对被处理体进行处理的方法技术

本发明专利技术提供一种用于在被处理体上的图案形成中实现高精度的最小线宽的控制和稳定的最小线宽的再现性等的对被处理体进行处理的方法。该方法包括：形成工序，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括：第1工序，将第1气体向等离子体处理装置的处理容器内供给；第2工序，对处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，对处理容器内的空间进行吹扫；准备工序，其在将被处理体收容于处理容器内之前进行；处理工序，对收容到处理容器内的被处理体进行蚀刻处理，准备工序在处理工序之前进行，形成工序在准备工序中执行，且在处理工序中执行，在第1工序中不生成第1气体的等离子体。

【技术实现步骤摘要】
对被处理体进行处理的方法
本专利技术涉及对被处理体进行处理的方法，尤其是涉及使用等离子体来进行半导体基板的表面处理的方法。
技术介绍
在半导体器件这样的电子器件的制造工艺中，有时使用等离子体处理装置来进行被处理体的等离子体处理。作为等离子体处理的一种，存在等离子体蚀刻。等离子体蚀刻是为了将设于被蚀刻层上的掩模的图案转印于该被蚀刻层而进行的。作为掩模，通常，可使用抗蚀剂掩模。抗蚀剂掩模是利用光刻技术形成的。因而，在被蚀刻层形成的图案的极限尺寸依赖于由光刻技术形成的抗蚀剂掩模的分辨率。然而，抗蚀剂掩模的分辨率存在分辨极限。电子器件的对高集成化的要求越来越高，要求形成比抗蚀剂掩模的分辨极限小的尺寸的图案。因此，如专利文献1所记载那样，提出了如下技术：通过在抗蚀剂掩模上形成氧化硅膜，对该抗蚀剂掩模的尺寸进行调整，缩小由该抗蚀剂掩模提供的开口的宽度。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004－80033号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题另一方面，由于近年来的电子器件的随着高集成化的微细化，在被处理体上的图案形成方面，要求高精度的最小线宽(CD：CriticalDimension临界尺寸)的控制。而且，出于电子器件的量产性的观点考虑，也要求长期且稳定的最小线宽的再现性等。作为等离子体蚀刻中的最小线宽的变动的主要原因，一般可列举出暴露于用于生成等离子体的处理空间的等离子体处理装置的构成零部件(例如、使等离子体产生的处理容器的内壁面、与处理容器连接的各种配管的内壁面等)的表面的状态变化，等离子体状态变化。作为暴露于处理空间的等离子体处理装置的构成零部件的表面的状态变化的主要原因，可列举出由于等离子体的长期的使用而该零部件的表面消耗。由于这样的消耗而该零部件的表面的温度变动，由于该表面温度的变动而自由基的附着率也变动。另外，在等离子体处理中，存在产生微粒的情况，该微粒的产生可成为产品的缺陷的主要原因。微粒可从暴露于处理空间的等离子体处理装置的构成零部件的表面产生，附着于晶圆上，导致产品不良。由于微粒附着于图案上而妨碍转印，因此，可妨碍高精度的最小线宽的实现以及稳定的最小线宽的再现性等的实现。如以上那样，在被处理体上的图案形成中，为了随着高集成化的微细化，需要用于实现高精度的最小线宽的控制以及稳定的最小线宽的再现性等的方法。用于解决问题的方案一技术方案可提供对被处理体进行处理的方法。本技术方案的方法包括如下工序：(a)形成工序，在该形成工序中，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，向等离子体处理装置的处理容器内供给含有氨基硅烷系气体的第1气体；第2工序，在执行第1工序后，在该第2工序中对处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在执行第2工序后，在该第3工序中在处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，在执行第3工序后，在该第4工序中对处理容器内的空间进行吹扫；(b)准备工序，其在将被处理体收容于处理容器内之前进行；(c)处理工序，在该处理工序中，对收容到处理容器内的被处理体进行蚀刻处理。