层沉积制程而在基板形成薄膜的情况下，可防止因气相反应引起的污染，通过原子层沉积制程而形成在基板的薄膜的物理特性及电特性非常优异。并且，通过原子层沉积制程，能够以非常薄的厚度将膜质优异的薄膜精确地形成在基板。因此，在制造所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其特征在于，包括：准备在一面形成有第一膜及汽缸孔的基板；将所述基板安置于具备分别以等离子体状态供给多个气体的多个簇射头的腔室内部；利用所述多个簇射头在所述第一膜的一面及所述汽缸孔的内部面形成第二膜；以及对利用所述多个簇射头形成在所述汽缸孔的入口部的所述第二膜的一部分进行蚀刻。

【技术特征摘要】
2016.05.26 KR 10-2016-0064730;2016.05.26 KR 10-2011.一种基板处理方法，其特征在于，包括：准备在一面形成有第一膜及汽缸孔的基板；将所述基板安置于具备分别以等离子体状态供给多个气体的多个簇射头的腔室内部；利用所述多个簇射头在所述第一膜的一面及所述汽缸孔的内部面形成第二膜；以及对利用所述多个簇射头形成在所述汽缸孔的入口部的所述第二膜的一部分进行蚀刻。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在对所述第二膜的一部分进行蚀刻后，包含如下过程：依序反复进行多次形成所述第二膜的过程及对所述第二膜的一部分进行蚀刻的过程，以对所述第二膜的厚度进行控制。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于：所述第一膜包含含碳膜、含硅膜及石墨烯膜中的至少一种膜，所述汽缸孔的内部面包含含碳膜、含硅膜及石墨烯膜中的任一种膜。4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于：所述第二膜包含介电膜，形成在所述汽缸孔的入口部的所述第二膜的一部分包含所述第二膜的突出物。5.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，形成所述第二膜包含如下过程：对所述基板的温度进行控制；对安置有所述基板的腔室的内部压力进行控制；以及将用以形成所述第二膜的所述多个气体各自的等离子体供给到所述基板。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于：通过形成在所述多个簇射头的多个喷射孔而将所述多个气体各自的等离子体同时或依序供给到所述基板，所述多个气体各自的等离子体产生在所述腔室的外部或所述多个簇射头的内部。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于：所述多个喷射孔的出口部的面积小于所述多个喷射孔的入口部的面积。8.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，对所述第二膜的一部分进行蚀刻包含如下过程：对所述基板的温度进行控...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐映水，闵昔基，李埈爀，韩泳琪，卞亨锡，李奎尚，
申请(专利权)人：灿美工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR