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本实用新型属于电子器件技术领域，公开了一种显示用电子器件铜合金电极。所述铜合金电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜导电主体层和纯铝薄膜缓冲阻挡层构成，所述导电主体层厚度为20～1000nm，缓冲阻挡层的厚度为5～200nm。本实用新型制备的铜合...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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