具有高的电子可运动性的晶体管制造技术
A transistor with high electronic motion
\u672c\u53d1\u660e\u6d89\u53ca\u4e00\u79cd\u7528\u4e8e\u5236\u9020\u5177\u6709\u9ad8\u7684\u7535\u5b50\u53ef\u8fd0\u52a8\u6027\u7684\u6676\u4f53\u7ba1(100\u3001200\u3001300\u3001400\u3001500\u3001600\u3001700)\u7684\u65b9\u6cd5\uff0c\u8be5\u6676\u4f53\u7ba1\u5305\u62ec\u5177\u6709\u5f02\u8d28\u7ed3\u6784(103\u3001203\u3001303\u3001403\u3001503\u3001603\u3001703)\u3001\u5c24\u5176\u662fAlGaN/GaN\u5f02\u8d28\u7ed3\u6784\u7684\u886c\u5e95(101\u3001201\u3001301\u3001401\u3001501\u3001601\u3001701)\uff0c\u8be5\u65b9\u6cd5\u5177\u6709\u4ee5\u4e0b\u6b65\u9aa4\uff1a\u901a\u8fc7\u534a\u5bfc\u4f53\u5c42\u7684\u7ed3\u6784\u5316\u4ea7\u751f(8030)\u6805\u7535\u6781\uff0c\u8be5\u534a\u5bfc\u4f53\u5c42\u88ab\u65bd\u52a0\u5230\u6240\u8ff0\u5f02\u8d28\u7ed3\u6784(103\u3001203\u3001303\u3001403\u3001503\u3001603\u3001703)\u4e0a\uff0c\u5176\u4e2d\uff0c\u6240\u8ff0\u534a\u5bfc\u4f53\u5c42(104\u3001204\u3001304\u3001404\u3001504\u3001604\u3001704)\u5c24\u5176\u5177\u6709\u591a\u6676\u7845\uff1b\u5c06\u949d\u5316\u5c42(105\u3001205\u3001305\u3001405\u3001505\u3001605)\u65bd\u52a0(8040)\u5230\u6240\u8ff0\u534a\u5bfc\u4f53\u5c42(104\u3001204\u3001304\u3001404\u3001504\u3001604\u3001704)\u4e0a\uff1b\u5f62\u6210(8070)\u6f0f\u6781\u533a\u57df\u548c\u6e90\u6781\u533a\u57df\uff0c\u5176\u65b9\u5f0f\u4e3a\uff0c\u4ea7\u751f The first vertical opening, the first vertical opening at least reaches the heterostructure (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703); the first vertical opening partially filled with a first metal until at least the passivation layer (105, 205, 305, 405, 505, 605). The height of the source and drain regions in the very region (8080) and an ohmic contact; second metal layer (8090) is applied to the ohmic contact, wherein, the second metal layer extending over the passivation layer (105, 205, 305, 405, 505, 605).
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有高的电子可运动性的晶体管
本专利技术涉及一种用于制造具有高的电子可运动性的晶体管的方法和一种具有高的电子可运动性的晶体管。
技术介绍
具有高的电子可运动性的晶体管、例如HEMT(高电子迁移率晶体管)通过异质结构如AlGaN/GaN在蓝宝石、碳化硅或硅衬底上的外延沉积来制造。所述晶体管的特征在于通道区域中的高载流子密度。已知的是，在HEMT晶体管中的栅电极包括肖特基触点、即金属-半导体-过渡部。在此不利的是，在高电压的情况下，在截止情况中出现非常高的泄露电流并且结构元件的损耗非常高。此外不利的是，最大栅极电压受到限制，因为肖特基触点在正栅极电压逐渐变大的情况下具有非常高的泄露电流。由此，损害了结构元件的动态功率，并且这可能导致构件退化和/或破坏。最大栅极电压可以通过以下方式提高：在半导体层例如AlGaN与栅电极之间布置绝缘层，从而产生金属-绝缘式-半导体-触点，由此使HEMT晶体管的栅电极相对于半导体层绝缘。然而在此不利的是，半导体层相对于绝缘层的边界面和绝缘层相对于栅电极的边界面还有介电层的针对结构部件的动态功率和退化的品质承受高技术要求。此外，已知两种用于制...
【技术保护点】
用于制造具有高的电子可运动性的晶体管(100、200、300、400、500、600、700)的方法，该晶体管包括具有异质结构(103、203、303、403、503、603、703)、尤其是AlGaN/GaN异质结构的衬底(101、201、301、401、501、601、701)，所述方法具有以下步骤：‑通过半导体层的结构化产生(8030)栅电极，该半导体层被施加到所述异质结构(103、203、303、403、503、603、703)上，其中，所述半导体层(104、204、304、404、504、604、704)尤其具有多晶硅，‑将钝化层(105、205、305、405、...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.29 DE 102015212048.11.用于制造具有高的电子可运动性的晶体管(100、200、300、400、500、600、700)的方法，该晶体管包括具有异质结构(103、203、303、403、503、603、703)、尤其是AlGaN/GaN异质结构的衬底(101、201、301、401、501、601、701)，所述方法具有以下步骤：-通过半导体层的结构化产生(8030)栅电极，该半导体层被施加到所述异质结构(103、203、303、403、503、603、703)上，其中，所述半导体层(104、204、304、404、504、604、704)尤其具有多晶硅，-将钝化层(105、205、305、405、505、605)施加(8040)到所述半导体层(104、204、304、404、504、604、704)上，-形成(8070)漏极区域和源极区域，其方式为，产生第一竖直开口，该第一竖直开口至少达到所述异质结构(103、203、303、403、503、603、703)中，-通过使所述第一竖直开口部分地填充以第一金属至少直至所述钝化层(105、205、305、405、505、605)的高度，在所述漏极区域和所述源极区域中产生(8080)欧姆触点，和-将第二金属层施加(8090)到所述欧姆触点上，其中，所述第二金属层伸出超过所述钝化层(105、205、305、405、505、605)。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将绝缘层(311、411、511、611、711)施加(8020)到所述异质结构(103、203、303、403、503、603、703)上，其中，所述绝缘层(311、411、511、611、711)布置在所述异质结...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·施魏格尔，S·A·尧斯，M·格里布，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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