GaN电子器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种GaN电子器件，其包括由下自上依次形成的SiC衬底层、GaN缓冲层、GaN通道层、AlN空间层、AlGaN势垒层、GaN帽层和多层介质膜，GaN帽层上形成有栅极、源极和漏极，栅极位于源极和漏极之间，栅极嵌入多层介质膜与GaN帽层接触，多层介质膜覆盖至少部分源极和漏极，其中，多层介质膜为三层结构或双层结构，三层结构为由下自上的SiN薄膜、SiO2薄膜和SiN薄膜，两层SiN薄膜均具有张应力，SiO2薄膜具有压应力，双层结构为两层SiN薄膜，两层SiN薄膜均具有张应力。通过上述方式，本实用新型专利技术能够有效抑制电流崩塌效应。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种GaN电子器件。
技术介绍
氮化镓(GaN)材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代半导体材料(Ge、Si)、第二代半导体材料(GaAs、InP)之后的第三代半导体材料。GaN电子器件可在异质结界面附近产生很强的压电极化和自发极化，感生出极高密度的界面电荷，强烈调制了异质结的能带结构，加强了对二维电子气(2-DEG)的二维空间限制，从而提高了二维电子气的面密度，以AlGaN/GaN异质结为例，在AlGaN/GaN异质结中即使不进行任何掺杂，仅通过极化应力，二维电子气的面密度就可达到1013/cm2，这比AlGaAs/GaAs异质结中二维电子气的面密度高出一个数量级。尽管目前GaN电子器件已经开始初步商业化，但仍然受到诸多问题的困扰，比如电流崩塌效应、高温下器件可靠性以及器件理论性能水平与实际制备的器件实际水平存在一定差距等，这些问题大大制约了氮化镓器件的商业化进程，其中，如何有效抑制电流崩塌效应又是当前研究的重点。【
技术实现思路
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【技术保护点】
一种GaN电子器件，其特征在于，包括由下自上依次形成的SiC衬底层、GaN缓冲层、GaN通道层、AlN空间层、AlGaN势垒层、GaN帽层和多层介质膜，所述GaN帽层上形成有栅极、源极和漏极，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间，所述栅极嵌入所述多层介质膜与所述GaN帽层接触，所述多层介质膜覆盖至少部分源极和漏极，其中，所述多层介质膜为三层结构或双层结构，所述三层结构为由下自上的SiN薄膜、SiO2薄膜和SiN薄膜，两层SiN薄膜均具有张应力，SiO2薄膜具有压应力，所述双层结构为两层SiN薄膜，两层SiN薄膜均具有张应力。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周华芳，
申请(专利权)人：成都嘉石科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51