准备工序在处理工序之前进行。形成工序在准备工序中执行，且在处理工序中执行。在第1工序中不生成第1气体的等离子体。根据上述方法，在第1工序中，不进行等离子体的生成而向处理容器内供给含有氨基硅烷系气体的第1气体，而且，之后，在第3工序中，生成含有氧气的第2气体的等离子体而形成薄膜的氧化硅膜。因而，利用在处理工序中所执行的第1工序～第4工序在被处理体的表面上均匀且保形地形成薄膜的氧化硅膜。并且，于在处理工序中执行的形成工序中，第1工序～第4工序被反复执行，因此，能够精度良好地控制在被处理体的表面形成的氧化硅膜的厚度。因而，利用由形成工序形成的氧化硅膜，能够精度良好地减小被处理体的表面上的图案的最小线宽，能够进行随着高集成化的微细化。另外，通过在处理工序中执行的形成工序，在被处理体的表面形成氧化硅膜的同时，还在处理容器的内侧的表面以及与处理容器连接的各种配管的内侧的表面以与该氧化硅膜同样的厚度形成氧化硅膜作为保护膜。因而，能够利用在处理容器的内侧的表面以及与处理容器连接的各种配管的内侧的表面形成的氧化硅膜充分地抑制从这些各表面生成的微粒的产生和该各表面的状态的变化，因此，能够进行稳定的最小线宽的再现等。另外，在与在处理工序中执行的形成工序独立地在处理工序之前所执行的准备工序中也执行形成工序。因而，能够将与在处理工序中通过蚀刻而去除的氧化硅膜的厚度相应的所期望的厚度的氧化硅膜作为保护膜而形成于处理容器的内侧的表面以及与处理容器连接的各种配管的内侧的表面，因此，不取决于在处理工序中进行的蚀刻的程度，能够充分地抑制从这些各表面生成的微粒的产生和该各表面的状态的变化。在一技术方案中，第1气体能够含有单氨基硅烷。因而，可使用含有单氨基硅烷的第1气体进行形成处理。在一技术方案中，第1气体的氨基硅烷系气体可含有具有1个～3个硅原子的氨基硅烷。第1气体的氨基硅烷系气体可含有具有1个～3个氨基的氨基硅烷。这样，第1气体的氨基硅烷系气体能够使用含有1个～3个硅原子的氨基硅烷。另外，第1气体的氨基硅烷系气体能够使用含有1个～3个氨基的氨基硅烷。在一技术方案中，能够在处理工序之后且将被处理体从处理容器输出之后还具有将位于处理容器内的氧化硅膜去除的工序。因而，即使是在处理工序之后在处理容器内以及与处理容器连接的各种配管内残存氧化硅膜的情况，也能够从处理容器内以及与处理容器连接的各种配管内将氧化硅膜可靠地去除。在一技术方案中，被处理体能够具有被蚀刻层和设于被蚀刻层上的有机膜，处理工序能够具有利用在处理容器内产生的等离子体对有机膜进行蚀刻的工序，在处理工序中，形成工序能够在对有机膜进行蚀刻的工序之前执行，能够使直到对有机膜进行蚀刻的工序之前在处理容器内形成的氧化硅膜的膜的厚度比直到对有机膜进行蚀刻的工序的结束为止氧化硅膜中的被蚀刻且被去除的膜的厚度厚。因而，在有机膜的蚀刻结束之后，也在处理容器的内侧的表面以及与处理容器连接的各种配管的内侧的表面残留氧化硅膜，因此，能够避免以下的事态、即由于在蚀刻中氧化硅膜被去除、这些各表面暴露而该各表面的状态变化并从该各表面产生微粒等事态。另外，在执行有机膜的蚀刻前执行形成氧化硅膜的形成工序，因此，能够避免在有机膜的蚀刻中产生的活性种(例如氢自由基)与处理容器的内侧的表面以及连接于处理容器的各种配管的内侧的表面反应，因而，能够充分地抑制从这些各表面的微粒的产生以及该各表面的状态的变化。在一技术方案中，能够使直到对有机膜进行蚀刻的工序之前在处理容器内形成的氧化硅膜的膜的厚度比被蚀刻层的膜的厚度薄。因而，通过使在处理容器内以及与处理容器连接的各种配管内形成的氧化硅膜的厚度比被蚀刻层的膜的厚度薄，在处理容器内以及与处理容器连接的各种配管内的氧化硅膜通过被蚀刻层的蚀刻而被去除，因此，在处理工序之后进行的处理容器内以及与处理容器连接的各种配管内的清洁时，无需将处理容器内以及与处理容器连接的各种配管内的氧化硅膜去除的处理。