【技术实现步骤摘要】
基板处理方法和基板处理装置
本申请涉及基板处理方法、基板处理装置。
技术介绍
在专利文献1中公开有使用喷嘴的显影方法,该喷嘴具有显影液的喷出口和在喷出口的周围形成的接液面。该显影方法包括如下工序:在使基板旋转、以接液面与基板的表面相对的方式配置了喷嘴的状态下,从喷出口向基板的表面供给显影液,一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动,从而在基板上形成显影液的液膜。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2015-53467号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本申请的目的在于提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的方法和装置。用于解决问题的方案本申请的基板处理方法包括:在使基板以第一转速旋转、使形成在喷嘴的喷出口的周围的接液面与基板的表面相对的状态下,从喷出口向基板的表面供给显影液,一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动,从而在基板的表面上形成显影液的液膜;在液膜形成在基板的表面上之后,在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下,以比第一转速低的第二转速使基板旋转;在以第二转速使基板旋转之后,以比第一转速高的第三转速使基板旋转;在以第三转速 ...
【技术保护点】
一种基板处理方法,其包括:在使基板以第一转速旋转、使在喷嘴的喷出口的周围形成的接液面与所述基板的表面相对的状态下,从所述喷出口向所述基板的表面供给显影液,一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动,从而在所述基板的表面上形成所述显影液的液膜;在所述液膜形成在所述基板的表面之后,在来自所述喷出口的所述显影液的供给停止了的状态下,以比所述第一转速低的第二转速使所述基板旋转;在使所述基板以所述第二转速旋转之后,以比所述第一转速高的第三转速使所述基板旋转;在以所述第三转速使所述基板旋转之后,使所述基板的转速为所述第二转速以下,从而在所述基板的表面上保持所述液膜。
【技术特征摘要】
2015.10.09 JP 2015-2012001.一种基板处理方法,其包括:在使基板以第一转速旋转、使在喷嘴的喷出口的周围形成的接液面与所述基板的表面相对的状态下,从所述喷出口向所述基板的表面供给显影液,一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动,从而在所述基板的表面上形成所述显影液的液膜;在所述液膜形成在所述基板的表面之后,在来自所述喷出口的所述显影液的供给停止了的状态下,以比所述第一转速低的第二转速使所述基板旋转;在使所述基板以所述第二转速旋转之后,以比所述第一转速高的第三转速使所述基板旋转;在以所述第三转速使所述基板旋转之后,使所述基板的转速为所述第二转速以下,从而在所述基板的表面上保持所述液膜。2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,使所述喷嘴从所述基板的外周侧向旋转中心侧移动。3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,该基板处理方法还包括:在所述液膜形成在所述基板的表面上之后,在所述基板以所述第二转速的旋转完成之前,使所述接液面与所述基板的表面分开。4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其中,使所述接液面与所述基板的表面分开的做法包括:以第一速度使所述接液面与所述基板的表面分开到第一距离;在保持了所述接液面与所述基板的表面分开到所述第一距离的状态之后,以比所述第一速度低的第二速度使所述接液面进一步分开。5.根据权利要求4所述的基板处理方法,其中,所述第一距离是能够在所述显影液的液膜与所述接液面之间形成液柱的距离。6.根据权利要求2~5中任一项所述的基板处理方法,其中,在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,使所述喷嘴的移动速度在中途变更。7.根据权利要求6所述的基板处理方法,其中,在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,与所述喷出口靠近所述基板的旋转中心相应地使所述喷嘴的移动速度降低。8.根据权利要求2~7中任一项所述的基板处理方法,其中,在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员:桥本祐作,下青木刚,福田昌弘,田中公一朗,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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