异常探测装置制造方法及图纸

提供一种能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常的异常探测装置。一个实施方式的异常探测装置具有：收集部，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；保存部，其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志；运算部，其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带；以及判定部，其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。

【技术实现步骤摘要】
异常探测装置
本专利技术涉及一种异常探测装置。
技术介绍
当长期运用半导体制造装置时，由于部件的消耗或劣化、在工艺处理中产生的副产物的蓄积导致的腔室内环境的变化、所供给的气体或冷却水等的实用环境的变化、突发性的部件故障等各种要因而工艺的再现性下降。这些情形的发生频率根据装置的运用状况不同而不同，存在易于预测的情形和难以预测的情形。对于易于预测的情形，通过定期维护来进行消耗部件的更换、调整，能够进行预防维护的应对。另一方面，对于难以预测的情形，难以通过定期维护来进行应对。因此，以往，以规定期间、例如工艺所包含的步骤为单位将在工艺处理的执行中由各种传感器输出的输出值转换为平均值、最大值、最小值等代表值，使用代表值来对长期趋势进行监视(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2015-37086号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在以往的方法中，对将各种传感器输出的输出值转换为代表值所得到的值进行监视，并不是直接对输出值本身进行监视，因此难以检测短期间内发生的微小的变化来预知异常。另外，用户手动输入带(band)。因此，还存在运用时耗费时间和劳力而难以实施这样的问题。因此，在本专利技术的一个方式中，其目的在于，提供一种能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常的异常探测装置。用于解决问题的方案为了实现上述目的，本专利技术的一个方式所涉及的异常探测装置具有：收集部，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；保存部，其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志；运算部，其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带；以及判定部，其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。专利技术的效果根据公开的异常探测装置，能够检测短期间内发生的微小的变化来预知异常。另外，由于能够自动制作带，因此能够削减制作带所需要的工时，从而能够减轻运用时的时间和劳力。附图说明图1是示出本专利技术的实施方式的半导体制造装置的整体结构图。图2是用于说明装置控制器的框图。图3是用于说明本专利技术的实施方式的异常探测处理的初期学习的流程图。图4是用于说明初期学习的图。图5是用于说明本专利技术的实施方式的异常探测处理的再学习的流程图。图6是用于说明再学习的图。图7是用于说明半导体制造装置的异常判定的一例的图。附图标记说明100：装置控制器；110：第一模块；111：控制部；112：收集部；113：通信部；120：第二模块；121：保存部；122：运算部；123：判定部；124：通信部；130：第三模块；131：显示部；132：接收部；133：通信部。具体实施方式以下，参照附图来说明用于实施本专利技术的方式。此外，在本专利技术的说明书和附图中，通过对实质上相同的结构标注相同的附图标记来省略重复的说明。(半导体制造装置)对本专利技术的实施方式的半导体制造装置的一例进行说明。本专利技术的实施方式的半导体制造装置是分批式的成膜装置，能够将基板保持器具收容在处理容器中来针对多个晶圆W同时形成膜，该基板保持器将多个半导体晶圆(以下称为“晶圆W”。)沿垂直方向以规定间隔进行保持。此外，半导体制造装置不限定于分批式的装置，例如也可以是逐个地进行成膜处理的单片式的装置。图1是示出本专利技术的实施方式的半导体制造装置的整体结构图。如图1所示，半导体制造装置具有长边方向为垂直方向的大致圆筒形的处理容器4。处理容器4具有具备圆筒体的内筒6和外筒8的双重管构造，该外筒8在内筒6的外侧与内筒6同心地配置且具有顶部。内筒6和外筒8例如由石英等耐热性材料形成。内筒6和外筒8的下端部被由不锈钢等形成的歧管10保持。歧管10例如被固定于未图示的底板。此外，歧管10与内筒6、外筒8一起形成大致圆筒形的内部空间，因此歧管10形成处理容器4的一部分。即，处理容器4具备例如由石英等耐热性材料形成的内筒6和外筒8以及由不锈钢等形成的歧管10，歧管10被设置于处理容器4的侧面下部，以从内筒6和外筒8的下方保持内筒6和外筒8。歧管10具有气体导入部20，该气体导入部20用于向处理容器4的内部导入成膜处理中使用的成膜气体、添加气体等处理气体、吹扫处理中使用的吹扫气体等各种气体。在图1中，示出设置一个气体导入部20的方式，但不限定于此，也可以是，根据所使用的气体的种类等，气体导入部20为多个。作为处理气体和吹扫气体的种类，没有特别限定，能够根据所形成的膜的种类等适当地选择。气体导入部20与用于向处理容器4的内部导入各种气体的导入配管22连接。此外，在导入配管22上插入设置有用于调整气体流量的质量流量控制器等流量调整部24、未图示的阀、流量传感器等。另外，歧管10具有对处理容器4的内部进行排气的气体排气部30。气体排气部30与排气配管36相连接，该排气配管36上包含能够对处理容器4的内部进行减压控制的真空泵32、APC(AutomaticPressureControl：自动压力控制)阀等开度可变阀34等。在排气配管36上设置有检测处理容器4的内部的压力的未图示的压力传感器。在歧管10的下端部形成有炉口40，在炉口40设置有例如由不锈钢等形成的圆盘状的盖体42。盖体42例如被设置为能够通过作为晶圆舟升降机发挥功能的升降机构44进行升降，构成为能够将炉口40密封为气密状态。在盖体42的上方设置有例如石英制的保温筒46。在保温筒46的上方载置有例如石英制的晶圆舟48，该晶圆舟48将多个(例如50个～175个左右)晶圆W以水平状态且以规定的间隔多层地保持。通过使用升降机构44使盖体42上升来向处理容器4的内部加载(搬入)晶圆舟48，对保持于晶圆舟48的晶圆W进行各种成膜处理。在进行各种成膜处理之后，通过使用升降机构44使盖体42下降，来将晶圆舟48从处理容器4的内部向下方的装载区域卸载(搬出)。在处理容器4的外周侧设置有能够将处理容器4加热至规定温度的例如圆筒形状的加热单元60。加热单元60被分割为多个区，从铅直方向上侧朝向下侧设置有加热单元60a～60e。加热单元60a～60e构成为能够分别通过电力控制器62a～62e独立地控制发热量。以下，有时将设置有加热单元60a、60b、60c、60d、60e的位置分别称为“TOP”、“TC”、“Center”、“C-B”以及“BTM”。另外，在内筒6的内壁和/或外筒8的外壁，与加热单元60a～60e对应地设置有未图示的温度传感器。此外，在图1中，示出了加热单元60被分割为五个区的方式，但不限定于此，例如也可以从铅直方向上侧朝向下侧被分割为四个以下的区，还可以被分割为六个以上的区。另外，加热单元60也可以不分割为多个区。载置于晶圆舟48的多个晶圆W构成一批，以一批为单位进行各种成膜处理。另外，本专利技术的实施方式的半导体制造装置具有用于对装置整体的动作进行控制的计算机等装置控制器100。装置控制器100也可以通过有线或无线等的通信单元而与主计算机连接。(装置控制器)对装置控制器100的一例进行说明。图2是用于说明装置控制器的框图。如图2所示，装置控制器100包括第一模块110、第二模块120以及第三模块130。第一模块110、第二模块120以及第三模块130构成为被收容在半导体制造装置内的控制用控制器。由此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异常探测装置，具有：收集部，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；保存部，其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志；运算部，其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带；以及判定部，其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。