在一技术方案中，被处理体能够包括蚀刻层和设于被蚀刻层上的有机膜，处理工序能够具有利用在处理容器内产生的等离子体对有机膜进行蚀刻的工序，在处理工序中，形成工序能够在对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对被处理体进行处理的方法，其包括形成工序，在该形成工序中，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，将含有氨基硅烷系气体的第1气体向等离子体处理装置的所述处理容器内供给；第2工序，在执行所述第1工序之后，在该第2工序中对所述处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在执行所述第2工序之后，在该第3工序中在所述处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，在执行所述第3工序之后，在该第4工序中对所述处理容器内的空间进行吹扫，该对被处理体进行处理的方法还包括如下工序：准备工序，其在将所述被处理体收容于所述处理容器内之前进行；处理工序，在该处理工序中，对收容到所述处理容器内的所述被处理体进行蚀刻处理，所述准备工序在所述处理工序之前进行，所述形成工序在所述准备工序中执行，且在所述处理工序中执行，在所述第1工序中，不生成所述第1气体的等离子体。

【技术特征摘要】
2015.10.06 JP 2015-198649;2016.05.20 JP 2016-101351.一种对被处理体进行处理的方法，其包括形成工序，在该形成工序中，反复执行序列而在处理容器内形成氧化硅膜，该序列包括如下工序：第1工序，在该第1工序中，将含有氨基硅烷系气体的第1气体向等离子体处理装置的所述处理容器内供给；第2工序，在执行所述第1工序之后，在该第2工序中对所述处理容器内的空间进行吹扫；第3工序，在执行所述第2工序之后，在该第3工序中在所述处理容器内生成含有氧气的第2气体的等离子体；第4工序，在执行所述第3工序之后，在该第4工序中对所述处理容器内的空间进行吹扫，该对被处理体进行处理的方法还包括如下工序：准备工序，其在将所述被处理体收容于所述处理容器内之前进行；处理工序，在该处理工序中，对收容到所述处理容器内的所述被处理体进行蚀刻处理，所述准备工序在所述处理工序之前进行，所述形成工序在所述准备工序中执行，且在所述处理工序中执行，在所述第1工序中，不生成所述第1气体的等离子体。2.根据权利要求1所述的对被处理体进行处理的方法，其中，所述第1气体含有单氨基硅烷。3.根据权利要求1所述的对被处理体进行处理的方法，其中，所述第1气体的氨基硅烷系气体含有具有1个～3个硅原子的氨基硅烷。4.根据权利要求1或3所述的对被处理体进行处理的方法，其中，所述第1气体的氨基硅烷系气体含有具有1个～3个氨基的氨基硅烷。5.根据权利要求1～4中任一项所述的对被处理体进行处理的方法，其中，在所述处理工序之后且是在将所述被处理体从所述处理容器输出之后还具有将位于该处理容器内的氧化硅膜去除的工序。6.根据权利要求1～5中任一项所述的对被处理体进行处理的方法，其中，所述被处理体具有被蚀刻层和设于该被蚀刻层上的有机膜，所述处理工序具有利用在所述处理容器内产生的等离子体对所述有机膜进行蚀刻的工序，在所述处理工序中，所述形成工序在所述对所述有机膜进行蚀刻的工序之前执行，直到所述对所述有机膜进行蚀刻的工序之前在所述处理容器内形成的所述氧化硅膜的膜的厚度比直到所述对所述有机膜进行蚀刻的工序结束为止该氧化硅膜中的被蚀刻且被去除的膜的厚度厚。7.根据权利要求6所述的对被处理体进行处理的...

【专利技术属性】
技术研发人员：木原嘉英，久松亨，本田昌伸，大石智之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP