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本发明提出一种基板处理方法，其包含：准备在一面形成有第一膜及汽缸孔的基板；将基板安置于腔室内部，腔室内部具备可分别以等离子体状态供给多个气体的多个簇射头；利用多个簇射头在第一膜的一面及汽缸孔的内部面形成第二膜；对利用多个簇射头形成在汽缸孔的...
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