清洁方法和等离子体处理方法技术

提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，利用从非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，利用从含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。

Cleaning methods and plasma treatment methods

The invention provides a cleaning method for cleaning a substrate processing device for etching metal containing film, the cleaning method comprises the following steps: the first cleaning process, from the use of plasma gas containing hydrogen containing gas generated to remove carbon deposits; second cleaning process, after the first cleaning process to remove moisture metal deposits using plasma generated from non reactive gases; and third cleaning process, after the second cleaning process, to remove silicon deposits by plasma gas containing oxygen from gas containing fluorine gas and generation.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】清洁方法和等离子体处理方法
本专利技术涉及一种清洁方法和等离子体处理方法。
技术介绍
提出了如下一种方法(例如参照专利文献1)：使用具有氧化性的反应气体对含有磁性材料的被加工体进行加工并去除具有氧化性的反应气体来制造磁特性良好的磁记录介质等。专利文献1：日本特开2005-56547号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在对被加工体进行蚀刻的情况下，有时产生被加工体中所含有的含金属的堆积物、含碳堆积物以及作为金属膜的基底膜或处理容器内的部件等使用的含硅堆积物之类的不同种类的堆积物。然而，在专利文献1中，由于使用同一气体对多种不同的堆积物进行清洁，因此有时一部分堆积物去除不尽而残留在处理容器的内部。这些残留物引起蚀刻率的变动和微粒的产生，成为频繁地更换部件的主要原因。针对上述问题，在一个侧面，本专利技术的目的在于提供一种有效地进行多种堆积物的去除的清洁方法。用于解决问题的方案为了解决上述问题，根据一个方式，提供一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法包括以下工序：第一清洁工序，利用从含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法具有以下工序：第一清洁工序，供给含有含氢气体的气体，利用从该含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，供给非活性气体，利用从该非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，供给含有含氟气体和含氧气体的气体，利用从该含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.14 JP 2015-0988671.一种清洁方法，用于清洁对含有金属的膜进行蚀刻的基板处理装置，该清洁方法具有以下工序：第一清洁工序，供给含有含氢气体的气体，利用从该含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含碳堆积物；第二清洁工序，在所述第一清洁工序之后，供给非活性气体，利用从该非活性气体生成的等离子体来去除含金属的堆积物；以及第三清洁工序，在所述第二清洁工序之后，供给含有含氟气体和含氧气体的气体，利用从该含有含氟气体和含氧气体的气体生成的等离子体来去除含硅堆积物。2.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，还具有第四清洁工序，该第四清洁工序在所述第三清洁工序之后，供给含有含氢气体的气体，利用从该含有含氢气体的气体生成的等离子体来去除含氟气体和含氧气体。3.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，在所述第一清洁工序中根据氮化碳的发光强度进行了第一终点检测之后，开始所述第二清洁工序。4.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，在所述第二清洁工序中根据Pt、Mg、Ta、Co以及Ru中的至少任一个的发光强度进行了第二终点检测之后，开始所述第三清洁工序。5.根据权利要求2所述的清洁方法，其特征在于，在所述第三清洁工序中根据Si的发光强度进行了第三终点检测之后，开始所述第四清洁工序。6.根据权利要求1所述的清洁方法，其特征在于，根据在所述第一清洁工序中基于氮化碳的发光强度进行的第一终点检测...

【专利技术属性】
技术研发人员：久保卓也，康松润，霜田惠一，大石哲也，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP