低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法制造方法及图纸

本发明专利技术为一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法，该方法包括：发射窄频入射光至低温多晶硅背板；于一轴向上以第一影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取，藉以取得一衍射影像，该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度；于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取，藉以取得另一衍射影像，该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度；以及依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像，以判断该低温多晶硅背板的结晶品质。

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法
本专利技术涉及一种结晶品质检测技术，尤其涉及一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置及其方法。
技术介绍
主动式有机发光显示(Active-MatrixOrganicLight-EmittingDisplay，AMOLED)已逐渐有潜力成为智能手机面板的主流，遂成为各国家面板业极力研发及技术突破的重心，然目前为止，AMOLED产业最大问题在于良率，良率低导致生产越多赔越多，且多数面板业者对于AMOLED生产良率仍有许多改善空间。AMOLED主要由驱动基板、OLED发光层及上盖组成，其中，驱动基板虽然包含多种技术，但主流还是低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)为主。在目前的AMOLED工艺中，LTPS工艺的品质是影响AMOLED良率高低的主要阶段之一，如图1所示，为AMOLED制造流程，其中，LTPS工艺是由非晶硅材料经例如准分子激光退火法(ELA)的退火后形成多晶硅，多晶硅的载子迁移率远高于非晶硅材料，刚好适合AMOLED使用。在激光退火后，正常LTPS中晶粒呈周期性整齐排列，长得就像光栅一般，然而若LTPS背板品质不佳，则其上会有线状缺陷，即整齐排列的晶粒出现一段混乱，如图2A所示，为LTPS背板品质不佳下将会有线状缺陷产生，则以此制成的AMOLED成品，例如显示器，如图2B所示，有亮度不平均(Mura)问题。由于LTPS废片成本仅为AMOLED成品的1％左右，举例来说，LTPS背板成本约每片数百元，但AMOLED成品成本约每片数万元，因而在进入AMOLED工艺前，若能在激光退火后先筛选掉品质不好的LTPS，即有缺陷的LTPS，此可降低AMOLED成为废片的可能，是有助于提升工艺良率。因此，须找出一种检测LTPS背板结晶品质的检测机制，特别是，可依据LTPS结晶晶粒特性进行结晶品质检测，无需增加过多额外成本，遂将成为目前本
人员极力达成的目标。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提出一种LTPS背板结晶品质检测装置及其方法，可判断该LTPS背板的结晶品质。本专利技术的LTPS背板结晶品质检测装置，用于检测承载台上LTPS背板的结晶品质，包括：光源，其发射窄频入射光至LTPS背板，该窄频入射光入射至该LTPS背板后产生衍射光；侦测器，其于一轴向上以第一影像撷取角度以及于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该LTPS背板的表面各位置的影像撷取，其中，该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度，该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度；承载机构，其用以承载该LTPS背板，且令该侦测器于该轴向上以该第一影像撷取角度撷取一衍射影像，以及于该另一轴向上以该第二影像撷取角度撷取另一衍射影像；以及处理模块，其用以依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像，以判断该LTPS背板的结晶品质。本专利技术的另一目的在于提出一种LTPS背板结晶品质检测方法，包括：发射窄频入射光至LTPS背板；于一轴向上以第一影像撷取角度执行该LTPS背板的表面各位置的影像撷取，藉以取得一衍射影像，该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度；于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该LTPS背板的表面各位置的影像撷取，藉以取得另一衍射影像，该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度；以及依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像，以判断该LTPS背板的结晶品质。本专利技术所提出的LTPS背板结晶品质检测装置及其方法，利用光衍射方法于透明LTPS背板上显现结晶缺陷，其中，因激光退火工艺所产生的LTPS晶粒周期，在不同轴向上可能不一样大，因而衍射角度会有不同，故本专利技术对此提出最佳缺陷拍摄角度的搜寻机制，以让侦测器进行影像撷取，另外，还针对LTPS背板在不同轴向上结晶差异，可藉由改变LTPS背板的轴向，以令侦测器撷取不同轴向的影像，故通过不同轴向所撷取衍射影像的衍射光强分布影像，将可更准确决定LTPS背板的结晶品质优劣。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1为现有AMOLED制造流程；图2A和图2B为显示LTPS背板缺陷以及AMOLED成品常见亮度不平均缺陷；图3为本专利技术一实施例的LTPS背板结晶品质检测装置的系统示意图；图4为本专利技术另一实施例的LTPS背板结晶品质检测装置的系统示意图；图5为本专利技术一实施例的LTPS背板结晶品质检测装置具体实施例的示意图；图6A和图6B为本专利技术两个实施例的LTPS背板结晶品质检测装置的立体示意图；图7为本专利技术一实验例的LTPS背板结晶品质检测装置两轴向的衍射光强分布影像图；以及图8为本专利技术的LTPS背板结晶品质检测的一实施例方法的步骤图。符号说明3、4LTPS背板结晶品质检测装置31、41、51、61光源32、42、52、62侦测器33、43承载机构34、44、54处理模块421、621光感测单元422、622影像撷取单元431、53转动单元432移动单元56承载台100LTPS背板200滑轨S81～S84步骤具体实施方式以下藉由特定的具体实施形态说明本专利技术的
技术实现思路
，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的优点与功效。然本专利技术也可藉由其他不同的具体实施形态加以施行或应用。关于LTPS结晶品质量测，由于LTPS背板在可见光照明下呈现为一片黄色玻璃，故一般光学显微镜的检测机台不易看到任何东西。对此，基于LTPS晶粒的周期排列特性，一旦排列出现混乱就会使得采用LTPS的显示器面板产生显示缺陷，因而本专利技术的实施例利用窄频光入射LTPS背板表面，并藉由分析其产生的衍射光(DiffractionLight)来检测LTPS晶粒的排列状态。请参照图3，其为本专利技术一实施例的LTPS背板结晶品质检测装置的系统示意图。如图所示，该LTPS背板结晶品质检测装置3包括光源31、侦测器32、承载机构33以及处理模块34。光源31发射窄频入射光至承载机构33上的LTPS背板100，该窄频入射光入射至LTPS背板100后，会因为LTPS背板100晶粒周期排列情况产生衍射光。于一实施例中，该窄频入射光可为LED光、激光、卤素灯加滤光片或A光源加滤光片，该窄频入射光的频谱半高宽可为小于等于100nm，较佳者，该窄频入射光的频谱半高宽为小于等于10nm。侦测器32于一轴向上以第一影像撷取角度以及于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该LTPS背板100的表面各位置的影像撷取，其中，该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度，该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度。具体来说，侦测器32主要先在一轴向上以第一影像撷取角度执行LTPS背板100的表面各位置的影像撷取，之后再由另一轴向以第二影像撷取角度执行LTPS背板100的表面各位置的影像撷取。侦测器32用以侦测衍射光随着侦测器的侦测角度的光强度变化，藉以找出最大衍射光强度的角度值，以令该最大衍射光强度的角度值成为上述的第一影像撷取角度或第二影像撷取角度。侦测该衍射光随着该侦测器的侦测角度的光强度变化时，侦测器32在空间中进行扫描侦测，例如以入射光照射于LTPS背板100的照射点为轴心并沿着平行光入射面方向作圆弧扫描，藉此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该装置包括：光源，其用以发射窄频入射光至低温多晶硅背板，该窄频入射光入射至该低温多晶硅背板后产生衍射光；侦测器，其用以于一轴向上以第一影像撷取角度以及于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取，其中，该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度，该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度；承载机构，其用以承载该低温多晶硅背板，且令该侦测器于该轴向上以该第一影像撷取角度撷取一衍射影像，以及于该另一轴向上以该第二影像撷取角度撷取另一衍射影像；以及处理模块，其用以依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像，以判断该低温多晶硅背板的结晶品质。

