湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质制造方法及图纸

湿蚀刻方法具备以下步骤：使基板(W)旋转；向正在旋转的基板的第一面(器件形成面)供给蚀刻用的药液；以及在向基板供给药液的期间中，向基板的第二面(非器件形成面)供给蚀刻抑制液(DIW)。蚀刻抑制液经过基板的端缘(WE)而绕到第一面且到达第一区域，该第一区域为从第一面的周缘部分中的基板的端缘至第一面上的位于比端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。由此，能够对形成有两层膜的基板的上层良好地进行斜角蚀刻处理。

Wet etching method, substrate, liquid treatment device, and storage medium

Wet etching method has the following steps: the substrate (W) is the rotation of the substrate to rotate; the first face (device forming surface) with etching liquid supply; and during the supply of liquid medicine to the substrate, the second surface to the substrate (non device forming surface etching inhibiting liquid supply) (DIW). After edge etching inhibiting liquid substrate (WE) and around the first surface and reach the first region, the first region is located in the periphery of the first substrate from the part of the end to the first surface than end edge against the first radial direction inside the region. Thus, an oblique etching process can be performed on the upper layer of a substrate having a two layer film.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】湿蚀刻方法、基板液处理装置以及存储介质
本专利技术涉及一种对层叠有多层膜的基板的周缘部进行蚀刻的技术。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中具有通过湿蚀刻只去除形成于半导体晶圆等基板的表面上的膜中的周缘部分的工序，该工序被称作斜角蚀刻。在专利文献1中，通过对形成有一层膜的基板的表面的周缘部分供给蚀刻液来进行斜角蚀刻。在作为斜角蚀刻处理对象的基板上形成有两层(或两层以上)膜的情况下，有时要求只去除上层的膜而留下下层的膜。此时，在没有相对于下层而言上层的蚀刻选择比高的药液的情况下，难以应对上述要求。例如，在作为下层的SiO2膜之上形成有由单片式CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相淀积)装置形成的作为上层的SiGe膜的Si基板中，存在基板的端缘附近的SiGe膜的膜厚度薄的倾向(例如参照图4的(a))。因此，在湿蚀刻时，端缘附近的SiGe膜提前消失而SiO2膜露出。当持续进行蚀刻直到在基板的周缘部分的整个区域将SiGe膜完全去除为止时，存在端缘附近的SiO2膜消失而基底的Si露出的风险。另外，例如在形成有作为下层的SiO2膜和由间歇式成膜装置形成的作为上层的Poly本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿蚀刻方法，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，所述湿蚀刻方法的特征在于，具备第一蚀刻工序，所述第一蚀刻工序包括如下步骤：使所述基板旋转；向正在旋转的所述基板的所述第一面供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；以及在向所述基板供给所述药液的期间中，向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液，其中，所述第一蚀刻工序使所述基板以如下方式旋转来供给所述蚀刻抑制液，该方式为使所述蚀刻抑制液经过所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域的方式，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.28 JP 2015-0147641.一种湿蚀刻方法，对基板进行湿蚀刻，所述基板具有第一面和所述第一面的背面侧的第二面，在所述基板的至少所述第一面的周缘部分层叠有作为下层的第一层和作为上层的第二层，所述湿蚀刻方法的特征在于，具备第一蚀刻工序，所述第一蚀刻工序包括如下步骤：使所述基板旋转；向正在旋转的所述基板的所述第一面供给能够蚀刻所述第一层和所述第二层这两方的药液；以及在向所述基板供给所述药液的期间中，向所述基板的所述第二面供给蚀刻抑制液，其中，所述第一蚀刻工序使所述基板以如下方式旋转来供给所述蚀刻抑制液，该方式为使所述蚀刻抑制液经过所述基板的端缘而绕到所述第一面且到达第一区域的方式，该第一区域为从所述第一面的周缘部分中的所述基板的所述端缘至所述第一面上的位于比所述端缘靠径向内侧的第一径向位置的区域。2.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，向所述基板的所述第二面供给所述蚀刻抑制液是在向所述基板的所述第一面供给所述药液并持续预先决定的时间之后、或在所述第二层通过所述药液而被蚀刻了预先决定的量之后开始的。3.根据权利要求2所述的湿蚀刻方法，其特征在于，通过利用所述蚀刻抑制液的液膜将所述基板的表面覆盖，或者通过利用所述蚀刻抑制液将所述药液稀释，来防止或抑制所述药液的蚀刻。4.根据权利要求2所述的湿蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻抑制液防止或抑制作为所述第一层被去除的结果而露出的所述第二层被所述药液蚀刻。5.根据权利要求1所述的湿蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻方法还具备第二蚀刻工序，在所述第一蚀刻工序中，在使所述蚀刻抑制液到达所述第一区域的状态下供给所述药液，以对所述第一面的周缘部分中的位于比所述第一区域靠径向内侧的第二区域的所述第二层进行蚀刻，所述第二蚀刻工序包括以下步骤：以使所述药液经过所述基板的端...

【专利技术属性】
技术研发人员：难波宏光，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP