基板处理装置制造方法及图纸
Substrate processing device
The present invention in substrate processing device, PEALD processing, greatly reducing the energy of incident ions to the wafer, inhibition caused by ion implantation on the deposited film damage, the implementation of the surface characteristics of good film processing. A substrate processing device, the raw gas is supplied to the substrate and the substrate to plasma irradiation film processing, the substrate processing apparatus includes: a hermetic housing is used for carrying the container substrate mounting table; plasma is generated in the process container of the plasma source, the plasma source comprises a high frequency power source plasma generation the above plasma source comprises a sheath potential to generate the plasma sheath potential decreased mechanism.
【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及在基板基板表面进行成膜处理的基板处理装置。
技术介绍
在半导体器件等的制造工艺中，对作为基板的半导体晶片(以下仅记载为“晶片”)进行离子注入处理/蚀刻处理/成膜处理等各种处理。作为对晶片进行成膜的方法，有时使用被称为ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)的处理(以下仅记载为ALD)。在ALD处理中，向例如被排气为真空的处理容器内供给原料气体，使原料气体吸附在晶片表面上。然后，利用还原反应等使原料气体的一部分固定在晶片表面来进行成膜。因此，例如即使是具有凹凸图案的晶片，也可以在其整个表面以均匀的膜厚进行成膜。然而，在通过ALD处理进行成膜时，需要在例如600℃的高温下对晶片进行热处理。然后，晶片的热预算(热经历)变大，然而，伴随着半导体的小型化，浅结化得以发展，因而要求热预算变小。所以近年来代替热处理，采用了通过对表面吸附有原料气体的晶片照射等离子体而在晶片表面固定原料气体进行成膜的所谓等离子体增强ALD(以下也记载为PEALD)。例如，现有的CVD处理是在氩气充沛的空气中实施的，与此相对地，进行PEALD处理的...
【技术保护点】
一种基板处理装置，其对基板供给原料气体并对基板照射等离子体来进行成膜处理，所述基板处理装置的特征在于：气密地收纳用于载置基板的载置台的处理容器；和在所述处理容器内生成等离子体的等离子体源，所述等离子体源包括等离子体生成用的高频电源，所述等离子体源包括使要生成的等离子体的鞘电位降低的鞘电位降低机构。
【技术特征摘要】
2016.03.02 JP 2016-0400601.一种基板处理装置，其对基板供给原料气体并对基板照射等离子体来进行成膜处理，所述基板处理装置的特征在于：气密地收纳用于载置基板的载置台的处理容器；和在所述处理容器内生成等离子体的等离子体源，所述等离子体源包括等离子体生成用的高频电源，所述等离子体源包括使要生成的等离子体的鞘电位降低的鞘电位降低机构。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：所述鞘电位降低机构是以能够对所述高频电源叠加施加的方式设置的直流电源。3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：由所述直流电源对所述高频电源施加的电压为负电压。4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：传宝一树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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