基板处理装置和隔热板制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置和隔热板。基板处理装置即使反复进行处理，也能够对基板均匀地实施使用了自由基的处理。工艺模块(13)具备：处理容器(28)，其收容晶圆(W)；分隔板(37)，其配置于该处理容器(28)的内部的等离子体生成空间(P)与晶圆(W)之间；隔热板(48)，其配置于分隔板(37)与晶圆(W)之间，分隔板(37)选择性地使在等离子体生成空间(P)中生成的等离子体中的自由基朝向晶圆(W)透过，隔热板(48)以与晶圆(W)相对的方式配置，隔热板(48)由金属形成，与处理容器(28)连接。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和隔热板
本专利技术涉及使用等离子体中的自由基来对基板实施处理的基板处理装置和适用于该基板处理装置的隔热板。
技术介绍
近年来，提出了使用等离子体中的自由基来对作为基板的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”。)实施化学蚀刻处理(参照例如专利文献1。)。这样的实施化学蚀刻处理的装置具备板状的离子捕集器，该板状的离子捕集器在处理容器内介于等离子体与晶圆之间，对等离子体中的离子朝向晶圆移动进行抑制。离子捕集器具有沿着厚度方向贯通的许多狭缝，利用由多个狭缝构成的迷宫阻止各向异性地移动的离子的移动，而使各向同性地移动的自由基透过。其结果，在面对晶圆的处理空间大致仅存在自由基，自由基、导入到处理空间的处理气体由于与晶圆的表层反应而对晶圆实施化学蚀刻处理。一般而言，等离子体的分布易于受到磁场、电场的形态的影响，在例如处理容器是圆筒形状的情况下，存在等离子体的浓度在处理容器的中心轴线附近上升的倾向。因而，在面对等离子体的离子捕集器中，与中心部碰撞的离子较多，若反复进行例如化学蚀刻处理，则很多热蓄积于离子捕集器的中心部，作为结果，来自离子捕集器的中心部的朝向处理空间、晶圆的辐射热量增加。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2013/175897号说明书
技术实现思路
专利技术要解决的问题不过，自由基的分布强烈受到热分布的影响，因此，因反复化学蚀刻处理而使来自离子捕集器的中心部的辐射热量增加，若产生处理空间中的热分布的偏差，则处理空间中的自由基的分布也产生偏差，其结果，产生无法均匀地对晶圆实施化学蚀刻处理这样的问题。本专利技术的目的在于提供一种即使反复处理、也能够对基板均匀地实施使用了自由基的处理的基板处理装置和隔热板。用于解决问题的方案为了达成上述目的，本专利技术的基板处理装置具备：处理容器，其收容基板；分隔构件，其配置于在该处理容器内产生的等离子体与所述基板之间，所述分隔构件选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，该基板处理装置的特征在于，具备配置于所述分隔构件与所述基板之间的隔热板，所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，所述隔热板由金属或硅形成，与所述处理容器连接。为了达成上述目的，本专利技术的隔热板配置于分隔构件与基板之间，该分隔构件配置于等离子体与所述基板之间，选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，其特征在于，所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，所述隔热板由金属或硅形成。专利技术的效果根据本专利技术，配置于选择性地使等离子体中的自由基朝向晶圆透过的分隔构件和晶圆之间的隔热板以与基板相对的方式配置，因此，能够抑制由于基板的反复处理而热从蓄积有热的分隔构件朝向基板辐射。由此，能够防止在基板所面对的处理空间中产生自由基的分布的偏差。其结果，即使反复处理，也能够对基板均匀地实施使用了自由基的处理。另外，隔热板由金属形成，与处理容器连接，因此，隔热板能够使从分隔构件辐射来的热向处理容器效率良好地传递，能够防止热蓄积于隔热板。附图说明图1是概略地表示具备本专利技术的实施方式的基板处理装置的基板处理系统的结构的俯视图。图2是概略地表示图1中的执行COR处理的工艺模块的结构的剖视图。图3是概略地表示图2中的分隔板的结构的图，图3的(A)从基板处理空间观察分隔板的图，图3的(B)是沿着图3的(A)中的线III-III的剖视图。图4是概略地表示图2中的隔热板的结构的图，图4的(A)是从基板处理空间观察隔热板的图，图4的(B)是沿着图4的(A)中的线IV-IV的剖视图。图5是概略地表示图4的隔热板的变形例的结构的图，图5的(A)是从基板处理空间观察隔热板的图，图5的(B)是沿着图5的(A)中的线V-V的剖视图。图6是表示在不具备隔热板的工艺模块中反复执行了COR处理的情况的分隔板和晶圆的温度的时间跃迁的图表。图7是表示在具备隔热板的工艺模块中反复执行了COR处理的情况的隔热板和晶圆的温度的时间跃迁的图表。附图标记说明W、晶圆；13、工艺模块；28、处理容器；37、分隔板；48、隔热板；49、狭缝；52、气体喷出口。具体实施方式以下，参照附图详细地说明本专利技术的实施方式。图1是概略地表示具备本专利技术的实施方式的基板处理装置的基板处理系统的结构的俯视图。此外，在图1中，为了容易地理解，透视地表示内部的结构的一部分。在图1中，基板处理系统10具备：晶圆保管部11，其保管多个晶圆W；作为输送室的传递模块12，其将两张晶圆W同时输送；多个工艺模块13(基板处理装置)，其对从传递模块12输入来的晶圆W实施COR(化学氧化物去除，ChemicalOxideRemoval)处理、PHT处理(后热处理，PostHeatTreatment)、成膜处理。各工艺模块13和传递模块12的内部维持于真空气氛。在基板处理系统10中，保管到晶圆保管部11的晶圆W由传递模块12所内置的输送臂14输送，将晶圆W逐张载置于配置到工艺模块13的内部的两个载置台15中的每一个。接下来，在基板处理系统10中，于在工艺模块13中对载置到载置台15的各晶圆W实施了COR处理、PHT处理、成膜处理之后，处理完毕的晶圆W由输送臂14向晶圆保管部11输出。晶圆保管部11具有：多个加载部17，其作为前开式晶圆传送盒16的载置台，该前开式晶圆传送盒16是保管多个晶圆W的容器；装载模块18，其从载置到各加载部17的前开式晶圆传送盒16接收所保管的晶圆W，或者将在工艺模块13中实施了预定的处理的晶圆W交给前开式晶圆传送盒16；两个加载互锁模块19，其暂时保持晶圆W，以便在装载模块18与传递模块12之间交接晶圆W；冷藏室20，其对实施了PHT处理的晶圆W进行冷却。装载模块18由内部是大气压气氛的矩形的壳体构成，在构成该矩形的长边的一侧面并列设置有多个加载部17。而且，装载模块18在内部中具有可沿着该矩形的长度方向移动的输送臂(未图示)。该输送臂将晶圆W从载置到各加载部17的前开式晶圆传送盒16向加载互锁模块19输入，或者将晶圆W从加载互锁模块19向各前开式晶圆传送盒16输出。各加载互锁模块19将收容到被载置于大气压气氛的各加载部17的前开式晶圆传送盒16的晶圆W交给内部处于真空气氛的工艺模块13，因此，暂时保持晶圆W。各加载互锁模块19具有保持两张晶圆W的缓冲板21。另外，各加载互锁模块19具有用于相对于装载模块18确保气密性的闸阀22a和用于相对于传递模块12确保气密性的闸阀22b。而且，未图示的气体导入系统和气体排气系统借助配管与加载互锁模块19连接，加载互锁模块19的内部被控制成大气压气氛或真空气氛。传递模块12将未处理的晶圆W从晶圆保管部11向工艺模块13输入，将处理完毕的晶圆W从工艺模块13向晶圆保管部11输出。传递模块12由内部是真空气氛的矩形的壳体构成，包括：两个输送臂14，其保持两张晶圆W而使两张晶圆W移动；旋转台23，其将各输送臂14支承成可旋转；旋转载置台24，其搭载有旋转台23；导轨25，其将旋转载置台24引导成可沿着传递模块12的长度方向移动。另外，传递模块12经由闸阀22a、22b、进一步经由随后叙述的各闸阀26与晶圆保管部11的加载互锁模块19、以及各工艺模块13连接。在传递模块12中，输送臂14从加载互锁模块19将两张晶圆W向各工艺模块13输送，将实施了处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理装置，具备：处理容器，其收容基板；分隔构件，其配置于在该处理容器内产生的等离子体与所述基板之间，所述分隔构件选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，该基板处理装置的特征在于，具备配置于所述分隔构件与所述基板之间的隔热板，所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，所述隔热板由金属形成，与所述处理容器连接。

【技术特征摘要】
2016.11.28 JP 2016-2305441.一种基板处理装置，具备：处理容器，其收容基板；分隔构件，其配置于在该处理容器内产生的等离子体与所述基板之间，所述分隔构件选择性地使所述等离子体中的自由基朝向所述基板透过，该基板处理装置的特征在于，具备配置于所述分隔构件与所述基板之间的隔热板，所述隔热板以与所述基板相对的方式配置，所述隔热板由金属形成，与所述处理容器连接。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔热板构成所述处理容器的一部分。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔热板和所述处理容器均由铝或铝合金形成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔热板具有使处理气体朝向所述基板喷出的多个喷出口。5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述隔热板具有沿着厚度方向贯通的自由基通路，该自由基通路的截面形状随着朝向所述基板去而扩径。6.根据权利要求1～5中...

【专利技术属性】
技术研发人员：小川裕之，清水昭贵，土场重树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP