The invention relates to a method for processing graphic sensitive metal or metal oxide material, the processing method includes the following steps: in a vacuum environment with a layer of metal or metal oxide sensitive materials grown on the substrate; the sensitive metal or metal oxide materials grow a layer of dielectric layer; parylene coating on the growth of the dielectric layer; through the method of lithography, etching, photoresist to transfer the above graph to the parylene coating; removing photoresist with acetone solution, the parylene coating to achieve graphical; using the parylene coating as masking, method of dry etching and etching the dielectric layer and the sensitive a metal or metal oxide materials to pattern transfer; through the method of mechanical stretching and removing the parylene coating, the sensitive metal or metal oxide material map Shaping. The invention avoids the contact of sensitive metal and metal oxide material with air as much as possible so as to avoid the influence on the performance of the semiconductor device.
【技术实现步骤摘要】
一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法。
技术介绍
在现代微纳功能器件制备中,很多物理性能的应用对材料的质量以及加工工艺提出了超高的要求。其中稀有金属,过渡金属,三五族金属在制备成超薄薄膜的情况下,材料将变得极其敏感。甚至化合物材料中不同的原子比在物理特性上都往往呈现出千差万别的特性。甚至常用的水,氧气等物质更将极大地破坏材料特性(晶格结构,电学特性,磁学特性等)。为此在加工中要求这种敏感材料与水,氧气等物质实现完全隔离,以获得高质量的材料,实现器件物理特性。而在半导体加工过程中在图形化的器件结构时,引进水、氧气等常用物质又是不可避免的,这就需要通过工艺设计和控制尽可能避免各种物质对器件性能的影响。
技术实现思路
本专利技术实施例通过提供一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法,解决了现有技术中在半导体加工过程中图形化敏感金属及金属氧化物材料时,引进水、氧气等物质对器件性能的影响的技术问题。本专利技术实施例提供了一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法,所述加工方法包括如下步骤:在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料;在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层;在所述介质层上生长派瑞林涂层;通过光刻、刻蚀的方法,把光刻胶上面的图形转移到所述派瑞林涂层上;用丙酮溶液去除光刻胶,实现所述派瑞林涂层的图形化;用所述派瑞林涂层做掩蔽,用干法刻蚀的方法同时刻蚀介质层和所述敏感金属或金属氧化物材料把图形转移;通过机械拉伸的方法去除所述派瑞林涂层,实现所述敏感 ...
【技术保护点】
一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法,其特征在于,所述加工方法包括如下步骤:在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料;在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层;在所述介质层上生长派瑞林涂层;通过光刻、刻蚀的方法,把光刻胶上面的图形转移到所述派瑞林涂层上;用丙酮溶液去除光刻胶,实现所述派瑞林涂层的图形化;用所述派瑞林涂层做掩蔽,用干法刻蚀的方法同时刻蚀介质层和所述敏感金属或金属氧化物材料把图形转移;通过机械拉伸的方法去除所述派瑞林涂层,实现所述敏感金属或金属氧化物材料的图形化。
【技术特征摘要】
1.一种图形化敏感金属或金属氧化物材料的加工方法,其特征在于,所述加工方法包括如下步骤:在真空环境下在衬底上生长一层敏感金属或金属氧化物材料;在所述敏感金属或金属氧化物材料上生长一层介质层;在所述介质层上生长派瑞林涂层;通过光刻、刻蚀的方法,把光刻胶上面的图形转移到所述派瑞林涂层上;用丙酮溶液去除光刻胶,实现所述派瑞林涂层的图形化;用所述派瑞林涂层做掩蔽,用干法刻蚀的方法同时刻蚀介质层和所述敏感金属或金属氧化物材料把图形转移;通过机械拉伸的方法去除所述派瑞林涂层,实现所述敏感金属或金属氧化物材料的图形化。2.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述真空环境的真空压力小于10-4Pa。3.如权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述敏感金属或金属氧化物材料和所述介质层采用溅射的方式生长,溅射功率为50W,氩气流量为20sccm。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:张凯平,胡媛,刘宇,陆丛研,赵盛杰,张培文,谢常青,刘明,
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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