【技术特征摘要】
2016.11.11 JP 2016-2205881.一种异常探测装置，具有：收集部，其以规定的周期收集表示半导体制造装置的各部的状态的状态信息；保存部，其按规定的单位保存由所述收集部收集到的所述状态信息来作为日志；运算部，其基于所述日志来生成用于对所述半导体制造装置的各部的状态进行监视的监视带；以及判定部，其基于所述状态信息和所述监视带来判定所述半导体制造装置的各部的状态是否异常。2.根据权利要求1所述的异常探测装置，其特征在于，在由所述半导体制造装置进行的工艺处理结束之后，所述判定部参照所述保存部来判定是否存在规定个数以上的通过与所述工艺处理中使用的制程相同的制程执行的工艺处理的日志。3.根据权利要求2所述的异常探测装置，其特征在于，所述监视带包括以下监视带：在由所述判定部判定为存在规定个数以上的通过与所述工艺处理中使用的制程相同的制程执行的工艺处理的日志的情况下，使用所述保存部中保存的多个所述日志来与所述制程相对应地生成的监视带。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的异常探测装置，其特征在于，在所述半导体制造装置开始进行工艺处理时，所述判定部参照所述保存部来判定是否存在与所述工艺处理中使用的制程...

【专利技术属性】
技术研发人员：小山典昭，庄司和史，宫崎太克，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP