位置精度检查方法、位置精度检查装置以及位置检查单元制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】位置精度检查方法、位置精度检查装置以及位置检查单元
本专利技术涉及用于检查对形成于半导体晶圆等被检查基板的半导体器件等被检查芯片进行接触式检查之际的接触位置的位置精度检查方法、位置精度检查装置以及位置检查单元。
技术介绍
作为对形成于作为被检查基板的一个例子的半导体晶圆(以下称为“晶圆”)的被检查芯片的一个例子即半导体器件的电特性进行检查的装置，公知有探针装置(以下称为“探针台”)。作为探针台的一个例子，公知有一种探针台，其包括：探针卡，其具有与形成于晶圆的多个半导体器件中的1个半导体器件接触的预定数量的探针(probe针)；载物台，其供晶圆载置而沿着上下左右自由地移动，通过使探针与半导体器件的电极极板、焊锡凸块接触，使检查电流从各探针向电极极板、焊锡凸块流动，从而对半导体器件的电特性进行检查(参照例如专利文献1)。在该专利文献1所所述的探针台中，通过使载物台二维地移动，变更与探针相对的半导体器件的位置并依次变更作为检查对象的半导体器件，从而进行检查。由此，能够对形成于晶圆的一部分或全部的半导体器件的电特性进行检查。在这样的由探针台进行的半导体器件的检查中，需要使...
【技术保护点】
一种位置精度检查方法，对在利用探针对形成于被检查基板的被检查芯片的特定区域进行接触式检查之际的接触位置进行检查，其特征在于，该位置精度检查方法具有：将所述被检查基板载置于基板载置台的载置步骤；将形成有表示所述探针的与所述被检查基板接触的位置的图形的玻璃基板配置于所述探针要配置的位置以替代所述探针、透过所述玻璃基板对形成于所述被检查基板的所述被检查芯片进行拍摄的拍摄步骤；以及根据通过所述拍摄步骤获得的图像对所述图形与所述特定区域之间的位置关系进行分析的分析步骤。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.09.30 JP 2014-2009121.一种位置精度检查方法，对在利用探针对形成于被检查基板的被检查芯片的特定区域进行接触式检查之际的接触位置进行检查，其特征在于，该位置精度检查方法具有：将所述被检查基板载置于基板载置台的载置步骤；将形成有表示所述探针的与所述被检查基板接触的位置的图形的玻璃基板配置于所述探针要配置的位置以替代所述探针、透过所述玻璃基板对形成于所述被检查基板的所述被检查芯片进行拍摄的拍摄步骤；以及根据通过所述拍摄步骤获得的图像对所述图形与所述特定区域之间的位置关系进行分析的分析步骤。2.根据权利要求1所述的位置精度检查方法，其特征在于，该位置精度检查方法具有基于由所述分析步骤获得的所述图形与所述特定区域之间的位置关系对是否能够使所述探针与所述特定区域接触进行判定的判定步骤。3.根据权利要求2所述的位置精度检查方法，其特征在于，在所述判定步骤中，在所述图形的中心与所述特定区域的中心之间的距离在预先确定好的预定的阈值以内时，判定为能够使所述探针与所述特定区域接触。4.根据权利要求2或3所述的位置精度检查方法，其特征在于，该位置精度检查方法具有校正步骤，在该校正步骤中，在所述判定步骤中判定为所述图形的中心与所述特定区域的中心未以预定的精度一致时，对所述基板载置台的坐标进行校正，以使所述图形的中心与所述特定区域的中心一致。5.根据权利要求4所述的位置精度检查方法，其特征在于，在所述拍摄步骤中，使所述基板载置台不动，透过所述玻璃基板对形成于所述被检查基板的所述被检查芯片拍摄至少两处以上，针对所获得的各图像进行所述分析步骤和所述判定步骤，在对至少1个图像判定为所述图形的中心与所述特定区域的中心未以预定的精度一致时执行所述校正步骤。6.根据权利要求1～5中任一项所述的位置精度检查方法，其特征在于，所述被检查基板是半导体晶圆，所述被检查芯片是半导体器件，所述特定区域是所述半导体器件的电极极板或焊锡凸块。7.一种位置精度检查装置，其用于对在利用探针对形成于被检查基板的被检查芯片的特定区域进行接触式检查之际...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐木健太，田中俊彦，田村宗明，舆水一彦，赤池伸二，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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