被加工物的处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够进行与热输入量的分布变化相对应的调温的技术。在一个实施方式的处理装置中，流动制冷剂的冷却台包含第一区域～第三区域和制冷剂的流路组，第一区域～第三区域沿冷却台上的静电吸盘的表面配置，第一区域配置在冷却台的中央，第二区域以包围第一区域的方式配置，第三区域以包围第一区域和第二区域的方式配置，流路组包括第一流路～第三流路，第一流路配置在第一区域，第二流路配置在第二区域，第三流路配置在第三区域，制冷剂的配管系统包括第一阀组和第二阀组，第一流路与第二流路之间和第二流路与第三流路之间均经由第一阀组连接，冷却单元与流路组经由第二阀组连接。由此，能够进行与热输入量的分布的变化相对应的调温。

Processing device for processed products

The present invention provides a technique for adjusting temperature corresponding to the distribution variation of heat input. In a processing device according to an embodiment, the flow refrigerant cooling table comprises a first region to a third region and a flow path group of refrigerants. The first region to a third region is disposed along the surface of the electrostatic sucker on the cooling table, the first region is disposed in the center of the cooling table, and the second region is disposed in a manner that surrounds the first region. The third zone is arranged in a way that encloses the first zone and the second zone. The flow path group includes the first to the third stream, the first stream is arranged in the first zone, the second stream is arranged in the second zone, the third stream is arranged in the third zone. The refrigerant distribution system includes the first valve group and the second valve group, the first stream and the first stream. The cooling unit is connected with the flow path group through the second valve group, and the cooling unit is connected with the flow path group through the second valve group. Thus, the temperature regulation corresponding to the distribution of heat input can be carried out.

【技术实现步骤摘要】
被加工物的处理装置
本专利技术的实施方式涉及用于在腔室内处理被加工物的处理装置。
技术介绍
存在比较大的热输入源的近年来的等离子体蚀刻处理中，为了将晶片的温度保持为均匀、低温且一定，提出了能够期待高热传递的直膨式的调温系统。特别是，提出了能够使设置在载置晶片的载置台(蒸发器)中的制冷剂的流路形状阶梯式变化，使蒸发器内的热传递均匀的技术。在专利文献1中公开了涉及等离子体处理装置和等离子体处理方法的技术。在专利文献1所公开的技术中，目的在于高速且面内均匀地控制在大量热输入的蚀刻处理时的半导体晶片的温度，在试样台形成环状的制冷剂流路。由于制冷剂的热传递率从制冷剂供给口向制冷剂排出口较大地变化，因此为了使制冷剂的热传递率在制冷剂流路内一定，而成为制冷剂流路的截面积从第一流路向第二流路增加的构造。专利文献2公开了涉及等离子体处理装置的技术。在专利文献2公开的技术中，目的在于高速、面内均匀且宽温度范围地控制因高晶片偏置电力的施加而引起的大量热输入的蚀刻时的晶片的温度，以设置在静电吸附电极中的制冷剂流路为蒸发器，通过将该制冷剂流路和压缩机、冷凝器、第一膨胀阀连接而构成直膨式的冷冻循环。并且，在静电吸附电极与压缩机之间的制冷剂流路设置第二膨胀阀来调节制冷剂的流量，使制冷剂流路为薄壁圆筒构造。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-186856号公报专利文献2：日本特开2012-28811号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题但是，在上述现有的技术中，制冷剂的流路的构造被预先确定，因此难以实现与热输入量的分布的变化相对应的调温。因此，需要能够进行与热输入量的分布的变化相对应的调温的技术。用于解决问题的技术方案在一个实施方式中提供一种被加工物的处理装置。被加工物的处理装置包括：腔室主体；设置在腔室主体的内部的用于载置被加工物的载置台；输出制冷剂的冷却单元；和与冷却单元连接的用于流动制冷剂的配管系统。载置台包括：与配管系统连接，流动经由该配管系统被供给来的制冷剂的冷却台；和设置在冷却台之上的静电吸盘。冷却台包括第一区域、第二区域和第三区域，以及与配管系统连接的用于流动制冷剂的流路组，第一区域、第二区域和第三区域沿静电吸盘的表面配置，第一区域在从静电吸盘的上方看时配置在冷却台的中央，第二区域在从静电吸盘的上方看时以包围第一区域的方式配置，第三区域在从静电吸盘的上方看时以包围第一区域和第二区域的方式配置，流路组包括第一流路、第二流路和第三流路，第一流路配置在第一区域，第二流路配置在第二区域，第三流路配置在第三区域，配管系统包括第一阀组和第二阀组，在流路组中，第一流路与第二流路之间和该第二流路与第三流路之间均经由第一阀组连接，冷却单元与流路组经由第二阀组连接。在上述处理装置中，在用于载置被加工物的载置台的冷却台，分别设置有在冷却台的第一～第三区域分别流动制冷剂的流路组的第一流路～第三流路，第一流路与第二流路之间和第二流路与第三流路之间经由第一阀组连接，冷却单元与设置在冷却台的流路组经由第二阀组连接。因此，通过调整第一阀组的开闭状态和第二阀组的开闭状态，在冷却台内流动的制冷剂的流路和压力能够按冷却台的第一区域～第三区域分别进行调节，从而能够详细地对冷却台进行调温。由此，能够不受等离子体的热输入量的分布的影响，容易使配置在冷却台上的被加工物的温度大致均匀。一个实施方式中，第一阀组包括第一阀和第二阀，第一流路与第二流路经由第一阀连接，第二流路与第三流路经由第二阀连接。如上所述，第一流路与第二流路的连接和第二流路与第三流路的连接各自经由不同的阀进行，因此通过单独进行该各阀的调节，能够单独进行对冷却台的第一区域～第三区域各自的调温，从而能够进行更详细的调温。一个实施方式中，第一阀的开度和第二阀的开度可变。如上所述，设置在第一流路与第二流路之间的第一阀和设置在第二流路与第三流路之间的第二阀的开度均是可变的，因此通过调节第一阀和第二阀的开度，能够更加细致地实现对冷却台的第一区域～第三区域各自的调温。一个实施方式中，随着第二阀组的开闭状态的切换，冷却单元与流路组之间的制冷剂的流路被切换。而且，在另一个实施方式中，第二阀组包括第三阀、第四阀、第五阀和第六阀，冷却单元与第三流路经由第三阀连接，冷却单元与第一流路经由第四阀连接，位于第三阀与第三流路之间的流路与位于第四阀与冷却单元之间的流路经由第五阀连接，位于冷却单元与第三阀之间的流路与位于第四阀与第一流路之间的流路经由第六阀连接。如上所述，第二阀组具有第三阀～第六阀，从而能够可靠地进行冷却单元与流路组之间的制冷剂的流路的变更。一个实施方式中，还包括压力调节装置和传热空间，传热空间设置在静电吸盘与冷却台之间，沿静电吸盘延伸，压力调节装置与传热空间连接，用于调节该传热空间内的压力。因此，从静电吸盘传导至冷却台的热量，能够通过传热空间内的压力的调节来进行调节。因此，能够详细地调节散热的快慢(量和时间)。一个实施方式中，传热空间被气密地分隔为多个区域，压力调节装置与多个区域的每一个连接，用于调节该多个区域各自的内部的压力。因此，传热空间内的压力能够按传热空间的区域来进行调节，从而能够按各传热空间的区域来详细地调节散热的快慢(量和时间)。专利技术的效果如以上说明的方式，提供一种能够进行与热输入量的分布的变化相对应的调温的技术。附图说明图1是概略地表示一个实施方式的处理装置的图。图2是示意地表示一个实施方式的处理装置的配管系统的结构的图。图3是用于说明一个实施方式的处理装置中的从冷却单元对冷却台内的多个流路供给的制冷剂的一个供给顺序的图。图4是用于说明一个实施方式的处理装置中的从冷却单元对冷却台内的多个流路供给的制冷剂的另一供给顺序的图。图5是表示一个实施方式的处理装置中的热输入量与调温的温度的关系的图。图6是表示一个实施方式的处理装置中的热输入量与调温的温度的关系的图。图7是概略地表示一个实施方式的处理装置的另一例的图。附图标记说明10…处理装置，12…腔室主体，12p…开口，14…载置台，16…上部电极，18…支承部件，20…顶板，20a…气体排出孔，22…支承体，22a…连通孔，22b…气体扩散室，22c…端口，24…配管，26…气源，28…流量控制器，30…阀，32…排气装置，34…冷却台，35…流路组，35FC…流路，35FE…流路，35FM…流路，36…静电吸盘，38…支承部件，40…供电体，42…高频电源，44…高频电源，46…匹配器，48…匹配器，54…吸附用电极，56…加热器，60…直流电源，62…加热器电源，64…过滤器，84…聚焦环，86…绝缘性部件，D1…检测器，D2…检测器，DS…区域，FL1…流路，FL11…流路，FL12…流路，FL2…流路，FL21…流路，FL22…流路，FL3…流路，FL31…流路，FL32…流路，FL4…流路，FL41…流路，FL42…流路，FL5…流路，FL6…流路，GRA1…图表，GRA2…图表，GRB1…图表，GRB2…图表，GU…压力调节装置，GV…闸阀，LNG…弹性部件，MCU…控制部，PS…配管系统，RC…区域，RE…区域，RM…区域，S…处理空间，TL…传热空间，TU…冷却单元，VA1…阀，VA2…阀，VB1…阀，VB2…阀，V本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种被加工物的处理装置，其特征在于，包括：腔室主体；设置在所述腔室主体的内部的用于载置所述被加工物的载置台；输出制冷剂的冷却单元；和与所述冷却单元连接的用于流动所述制冷剂的配管系统，所述载置台包括：与所述配管系统连接，流动经由该配管系统被供给来的所述制冷剂的冷却台；和设置在所述冷却台之上的静电吸盘，所述冷却台包括第一区域、第二区域和第三区域，以及与所述配管系统连接的用于流动所述制冷剂的流路组，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域沿所述静电吸盘的表面配置，所述第一区域在从所述静电吸盘的上方看时配置在所述冷却台的中央，所述第二区域在从所述静电吸盘的上方看时以包围所述第一区域的方式配置，所述第三区域在从所述静电吸盘的上方看时以包围所述第一区域和所述第二区域的方式配置，所述流路组包括第一流路、第二流路和第三流路，所述第一流路配置在所述第一区域，所述第二流路配置在所述第二区域，所述第三流路配置在所述第三区域，所述配管系统包括第一阀组和第二阀组，在所述流路组中，所述第一流路与所述第二流路之间、该第二流路与所述第三流路之间均经由所述第一阀组连接，所述冷却单元与所述流路组经由所述第二阀组连接。

【技术特征摘要】
2017.02.02 JP 2017-0178291.一种被加工物的处理装置，其特征在于，包括：腔室主体；设置在所述腔室主体的内部的用于载置所述被加工物的载置台；输出制冷剂的冷却单元；和与所述冷却单元连接的用于流动所述制冷剂的配管系统，所述载置台包括：与所述配管系统连接，流动经由该配管系统被供给来的所述制冷剂的冷却台；和设置在所述冷却台之上的静电吸盘，所述冷却台包括第一区域、第二区域和第三区域，以及与所述配管系统连接的用于流动所述制冷剂的流路组，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域沿所述静电吸盘的表面配置，所述第一区域在从所述静电吸盘的上方看时配置在所述冷却台的中央，所述第二区域在从所述静电吸盘的上方看时以包围所述第一区域的方式配置，所述第三区域在从所述静电吸盘的上方看时以包围所述第一区域和所述第二区域的方式配置，所述流路组包括第一流路、第二流路和第三流路，所述第一流路配置在所述第一区域，所述第二流路配置在所述第二区域，所述第三流路配置在所述第三区域，所述配管系统包括第一阀组和第二阀组，在所述流路组中，所述第一流路与所述第二流路之间、该第二流路与所述第三流路之间均经由所述第一阀组连接，所述冷却单元与所述流路组经由所述第二阀组连接。2.如权利要求1所述的被加工物的处理装置，其特征在于：所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：有田毅彦，三森章祥，山口伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP