高电子迁移率晶体管温度传感器制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括高电子迀移率晶体管（High-Electron-Mobility Transistor，HEMT)的集成结构。它还涉及一种采用该结构的集成电路组件和电子器件。
技术介绍
在功率半导体中，自发热是一种已知的问题，在AlGaN/GaN功率HEMT中，由于典型 的高功耗水平，这个问题显得特别重要。在静态和动态的情况下，GaNHEMT和GaN二极管 在应用板上进行测试时，被观察到要蒙受热效应之苦。在静态直流I-V测量中，自发热效应 得以显现，其中观察到当功耗增大时，饱和区出现明显的负斜率。电流崩塌是HEMT中的一 种"记忆"效应，其中流经器件的电流取决于先前施加到器件上的电压。温度越高，电流崩 塌的影响越坏。从而，在进行系统设计时，需要特别仔细地注意GaN功率半导体的栅极驱动 和漏-源偏置。在例如功率因数补偿（PFC)、升压电路或电机驱动控制等应用中，器件在开 关时非常迅速地到达高温度，且经常表现出热逸溃，由于它超过了最大结温度（Tp和封装 的限制，会引起器件的损坏。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种集成结构，包括：高...
【技术保护点】
一种集成结构，其特征在于，包括：高电子迁移率晶体管(HEMT)和与HEMT相集成的温度感应结构，所述温度感应结构配置为提供指示温度的信号，以为所述HEMT提供温度保护。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：迪利普·马达夫·瑞恩布德，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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