基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质。本发明专利技术的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法。利用处理液供给部向基板供给处理液，所述处理液含有附着物的去除剂和具有比去除剂的沸点低的沸点的溶剂；接着，利用基板加热部在处理液中的溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下对基板进行加热；接着，利用冲洗液供给部向基板供给冲洗液，由此从基板去除附着物。

A substrate treatment device, a substrate processing method and a storage medium for storing a program with a substrate processing method

The invention relates to a substrate processing device, a substrate processing method and a storage medium for storing a program with a substrate processing method. The aim of the present invention is to provide a substrate treatment device and a substrate treatment method capable of effectively removing the attachments from the substrate from the substrate. The liquid supply part to the substrate supply treatment solution, the treatment fluid containing attachment and removal agent with low boiling point than the boiling point of the solvent removal agent; then, above the boiling point by substrate heating part in a processing liquid solvent remover and below the boiling point of the specified temperature for heating the substrate then, using the washing liquid; supply to the substrate supply washing liquid, thereby removing attachments from the substrate.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、基板处理方法及存储有实行基板处理方法的程序的存储介质
本专利技术涉及用于从基板将该基板上的附着物去除的基板处理装置及基板处理方法、以及存储有实行该基板处理方法的程序的存储介质。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，进行如下工序：使用抗蚀膜作为掩膜材料对形成于半导体晶圆等的基板上的被蚀刻膜(例如，层间绝缘膜、金属膜等)进行蚀刻，从而图案化成规定的图案。另一方面，最近，使用了低介电常数膜(Low-k膜)作为层间绝缘膜的Cu多层布线技术受到关注，对于这样的Cu多层布线技术，采用了在Low-k膜上形成埋入布线槽或孔、在其中埋入Cu的双镶嵌法。作为Low-k膜，大多使用有机系Low-k膜，对这样的有机系Low-k膜进行蚀刻时，不能充分获得与作为相同有机膜的抗蚀膜的选择比，因此使用Ti膜、TiN膜等无机系硬掩膜作为蚀刻用的掩膜材料。即，将抗蚀膜作为掩膜材料而将硬掩膜蚀刻成规定的图案时，将蚀刻成规定的图案的硬掩膜作为掩膜材料，对Low-k膜进行蚀刻。需要去除蚀刻后残留在基板上的抗蚀膜、硬掩膜等不必要的附着物。对于这些不必要的附着物的去除，例如如下进行：使用单片式清洗装置，边使作为被处理基板的半导体晶圆旋转，边向中心连续供给去除液，一边利用离心力使去除液在半导体晶圆整面展开一边进行(例如专利文献1、专利文献2、专利文献3)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2004-146594号公报专利文献2：日本特开2010-114210号公报专利文献3：日本特开2013-207080号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的目的在于，提供能够有效地从基板将该基板上的附着物(例如，抗蚀膜、硬涂膜等)去除的基板处理装置及基板处理方法、以及存储有实行该基板处理方法的程序的存储介质。用于解决问题的方案为了解决上述问题，本专利技术提供以下技术方案。[1]一种基板处理装置，其具备：用于从基板将前述基板上的附着物去除的去除处理部；和用于控制前述去除处理部的动作的控制部，前述去除处理部具备：处理液供给部：其向前述基板供给处理液，所述处理液含有前述附着物的去除剂和具有比前述去除剂的沸点低的沸点的溶剂；基板加热部：其在前述溶剂的沸点以上且低于前述去除剂的沸点的规定温度下对前述基板进行加热；以及冲洗液供给部：其向前述基板供给冲洗液，前述控制部以如下方式控制前述处理液供给部、前述基板加热部及前述冲洗液供给部：前述处理液供给部向前述基板供给前述处理液；接着，前述基板加热部对前述基板在前述规定温度下加热，由此，促进前述溶剂的蒸发及前述附着物与前述去除剂的反应；接着，前述冲洗液供给部向前述基板供给前述冲洗液，由此从前述基板去除前述附着物。[2]根据[1]所述的基板处理装置，其中，前述处理液还含有增稠剂。[3]根据[2]所述的基板处理装置，其中，前述增稠剂具有超过前述溶剂的沸点且前述去除剂的沸点以下的玻璃化转变点。[4]根据[3]所述的基板处理装置，其中，前述规定温度为前述溶剂的沸点以上且低于前述增稠剂的玻璃化转变点的温度。[5]根据[3]所述的基板处理装置，其中，前述规定温度为前述增稠剂的玻璃化转变点以上且低于前述去除剂的沸点的温度。[6]根据[2]所述的基板处理装置，其中，前述增稠剂具有前述去除剂的沸点以上的玻璃化转变点。[7]根据[1]～[6]中任一项所述的基板处理装置，其中，前述附着物为蚀刻用硬掩膜。[8]根据[1]～[7]中任一项所述的基板处理装置，其中，前述控制部以如下方式控制前述处理液供给部、前述基板加热部及前述冲洗液供给部：前述处理液供给部向前述基板供给前述处理液，由此，在前述基板上形成覆盖前述附着物的前述处理液的膜；接着，在前述附着物被前述处理液的膜覆盖的状态下，前述基板加热部在前述规定温度下对前述基板进行加热，由此促进前述溶剂的蒸发及前述附着物与前述去除剂的反应；接着，前述冲洗液供给部向前述基板供给前述冲洗液，由此从前述基板去除前述附着物。[9]一种基板处理方法，其从基板将前述基板上的附着物去除，该基板处理方法包含如下工序：工序(A)：向前述基板供给处理液，所述处理液含有前述附着物的去除剂和具有比前述去除剂的沸点低的沸点的溶剂；工序(B)：工序(A)之后，在前述溶剂的沸点以上且低于前述去除剂的沸点的规定温度下对前述基板进行加热，促进前述溶剂的蒸发及前述附着物与前述去除剂的反应；以及工序(C)：工序(B)之后，向前述基板供给冲洗液，从而从前述基板将前述附着物去除。[10]根据[9]所述的基板处理方法，其中，前述处理液还含有增稠剂。[11]根据[10]所述的基板处理方法，其中，前述增稠剂具有超过前述溶剂的沸点且前述去除剂的沸点以下的玻璃化转变点。[12]根据[11]所述的基板处理方法，其中，前述规定温度为前述溶剂的沸点以上且低于前述增稠剂的玻璃化转变点的温度。[13]根据[11]所述的基板处理方法，其中，前述规定温度为前述增稠剂的玻璃化转变点以上且低于前述去除剂的沸点的温度。[14]根据[10]所述的基板处理方法，其中，前述增稠剂具有前述去除剂的沸点以上的玻璃化转变点。[15]根据[9]～[14]中任一项所述的基板处理方法，其中，前述附着物为蚀刻用硬掩膜。[16]根据[9]～[15]中任一项所述的基板处理方法，其中，在工序(A)中，在前述基板上形成覆盖前述附着物的前述处理液的膜；在工序(B)中，在前述附着物被前述处理液的膜覆盖的状态下，对前述基板进行加热。[17]一种存储介质，其存储了如下程序：在被用于控制基板处理装置的动作的计算机实行时，使前述计算机控制前述基板处理装置来实施[9]～[16]根据中任一项所述的基板处理方法。专利技术的效果根据本专利技术的基板处理装置及基板处理方法，能够从基板有效地去除该基板上的附着物(例如，抗蚀膜、硬涂膜等)。附图说明图1为示出本专利技术的一个实施方式的基板处理装置的构成的示意图。图2为示出图1所示的基板处理装置所具备的基板处理单元的构成的示意俯视图。图3为示出图2所示的基板处理单元所具备的第1处理部的构成的示意剖面图。图4为示出图2所示的基板处理单元所具备的第2处理部的构成的示意剖面图。图5为示出图2所示的基板处理单元所具备的第3处理部的构成的示意剖面图。图6为用于说明干蚀刻处理的示意剖面图。图7为用于说明含有增稠剂的处理液被供给至基板时的处理液的情况图7的(A)、及不含有增稠剂的处理液被供给至基板时的处理液的情况图7的(B)的示意剖面图。附图标记说明1基板处理装置2基板处理单元3控制单元4第1处理部43处理液供给部5第2处理部54基板加热部6第3处理部63冲洗液供给部具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。<基板处理装置的构成>参照图1对本专利技术的一个实施方式的基板处理装置的构成进行说明。图1为示出本专利技术的一个实施方式的基板处理装置的构成的示意图。如图1所示，本专利技术的一个实施方式的基板处理装置1具备基板处理单元2和用于控制基板处理单元2的动作的控制单元3。基板处理单元2对基板进行各种处理。关于基板处理单元2所进行的各种处理，后面进行叙述。控制单元3例如为计算机，具备控制部和存储部。控制部例如为CPU(中央处理单元，CentralProcessingUn本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，其具备：用于从基板将所述基板上的附着物去除的去除处理部；和用于控制所述去除处理部的动作的控制部，所述去除处理部具备：处理液供给部：其向所述基板供给处理液，所述处理液含有所述附着物的去除剂和具有比所述去除剂的沸点低的沸点的溶剂；基板加热部：其在所述溶剂的沸点以上且低于所述去除剂的沸点的规定温度下对所述基板进行加热；以及冲洗液供给部：其向所述基板供给冲洗液，所述控制部以如下方式控制所述处理液供给部、所述基板加热部及所述冲洗液供给部：所述处理液供给部向所述基板供给所述处理液；接着，所述基板加热部在所述规定温度下对所述基板加热，由此促进所述溶剂的蒸发及所述附着物与所述去除剂的反应；接着，所述冲洗液供给部向所述基板供给所述冲洗液，由此从所述基板去除所述附着物。

【技术特征摘要】
2016.08.05 JP 2016-1548601.一种基板处理装置，其具备：用于从基板将所述基板上的附着物去除的去除处理部；和用于控制所述去除处理部的动作的控制部，所述去除处理部具备：处理液供给部：其向所述基板供给处理液，所述处理液含有所述附着物的去除剂和具有比所述去除剂的沸点低的沸点的溶剂；基板加热部：其在所述溶剂的沸点以上且低于所述去除剂的沸点的规定温度下对所述基板进行加热；以及冲洗液供给部：其向所述基板供给冲洗液，所述控制部以如下方式控制所述处理液供给部、所述基板加热部及所述冲洗液供给部：所述处理液供给部向所述基板供给所述处理液；接着，所述基板加热部在所述规定温度下对所述基板加热，由此促进所述溶剂的蒸发及所述附着物与所述去除剂的反应；接着，所述冲洗液供给部向所述基板供给所述冲洗液，由此从所述基板去除所述附着物。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述处理液还含有增稠剂。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述增稠剂具有超过所述溶剂的沸点且所述去除剂的沸点以下的玻璃化转变点。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述规定温度为所述溶剂的沸点以上且低于所述增稠剂的玻璃化转变点的温度。5.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述规定温度为所述增稠剂的玻璃化转变点以上且低于所述去除剂的沸点的温度。6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述增稠剂具有所述去除剂的沸点以上的玻璃化转变点。7.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理装置，其中，所述附着物为蚀刻用硬掩膜。8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理装置，其中，所述控制部以如下方式控制所述处理液供给部、所述基板加热部及所述冲洗液供给部：所述处理液供给部向所述基板供给所述处理液，由此，在所述基板上形成覆盖所述附着物的所述处理液的膜；接着，在所述附着物被所...

【专利技术属性】
技术研发人员：户岛孝之，寺田正一，中村淳司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP