一种显示用电子器件铜合金电极制造技术

本实用新型专利技术属于电子器件技术领域，公开了一种显示用电子器件铜合金电极。所述铜合金电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜导电主体层和纯铝薄膜缓冲阻挡层构成，所述导电主体层厚度为20～1000nm，缓冲阻挡层的厚度为5～200nm。本实用新型专利技术制备的铜合金电极具有高结合强度，低电阻率，与绝缘层兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种显示用电子器件铜合金电极
本技术属于电子器件
，具体涉及一种显示用电子器件铜合金电极。
技术介绍
大尺寸、高分辨率、高刷新率和低功耗面板是显示技术发展的趋势，近年来，随着这种趋势的发展，使用Al电极布线会出现信号延迟(RC延迟)现象，难以满足高性能显示需求，开发高导布线电极材料可以使器件获得低阻抗延迟。与Al相比，Cu布线因更低的电阻率和更高的抗电迁移性能而在高导布线领域得到广泛关注。铜作TFT器件电极，目前主要面临以下困难：(1)铜易扩散，造成“铜污染”，导致TFT器件的绝缘层或有源层中形成深受主杂质能级，使器件性能退化。(2)Cu薄膜难以与玻璃或硅基板键合，导致铜电极的黏附性差，易从基板脱落。(3)铜电极的机械强度低。(4)铜电极表面易氧化和硫化，导致界面劣化，电极电阻率上升。基于以上问题，目前的解决方法主要有：(1)使用铜合金代替纯铜作为电极材料。合金化虽然提高了电极与衬底的结合强度，但是一般的铜合金会明显削弱铜电极高导特性，使其失去优势甚至不能达到使用要求。(2)在铜电极和衬底之间生长铜籽晶层，用于改善结合强度和抗电迁移性。引入籽晶层的技术，虽然可以达到以上目的，但本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示用电子器件铜合金电极，其特征在于：所述铜合金电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜导电主体层和纯铝薄膜缓冲阻挡层构成，所述导电主体层厚度为20～1000nm，缓冲阻挡层的厚度为5～200nm。

【技术特征摘要】
1.一种显示用电子器件铜合金电极，其特征在于：所述铜合金电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜导电主体层和纯铝薄膜缓冲阻挡层构成，所述导电主体层厚度为20～10...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚日晖，卢宽宽，彭俊彪，宁洪龙，胡诗犇，陶瑞强，刘贤哲，陈建秋，徐苗，王磊，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东,44