【技术特征摘要】
2016.11.18 TW 1051378281.一种低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该装置包括：光源，其用以发射窄频入射光至低温多晶硅背板，该窄频入射光入射至该低温多晶硅背板后产生衍射光；侦测器，其用以于一轴向上以第一影像撷取角度以及于另一轴向上以第二影像撷取角度执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取，其中，该第一影像撷取角度为该轴向上最大衍射光强度的角度，该第二影像撷取角度为该另一轴向上最大衍射光强度的角度；承载机构，其用以承载该低温多晶硅背板，且令该侦测器于该轴向上以该第一影像撷取角度撷取一衍射影像，以及于该另一轴向上以该第二影像撷取角度撷取另一衍射影像；以及处理模块，其用以依据该衍射影像及该另一衍射影像的衍射光强分布影像，以判断该低温多晶硅背板的结晶品质。2.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该侦测器用于侦测该衍射光随着该侦测器的侦测角度的光强度变化，藉以找出最大衍射光强度的角度值，以令该最大衍射光强度的角度值为该第一影像撷取角度或该第二影像撷取角度。3.如权利要求2所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该侦测器以该窄频入射光照射在该低温多晶硅背板的位置为轴心进行该侦测角度的扫描，以侦测该衍射光的该光强度变化。4.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该侦测器包括用于找出该最大衍射光强度的角度的光感测单元，以及用于影像撷取的影像撷取单元。5.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该侦测器为线形侦测器或面形侦测器。6.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该承载机构更包括转动单元，用以控制该承载机构的转动，以令该侦测器执行该低温多晶硅背板不同轴向上的影像撷取。7.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该承载机构更包括移动单元，用以控制该承载机构的移动，以令该侦测器执行该低温多晶硅背板的表面各位置的影像撷取。8.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，于该轴向上及该另一轴向上执行影像撷取是以两个侦测器分别于该轴向上及该另一轴向上执行影像撷取。9.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该窄频入射光的频谱半高宽为小于等于100纳米。10.如权利要求9所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该窄频入射光的频谱半高宽为小于等于10纳米。11.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该轴向与该另一轴向为正交的两轴向。12.如权利要求1所述的低温多晶硅背板结晶品质检测装置，其特征为，该装置更包括该侦测器于其他轴向上执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨富程，叶佳良，蔡伟雄，林耿立，林友崧，黄卯生，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71