本发明提供一种能够适当地承接卡盘上端部件的晶片检查方法。在进行了晶片W的检查之后，当对准器(32)要承接卡盘上端部件(29)时，通过调整卡盘基座(49)的倾斜来调整卡盘上端部件(29)和卡盘基座(49)的距离，使得被保持的卡盘上端部件(...

一种通过动态控制选择温度下的硫酸的径向分配来控制晶片表面上的磷酸处理的温度分布的方法，所述方法包括提供基底，其具有在其上形成的层；将第一化学物质和第二化学物质分配在所述层上，同时调节第二化学物质分配的至少一个参数以改变在基底的区域上的蚀...

所描述的实施方式涉及用于减少光刻畸变的方法和设备。半导体基片的背侧可以被纹理化。然后，可以在具有经纹理化的背侧的半导体基片上执行光刻工艺。

用于在基底处理系统中清洗和干燥半导体基底的方法和设备，所述基底具有在所述基底上的第一清洗液体，例如水。所述方法包括将液体二氧化碳分配在基底上以置换存在于基底上的任何液体并干燥基底。所述设备包括用于清洗和干燥基底的室。

本发明涉及接合装置、接合系统、接合方法以及计算机存储介质。检查基板的接合处理的状态来恰当地进行该接合处理。用于将上晶圆(WU)与下晶圆(WL)进行接合的接合装置具有：上卡盘(140)，其进行抽真空来将上晶圆(WU)吸附保持在其下表面；下...

本发明提供一种基板处理装置和隔热板。基板处理装置即使反复进行处理，也能够对基板均匀地实施使用了自由基的处理。工艺模块(13)具备：处理容器(28)，其收容晶圆(W)；分隔板(37)，其配置于该处理容器(28)的内部的等离子体生成空间(P...

本发明提供一种能够对基板实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置和喷头。从喷头(13)分割出的24个分割喷头(13a～13x)被划分为：由位于角部的分割喷头(13o、13p、13r、13s、13u、13v、13x和13m)构成的第一分割...

本发明提供了基片处理装置、基片处理方法和存储介质。关于滑动部件在基片的背面滑动来进行处理，能够在面内进行均匀性高的处理且将由滑动部件的滑动产生的作用可靠地施加到基片。上述装置构成为包括：为了在基片的背面滑动来进行处理而绕铅直轴自转的滑动...

本发明在变更设定温度时，不需要长时间而使用小容量的供电设备，使载置基片的载置台等的被加热体升温至变更后的设定温度。本发明的对基片进行处理的基片处理装置包括：PM400a～d，其具有对载置基片的载置台等的被加热体进行加热的加热部；和控制器...

本发明提供一种能够使基板处理的面内均匀性提高的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：处理容器；旋转轴，其设为能够贯穿于所述处理容器的开口部，且在上下方向延伸；支承部，其设置于所述旋转轴的上端；基板保持器具，其载置于所述支承部上，该...

本发明涉及基板处理装置、喷射器以及基板处理方法。即使在进行急剧的气体导入的情况下也能够抑制微粒被带入处理容器内。将基板处理装置构成为具有：处理容器，其用于收容多个基板；气体供给部，其用于将气体供给到所述处理容器内；以及排气部，其用于将所...

本发明提供一种载置台和具有该载置台的等离子体处理装置。该载置台包括：被施加高频电力的基座；被施加高频电力的基座；设置在基座上，具有用于载置被处理体的载置区域和包围载置区域的外周区域的静电卡盘；设置在载置区域的内部的加热器；与加热器连接并...

本发明提供能抑制在基板面内和面间供给气体浓度分布的偏差的基板处理装置。具有：处理容器，其设为能收纳并处理多个基板；多个气体喷嘴，其设于处理容器内沿处理容器周向排列沿长度方向延伸，向处理容器内供给气体；及排气部，其设于处理容器内的与多个气...

本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交...

本发明的课题在于提高载置台中的热交换介质和静电吸盘之间的热交换的效率。一个方式所涉及的载置台包括：热交换器；板，其设置在热交换器上，具有彼此相对的第一主面和第二主面，形成有在其板厚方向上延伸的多个贯通孔；静电吸盘，其具有载置基板的表面和...

本发明提供一种使附着于使用超临界流体进行处理后的基板的表面的微粒水平降低的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在将处理容器(301)内的压力从比处理流体的临界压力低的压力(例如常压)升压到比临界压力高的处理压力的升压工序的至少一部分...

本发明提供一种能够容易地进行处理容器的维护作业的基板处理装置。基板处理装置(3)具备：容器主体(311)，其收容基板(W)，并且，使用高压的处理流体对基板(W)进行处理；输送口(312)，其用于相对于容器主体(311)内输入和输出基板(...

本发明提供一种使用超临界状态的处理流体来对基板进行处理的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，在该基板处理装置中，使过滤器的过滤性能充分发挥，降低处理后的基板的微粒水平。基板处理装置具备：处理容器(301)；以及供给线(50)，其将送...

本发明提供一种能够防止在使基板和液体供给部上升时基板的背面被污染的基板处理装置。在升降销(22)和液体供给管(40)从与保持板(30)邻接的邻接位置向分离位置转移时，在第一上推构件(61)与升降销(22)连结的状态下第一上推构件(61)...

提供一种能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常的异常探测装置。一个实施方式的异常探测装置具有：收集部，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；保存部，其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志；...