本发明涉及基板处理装置。在一边使载置于旋转台的一面侧的作为基板的晶圆公转一边进行成膜处理时，沿晶圆的周向实施均匀的处理。设为利用旋转台(2)使在旋转台的一面侧载置晶圆的载置台(3)公转。另外，在载置台的自转轴(32)设有从动齿轮(4)，...

本发明提供一种能够在短时间内收敛于规定温度的热处理装置和温度控制方法。一个实施方式的热处理装置具备：处理容器，其收纳基板；炉主体，其具有对收纳于所述处理容器中的所述基板进行加热的加热器，所述炉主体设置于所述处理容器的周围；鼓风机，其向所...

等离子电极(30)具备中间电极板(60)、接地板(40)以及被配置在中间电极板(60)与接地板(40)之间的中间绝缘板(50)。中间电极板(60)的凸部(61)被配置于接地板(40)的贯通孔(42)以及中间绝缘板(50)的贯通孔(52)...

基板处理装置具备：基板保持部(31)，其保持基板(W)；外喷嘴(45)，其以使基板的表面的至少中心部被喷出的处理液的液膜覆盖的方式从比被基板保持部保持的基板的外周缘靠外侧的位置朝向基板的表面喷出处理液；以及致动器(46、90)，其能够变...

本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清...

本发明的实施方式的液处理装置包括处理部、第1供给通路、第1器件、第2供给通路、第2器件、壳体和外部壳体。处理部使用处理液处理基板。第1供给通路对处理部供给第1处理液。第1器件用于对第1供给通路供给第1处理液。第2供给通路对处理部供给比第...

本文公开的技术提供了用于继续对具有亚分辨率特征的衬底进行图案化的方法。技术包括使用新的沉积和去除技术。这产生具有其中光致抗蚀剂位于给定衬底上的结构之间的交叉指型光致抗蚀剂的衬底。结合使用极紫外光刻曝光，本文的图案化技术可以在衬底上的指定...

本文公开的技术提供了一种用于减小间距以用于创建高分辨率特征并且还用于对亚分辨率特征的间距进行切割的方法和制造结构。技术包括使用具有不同刻蚀特性的多种材料来选择性刻蚀特征并在指定的位置创建切口或块。在下层上形成交替材料的图案。将刻蚀掩模安...

本发明能够抑制聚焦环的径向的温度产生不均匀。第一载置台(2)具有载置作为等离子体处理的对象的晶片(W)的载置面(6d)和外周面。第一载置台(2)在载置面(6d)设置有加热器(6c)，在载置面(6d)的背面侧设置有供电端子(31)。第一载...

本发明提供一种能够以简单的结构在基板的中心位置和外周位置实现与位置相应的液处理的液处理装置和液处理方法。液处理装置具备：保持机构，其保持基板；旋转机构，其使被保持机构保持的基板旋转；喷嘴，其配置为与基板的面相向；以及第一供给路和第二供给...

本发明提供一种真空腔室和真空腔室的门的上锁方法，进一步提高在FPD等的制造装置的内部工作的操作者的安全性。搬送腔室(10)包括容器、顶板(13)、排气装置(41)、门(32)、电磁锁和控制装置(51)。容器具有收纳被处理基板的空间，在上...

提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

本发明涉及基板处理方法和基板处理装置，使图案的上下方向上的蚀刻量的均匀性提高。基板处理方法包括蚀刻工序、温度差形成工序、清洗工序。蚀刻工序对在第一面形成有图案的基板的第一面供给蚀刻液来蚀刻图案。温度差形成工序与蚀刻工序并行地进行，使图案...

本发明提供一种在包括形成有多个气体排出口的电极部件的等离子体处理用的气体供给装置中，实现使形成于气体排出口的喷镀膜的膜厚的均匀化的技术。在用于等离子体处理的具有形成有多个气体流路(41)的电极板(32B)的气体供给装置中，以在气体流路4...

成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内...

本发明提供一种基板处理装置。即使利用批量式的基板处理装置对翘曲了的基板进行处理时也能够进行多个基板的统一输送。基板处理装置具有：载置台，其载置基板收纳容器，该基板收纳容器收纳有从该基板处理装置的外部接收的多个基板；单张式的位置调整部，其...

本发明提供一种热处理装置、热处理方法以及计算机存储介质。在对基板进行热处理的该热处理装置中，以简单的装置结构抑制基板的质量的偏差。热处理装置(40)在包括盖体(130)的处理室(S)内具备热板(132)，该热板载置晶圆(W)并对该载置的...

本发明提供一种气体处理装置和气体处理方法。气体处理装置包括：将处理气体以喷淋状喷出到基板(W)的气体扩散板(35)；设置在气体扩散板的上方侧，沿着周向分别形成有多个气体排出口(43)的多个气体分散部(41)；和上游侧形成各气体分散部共用...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。本发明提供不吹送冷却气体就能够缩短晶圆的冷却时间的基板处理装置和基板的冷却方法。具有：处理容器；基板保持器具，其保持多个基板，被装载于所述处理容器和从所述处理容器卸载；以及吸气管道，其具备吸气口...

本发明提供了一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法，能够抑制堆积物的生成并且能够获得高选择性。一个实施方式的方法包括：在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有第一区域和第二区域的被加工物的步骤...