本发明提供一种能够使生产率提高的压力控制方法。一个实施方式的压力控制方法是在一个真空容器内具有被不完全地分隔的多个处理区域的成膜装置中的压力控制方法，所述压力控制方法包括：第一调整步骤：基于按所述多个处理区域的各处理区域而定的目标压力和...

本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子...

本发明提供一种真空处理装置和维护装置。抑制进行基板的输送的输送系统的污染地更换消耗零件。维护装置(100)相对于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)保持气密性、同时安装于等离子体蚀刻装置(10)的第2闸门(95)，该等离子体蚀刻装...

本发明的实施方案提供了用于用稀释的TMAH处理微电子基底的方法。在所述方法中，将微电子基底容纳至处理室中，所述微电子基底具有硅的层、特征或结构。将处理溶液施加至所述微电子基底以蚀刻硅，其中处理溶液包含稀释溶液和TMAH。在处理溶液中或者...

本发明提供一种能够抑制微粒的飞散的基板处理系统和基板输送方法。一实施方式的基板处理系统具备：承载件输送区域，其用于相对于基板处理装置输送收容基板的承载件；基板输送区域，其与所述承载件输送区域之间被分隔壁分隔开，该基板输送区域用于将收容于...

一种更精确地控制处理槽内的处理液的温度的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34)，其贮存处理液，并且通过将基板浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；循环线(50)，其与处理槽连接；泵(51)，其设置于循环线，用于形成从处理槽出...

本发明提供一种能够提高基片的位置控制性的涂敷装置。该涂敷装置，其使功能液的液滴在基片的着液位置在主扫描方向和副扫描方向上移动，在基片上描绘功能液的描绘图案，包括：利用气体的风压使基片浮起在规定的高度的台部；液滴排出部，其向浮起在距台部规...

本发明提供抑制液体附着于基板的下表面的液体处理装置。实施方式的液体处理装置具备基板保持部、驱动部、轴部及喷嘴。基板保持部水平地保持基板。驱动部在利用基板保持部保持着基板的状态下使基板和基板保持部旋转。轴部包含保持于基板保持部的基板的旋转...

本发明提供一种能够进行与热输入量的分布变化相对应的调温的技术。在一个实施方式的处理装置中，流动制冷剂的冷却台包含第一区域～第三区域和制冷剂的流路组，第一区域～第三区域沿冷却台上的静电吸盘的表面配置，第一区域配置在冷却台的中央，第二区域以...

本发明提供一种作为蒸发器的设置于被加工物的载置台的内部的制冷剂的流路，其能够实现制冷剂的压力的均匀性和高的热排出性。在一个实施方式中，冷却台包括第1部分第2部分、第1流路、第2流路和第3流路，静电吸盘设置在第1部分上，第1部分设置在第2...

提供一种减少由于供给臭氧气体而产生的基板温度的偏差的臭氧气体加热机构、基板处理装置以及基板处理方法。一个实施方式的臭氧气体加热机构具备：气体供给单元，其设置在基板处理装置的处理容器内，能够向基板供给臭氧气体；气体供给配管，其与所述气体供...

本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72)，该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的...

本发明涉及加热装置和基板处理装置，能够在晶圆的面内进行均匀性良好的加热处理。在将晶圆(W)载置于热板(23)之后的升温期使各加热模块(2)以及各被加热区域之间的晶圆(W)达到基准温度为止的所需时间一致，使升温过度期的温度推移曲线的升温曲...

本发明提供一种能够抑制质量测量器的破损的涂敷装置。在基片上描绘功能液的描绘图案的涂敷装置，其包括：保持上述基片的基片保持部；液滴排出部，其向保持于上述基片保持部的上述基片排出上述功能液的液滴；移动部，其使上述基片保持部与上述液滴排出部在...

本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照...

本文公开的技术提供了用于间距减小以创建高分辨率特征件并且还在亚分辨率特征件的间距上进行切割的方法和制造结构。技术包括：使用具有不同蚀刻特性的多种材料来选择性地蚀刻特征件，并且在指定的地方创建切口或块。首先，在下层或待蚀刻的层上设置硬掩模...

半导体装置的制造装置具有：基板保持部，其用于保持基板；处理液供给部，其用于对被该基板保持部保持的基板供给处理液；电解处理部，其与该基板保持部相向地配置，用于对被该基板保持部保持的基板进行电解处理；以及端子，其用于对基板施加电压，其中，电...

本发明提供一种在利用去除液将作为基板的晶圆表面上形成的涂布膜的周缘部去除时抑制在涂布膜端部产生凸起(隆起)的涂布膜去除装置、涂布膜去除方法以及存储介质。在从去除液喷嘴(3)向通过旋转卡盘(11)而旋转的晶圆(W)的周缘部喷出去除液来去除...

本发明提供一种能够进一步提高由能量线照射进行的处理的进展度的均匀性的基片处理装置。基片处理装置包括：收纳晶片(W)的处理室(PR)；加热处理室内的晶片的热板(41)；向处理室内的晶片照射处理用的能量线的光源(31)；绕与处理室内的晶片相...

本发明涉及基板处理装置、模拟分配方法和计算机可读取记录介质。抑制向喷嘴的排出口的液溅并实现处理单元小型化。液处理单元(U1)具有保持晶片(W)并使其旋转的旋转保持部(20)；构成为从喷嘴(N1)对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(L1...