TiN系膜及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。

【技术实现步骤摘要】
TiN系膜及其形成方法
本专利技术涉及TiN系膜及其形成方法。
技术介绍
在存储设备中，将单元间连接的字线或者位线使用钨配线。为了形成钨配线，使用WF6气体作为原料气体，但在使用WF6气体时，在成膜的过程中作为副产物生成反应性高的F类气体，因此在钨膜成膜之前，作为遮蔽上述钨膜的阻挡膜，形成TiN膜(例如专利文献1)。最近，为了提高器件性能，半导体器件的微细化逐步发展，还出现了如VNAND那样的具有3D结构的器件，伴随上述状况，需求字线和位线的细线化。因此，为了尽可能增大配线内的钨的截面积以使配线低电阻化，还需求阻挡膜的薄膜化。但是，在将由TiN膜形成的阻挡膜薄膜化时，F类的气体经由晶界入侵，可能导致阻挡性劣化，因而期待即使薄膜化也能够维持良好的阻挡性的阻挡膜。另一方面，TiN膜也作为逻辑器件的栅极金属使用(例如专利文献2)，随着半导体器件的微细化，栅极金属也薄膜化。因此，出现因TiN膜的晶粒大小的偏差而导致的阈值电压的偏差的问题。专利文献1：日本特开2003-193233号公报专利文献2：日本特开2014-154790号公报如上所述，使用TiN膜作为钨配线的阻挡膜或者栅极金属，但是伴本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TiN系膜，其特征在于：由氧含量为50at％以上的TiON膜和TiN膜在基板上交替叠层而成的叠层膜形成。

【技术特征摘要】
2016.11.14 JP 2016-2213461.一种TiN系膜，其特征在于：由氧含量为50at％以上的TiON膜和TiN膜在基板上交替叠层而成的叠层膜形成。2.如权利要求1所述的TiN系膜，其特征在于：所述TiN系膜整体的膜厚在3nm以下。3.如权利要求1或2所述的TiN系膜，其特征在于：在所述基板上最先形成有所述TiON膜。4.如权利要求1至3中任一项所述的TiN系膜，其特征在于：所述TiON膜和所述TiN膜是通过ALD形成的膜。5.一种TiN系膜的形成方法，其特征在于：在基板上交替地形成氧含量为50at％以上的TiON膜和TiN膜。6.如权利要求5所述的TiN系膜的形成方法，其特征在于：在所述基板上最先形成所述TiON膜。7.如权利要求5或6所述的TiN系膜的形成方法，其特征在于：所述TiON膜和所述TiN膜通过ALD法形成。8.如权利要求5至7中任一项所述的TiN系膜的形成方法，其特征在于：所述TiON膜通过将以下的一系列的处理作为1个循环，重复进行多次该循环以达到预期的膜厚而形成：在处理容器内配置有基板的状态下，将所述处理容器内保持在减压状态，在规定的处理温度下，交替...

【专利技术属性】
技术研发人员：石坂忠大，小泉正树，佐野正树，洪锡亨，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP