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本实用新型提供了一种GaN电子器件，其包括由下自上依次形成的SiC衬底层、GaN缓冲层、GaN通道层、AlN空间层、AlGaN势垒层、GaN帽层和多层介质膜，GaN帽层上形成有栅极、源极和漏极，栅极位于源极和漏极之间，栅极嵌入多层介质膜与G...
该专利属于成都嘉石科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都嘉石科技有限公司授权不得商用。

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