The invention relates to a material structure for a solar cell and a manufacturing method for a material structure. A solar cell including the material structure is also disclosed. The material structure (100) includes a semiconductor material as the light absorbing layer (102), (104), the metal layer is disposed on the light absorption layer (102) and the metal layer (104) between the passivation layer (106), the passivation layer (106) comprises a plurality of electrical contacts (108), the electric contacts (108) from the top surface of the passivation layer (110) extends to the bottom surface (112), so that the electrical contacts (108) and the light absorption layer (102) and the metal layer (104) electrical contact, wherein the electrical contacts (108) formed from a first metal, and the metal layer (104) formed by second different metals, the second metal and the first metal.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于太阳能电池的材料结构体、太阳能电池、以及制造材料结构体的方法
本专利技术涉及用于太阳能电池的材料结构体以及制造材料结构体的方法。还公开了包括该材料结构体的太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池将太阳能转化为电能。然而,用于高效能量转换的太阳能电池的具有成本效益的大规模生产是具有挑战性的。常规太阳能电池包括光吸收层,该光吸收层被布置为吸收光子并将光子的能量转换成分离的自由电荷载体,使得实现电位差。光吸收层通常形成太阳能电池的pn结的一部分。因此,落在光吸收层上的适当波长的辐射可以到达提供电子-空穴对的pn结。当空穴和电子在相反方向上穿过该结时,在pn结上进一步获得电位差。因此可以产生电流,这可以(例如)向外部电路输送电力。制造太阳能电池时的较大成本是所使用的昂贵材料。迄今为止,市场由基于晶体硅晶片的太阳能电池主导,其中在该晶体硅晶片上布置有包含单晶硅或多晶硅的一层或多层光吸收层。这些太阳能电池具有高的转换效率,但其制造成本高且易碎。然而,存在其它具有有益的光伏特性的半导体材料。在商业上,也可以将诸如Cu(In,Ga)Se2(也称为CIGS)和CdTe之类的化合物用作 ...
【技术保护点】
一种用于太阳能电池的材料结构体,所述材料结构体(100)包括:作为半导体材料的光吸收层(102),金属层(104),布置在所述光吸收层(102)和所述金属层(104)之间的钝化层(106),所述钝化层(106)包括多个电触点(108),所述电触点(108)从所述钝化层(106)的顶表面(110)延伸到底表面(112),使得所述电触点(108)与所述光吸收层(102)和所述金属层(104)电接触,其中所述电触点(108)由第一金属形成,并且所述金属层(104)由第二金属形成,所述第二金属与所述第一金属不同。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.04.10 EP 15163195.91.一种用于太阳能电池的材料结构体,所述材料结构体(100)包括:作为半导体材料的光吸收层(102),金属层(104),布置在所述光吸收层(102)和所述金属层(104)之间的钝化层(106),所述钝化层(106)包括多个电触点(108),所述电触点(108)从所述钝化层(106)的顶表面(110)延伸到底表面(112),使得所述电触点(108)与所述光吸收层(102)和所述金属层(104)电接触,其中所述电触点(108)由第一金属形成,并且所述金属层(104)由第二金属形成,所述第二金属与所述第一金属不同。2.根据权利要求1所述的材料结构体,其中所述电触点(108)包含钼,Mo。3.根据权利要求1或2所述的材料结构体,其中所述钝化层(106)包含介电材料和/或半导体材料。4.根据权利要求1至3中任一项所述的材料结构体,其中所述金属层(104)包含Cu、Al、Ag、Mo、W、Cr、Ta、Nb、V、Ti、Mn、ZrN、TiN、Nb:TiO2、TiB2或其组合。5.根据权利要求1至4中任一项的材料结构体,其中所述光吸收层(102)是由Cu(In,Ga)Se2、Cu(In,Ga)(S,Se)2、Cu2ZnSn(S,Se)4、或CdTe构成的复合半导体材料。6.根据权利要求1至5中任一项所述的材料结构体,还包括基底(302),其中所述金属层(104)被布置在所述基底(302)上。7.根据权利要求1-6中任一项所述的材料结构体,还包括缓冲层(802),所述缓冲层(802)和所述光吸收层(102)形成pn结的一部分,该pn结被布置为将光转换成电压。8.一种太阳能电池,其包括根据权利要求1至7中任一项所述的材料结构体。9.一种制造用于太阳能电池的材料结构体的方法,所述方法(200)包括:提供包括金属层(104)的基底(302)的步骤(202...
【专利技术属性】
技术研发人员:佩德罗·萨洛米,萨沙·扎德瓦塞尔,拉尔斯·蒙特柳斯,
申请(专利权)人:INL国际伊比利亚纳米技术实验室,
类型:发明
国别省市:葡萄牙,PT
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