本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72)，该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的...

本发明涉及加热装置和基板处理装置，能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致，使升温过度期的温度推移曲线的升温曲...

本发明提供一种能够抑制质量测量器的破损的涂敷装置。在基片上描绘功能液的描绘图案的涂敷装置，其包括：保持上述基片的基片保持部；液滴排出部，其向保持于上述基片保持部的上述基片排出上述功能液的液滴；移动部，其使上述基片保持部与上述液滴排出部在...

本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照...

本文公开的技术提供了用于间距减小以创建高分辨率特征件并且还在亚分辨率特征件的间距上进行切割的方法和制造结构。技术包括：使用具有不同蚀刻特性的多种材料来选择性地蚀刻特征件，并且在指定的地方创建切口或块。首先，在下层或待蚀刻的层上设置硬掩模...

半导体装置的制造装置具有：基板保持部，其用于保持基板；处理液供给部，其用于对被该基板保持部保持的基板供给处理液；电解处理部，其与该基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及端子，其用于对基板施加电压，其中，电...

本发明提供一种在利用去除液将作为基板的晶圆表面上形成的涂布膜的周缘部去除时抑制在涂布膜端部产生凸起(隆起)的涂布膜去除装置、涂布膜去除方法以及存储介质。在从去除液喷嘴(3)向通过旋转卡盘(11)而旋转的晶圆(W)的周缘部喷出去除液来去除...

本发明提供一种能够进一步提高由能量线照射进行的处理的进展度的均匀性的基片处理装置。基片处理装置包括：收纳晶片(W)的处理室(PR)；加热处理室内的晶片的热板(41)；向处理室内的晶片照射处理用的能量线的光源(31)；绕与处理室内的晶片相...

本发明涉及基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质。抑制向喷嘴的排出口的液溅并实现处理单元小型化。液处理单元(U1)具有保持晶片(W)并使其旋转的旋转保持部(20)；构成为从喷嘴(N1)对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(L1...

提供一种能够获得平坦的被处理膜的基板处理方法。使HF气体的分子吸附于被实施了氧化膜去除处理的晶圆(W)的槽的角部残留的角部SiO2层(49)，排出多余的HF气体，朝向吸附有HF气体的分子的角部SiO2层(49)供给NH3气体，使角部Si...

本文公开的技术提供了一种用于减小间距(增加间距/特征密度)以用于创建高分辨率特征并且还用于对亚分辨率特征的间距进行切割的方法。技术包括使用具有不同刻蚀特性的多种材料来选择性刻蚀特征并在指定的位置创建切口。使用一系列材料或材料线的重复图案...

本发明提供一种处理被加工物的方法，该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来在低温下对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的主蚀刻；在蚀刻步骤刚执行后或主蚀刻刚执行后，使静电吸...

本发明能够缩短用于除去在腔室主体的内部生成的沉积物的清洁时间。本发明提供一种包括等离子体处理装置的腔室主体的内部的清洁的等离子体处理方法。该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和/或氢氟烃气体的处理气体的等离子体来对载置...

本发明涉及基板处理装置、温度控制方法以及存储介质。载置台设置有用于载置基板和以包围该基板的方式配置的环构件的一方或两方的载置面，并在载置面分割得到的各分割区域分别设置有能够调整温度的加热器。计算部使用预测模型计算对载置面上的基板进行规定...

能使装到基板保持器具的基板效率良好冷却的基板处理装置和基板的冷却方法。基板处理装置有：处理容器，其底面开口；基板保持器具，其水平保持多张基板并有预定间隔且能在铅垂方向上装载；升降机构，其使基板保持器具升降，能从开口使基板保持器具自处理容...

提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。本发明防止由于基板的上表面的清洗中所使用的处理液而基板的下表面被污染。本发明在一边利用基板保持旋转部使基板旋转一边并行地进行基板的上表面和下表面的液处理之后，在使基板的上表面和下表面的液处...

提供一种一边高效地对基板进行处理一边有效地对杯内进行清洗的基板处理装置、基板处理方法及计算机可读取的记录介质。基板处理方法包括以下工序：在基板被配置在杯的内侧的状态下，一边使基板绕沿与基板的表面正交的方向延伸的旋转轴以基板的转速在第一转...

本发明提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(...

本发明提供使用简易的装置恰当地测定处理气体的浓度。本发明的疏水化处理装置(41)使用含有离子的处理气体对晶片(W)进行处理，其包括：用于收纳晶片(W)的处理容器(300)；对处理容器(300)的内部供给HMDS气体的气体供给部(320)...

本发明的目的是提供一种使等离子体处理的均匀性提高的等离子体处理装置。该等离子体处理装置利用用于生成等离子体的高频电力来将供给到腔室内的气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，该等离子体处理装置具有：台，其以第一电极与第二电极分离的方式形...