The invention relates to a multi-chip wafer-level fan-out three-dimensional packaging structure, which comprises at least two layers of re-wiring layer, a re-wiring layer as a dielectric layer, a metal connection structure on both sides of the dielectric layer to cooperate with each other and form an interconnected structure, and a metal connection structure exposes a dielectric layer as gold. A plastic encapsulation layer is arranged on one side of the re-wiring layer, and a chip or passive passive element is encapsulated in the plastic encapsulation layer, and the adjacent re-wiring layers are connected by micro-silicon blocks. The invention also discloses a packaging process for the multi-chip wafer stage fan-out three-dimensional packaging structure. By adopting the design scheme of the invention, the passive devices with different sizes can be integrated with the bare wafer at the same time, which greatly improves the integration degree. It is especially suitable for wifi, PA, PMU and other types of applications that use a large number of passive devices. At the same time, the three-dimensional stacking method greatly reduces the encapsulation area.
【技术实现步骤摘要】
用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构及其封装工艺
本专利技术涉及半导体封装
,具体涉及一种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构及其封装工艺。
技术介绍
随着电子装置设备的多功能化和小型化越来越高,需要集成封装在一起的芯片种类和数量也日益提高,例如wifi/PA/PMU等应用需要将具有不同功能的有源芯片(裸晶片,或已经封装好的芯片等)与无源被动元器件等其他器件组装到一起,实现具有一定功能的单个封装件,从而形成一个系统或者子系统。目前广泛采用的扇出型封装是对已经塑封在一起的所有被动元件及裸晶片构成的塑封体上进行重新布线以达到元器件之间的互联封装,该类封装方法在应对数量较多且较复杂多样的芯片与无源被动器件的集成封装时存在诸如翘曲度控制难度较大,精度差,封装面积较大,可靠性不高等问题。
技术实现思路
专利技术目的:本专利技术的目的在于解决现有的电子装置设备封装要求能够集成不同功能的芯片,然而封装技术滞后,无法实现多功能,同时对于数量较多且较复杂多样的芯片与无源被动器件的集成封装时存在诸如翘曲度控制难度较大,精度差,封装面积较大,可靠性不高等问题。技术方案:本专利技术采用以下技术方案:一种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,包括至少两层重新布线层,重新布线层为介电层,在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构,金属连接结构露出介电层作为金属触点,重新布线层的一侧设置塑封层,塑封层内塑封有芯片或无源被动元件,相邻的重新布线层之间还设有用于与两层重新布线层形成电学连接的微硅晶块,微硅晶块包括硅晶圆,在硅晶圆上的多个凹槽内壁涂覆二氧化 ...
【技术保护点】
1.一种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,其特征在于:包括至少两层重新布线层,重新布线层为介电层,在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构,金属连接结构露出介电层作为金属触点,重新布线层的一侧设置塑封层,塑封层内塑封有芯片或无源被动元件,相邻的重新布线层之间还设有用于与两层重新布线层形成电学连接的微硅晶块,微硅晶块包括硅晶圆,在硅晶圆上的多个凹槽内壁涂覆二氧化硅介电层并用金属导电柱填充通孔。
【技术特征摘要】
1.一种用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,其特征在于:包括至少两层重新布线层,重新布线层为介电层,在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构,金属连接结构露出介电层作为金属触点,重新布线层的一侧设置塑封层,塑封层内塑封有芯片或无源被动元件,相邻的重新布线层之间还设有用于与两层重新布线层形成电学连接的微硅晶块,微硅晶块包括硅晶圆,在硅晶圆上的多个凹槽内壁涂覆二氧化硅介电层并用金属导电柱填充通孔。2.根据权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,其特征在于:金属连接结构一端与介电层的平面平行,一端延伸出介电层,延伸出介电层的金属触点一侧设置塑封层。3.根据权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,其特征在于:微硅晶块的金属导电柱连接相邻两层介电层的对应金属触点。4.根据权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,其特征在于:完成组装后的多层重新布线层,一侧为塑封层,一侧为介电层,介电层的金属触点位置涂覆锡球。5.根据权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,其特征在于:包括两层重新布线层,从上至下依次设置塑封层、介电层、塑封层和介电层,在介电层的两侧层面上有连接两侧进行互相配合并形成互联结构的金属连接结构,金属连接结构一端与介电层的平面平行,一端延伸出介电层,延伸出介电层的金属触点一侧设置塑封层,塑封层内塑封有芯片或无源被动元件,两层介电层之间的塑封层内还设有将两层介电层对应金属触点进行连接的微硅晶块,微硅晶块包括硅晶圆,在硅晶圆上的多个凹槽内壁涂覆二氧化硅介电层并用金属导电柱填充通孔,最下方的介电层底部金属触点上涂覆锡球。6.根据权利要求1或5所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,其特征在于:塑封层中芯片或无源被动元件带有金属凸点的一侧朝向介电层,对应于介电层上延伸出介电层的金属触点完成连接。7.根据权利要求1或5所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,其特征在于:芯片或无源被动元件包含至少一个伪管芯。8.根据权利要求1至5任意一项所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构,其特征在于:所述介电层为无机介电层或有机介电层。9.一种如权利要求1所述的用于多芯片晶圆级扇出型三维立体封装结构的封装工艺,其特征在于:包括以下步骤:1)在临时载片表面粘附临时键合胶层;2)在步骤1)得到的临时键合胶层表面用薄膜工艺制作第一层的重新...
【专利技术属性】
技术研发人员:王新,蒋振雷,陈坚,
申请(专利权)人:浙江卓晶科技有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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