成膜装置、成膜方法以及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及成膜装置、成膜方法以及存储介质，在对半导体晶圆例如交替地供给原料气体和反应气体并将反应生成物依次层叠来进行成膜处理时提高生产率的技术。在处理容器(5)内的旋转台(1)上沿周向等间隔地配置能够进行自转的载置台(2)。利用沿周向等间隔地设置的分离部(4)将旋转台的上方区域划分为四个处理区域(S1)～(S4)，向隔一个区域配置的处理区域(S1)、(S3)供给原料气体。另外，向处理区域(S2)、(S4)供给反应气体并且产生等离子体。将晶圆(W)载置于各载置台，使旋转台间歇性地进行旋转以使晶圆在各处理区域中依次停止，并且在晶圆位于各处理区域时使载置台进行自转来对各晶圆同时进行所谓的ALD处理。

Film forming device, film forming method and storage medium

The invention relates to a film forming device, a film forming method and a storage medium, and a technology for improving productivity on semiconductor wafers, such as alternately supplying raw gas and reaction gas, and reproducing the generated products in sequence. The revolving table (1) in the processing container (5) is arranged along the circumferential interval of the carrying table (2) that can be rotated. The upper part of the turntable is divided into four processing areas (S1) ~ (S4) by using the separation part (4) along the circumferential equidistance, and the raw gas is supplied to the processing area (S1) and S3 distributed in one area. In addition, the reaction gas is supplied to the processing area (S2), (S4) and the plasma is produced. The wafer is placed on the loading stage to rotate the rotatable platform intermittently, so that the wafers will stop in the processing area sequentially. When the wafer is located in the processing area, the loading stage will rotate to make the so-called ALD processing for all wafers at the same time.

【技术实现步骤摘要】
成膜装置、成膜方法以及存储介质
本专利技术涉及对基板交替地供给作为处理气体的第一气体和第二气体来进行成膜处理的

技术介绍
作为对半导体晶圆(以下称为“晶圆”)例如进行氮化硅膜等薄膜的成膜的方法之一，已知一种向晶圆的表面依次供给薄膜的原料气体及与该原料气体反应的反应气体并将反应生成物进行层叠的所谓ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)法。作为使用该ALD法进行成膜处理的成膜装置，例如能够列举如专利文献1所记载那样的结构，即在真空容器内设置用于使多片晶圆沿周向排列并进行公转的旋转台，并且以与该旋转台相向的方式设置有多个气体供给喷嘴。在该装置中，在分别被供给处理气体的处理区域之间设置有被供给分离气体的分离区域，以避免处理气体之间互相混合。另外，使用等离子体将反应气体活化的区域和使用等离子体将薄膜改性的区域沿周向分离地设置。上述成膜装置是在旋转台上载置多片基板来进行处理的所谓半间歇方式，具有面内均匀性良好且能够实现生产能力的提高的优点，但业界期望这种方式的装置进一步提高生产率。在专利文献2中记载了一种载置四片半导体目标并用分隔壁将能够旋转的台的上方区域分离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜装置，在形成真空环境的处理容器内进行多次向基板交替地供给作为处理气体的第一气体和第二气体的循环，从而在基板上形成薄膜，该成膜装置的特征在于，具备：n个第一处理区域，所述n个第一处理区域沿着所述处理容器的周向隔开间隔地设置，各所述第一处理区域用于供给第一气体来对基板进行处理，其中，n为2以上的整数；n个第二处理区域，各所述第二处理区域沿着所述周向设置在第一处理区域之间，用于供给第二气体来对基板进行处理；分离部，其用于将所述第一处理区域与第二处理区域之间分离；载置部，其构成为能够沿所述周向进行公转，并且沿所述周向配置多个所述载置部，各载置部用于载置基板；以及控制部，其使所述载置部间歇性地进...

【技术特征摘要】
2016.08.03 JP 2016-153155;2017.05.26 JP 2017-104541.一种成膜装置，在形成真空环境的处理容器内进行多次向基板交替地供给作为处理气体的第一气体和第二气体的循环，从而在基板上形成薄膜，该成膜装置的特征在于，具备：n个第一处理区域，所述n个第一处理区域沿着所述处理容器的周向隔开间隔地设置，各所述第一处理区域用于供给第一气体来对基板进行处理，其中，n为2以上的整数；n个第二处理区域，各所述第二处理区域沿着所述周向设置在第一处理区域之间，用于供给第二气体来对基板进行处理；分离部，其用于将所述第一处理区域与第二处理区域之间分离；载置部，其构成为能够沿所述周向进行公转，并且沿所述周向配置多个所述载置部，各载置部用于载置基板；以及控制部，其使所述载置部间歇性地进行公转，使得在停止公转的状态下，所述基板交替地位于所述第一处理区域和所述第二处理区域，其中，所述载置部被配制成，在所述载置部的公转停止时，位于n个第一处理区域和n个第二处理区域的各处理区域中的基板的片数相同。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述第一气体是吸附于所述基板的作为薄膜的原料的原料气体，所述第二气体是与该原料气体反应来生成反应生成物的反应气体。3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，第一处理区域与第二处理区域中的所需的气体的供给时间互不相同，载置部与所需的气体的供给时间长的一方的时间相匹配地停止。4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，所需的气体的供给时间短的处理区域中的气体的供给时间被设定为比所需的气体的供给时间长的处理区域中的气体的供给时间短。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的成膜装置，其特征在于，具备使所述载置部进行自转的自转机构，至少在对基板供给处理气体时，载置有该基板的载置部进行自转。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的成膜装置，其特征在于，还具备沿着所述处理容器的周向进行自转的旋转台，多个所述载置部被配置在所述旋转台的上表面侧。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的成膜装置，其特征在于，当将使所述载置部间歇性地进行公转以使所述基板在静止的状态下交替地位于第一处理区域和第二处理区域的运转模式称为间歇旋转模式时，所述控制部构成为，能够选择连续旋转模式和所述间歇旋转模式中的一方，其中，该连续旋转模式是使所述载置部连续地进行公转以使所述基板连续地通过第一处理区域和第二处理区域的模式。8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，所述载置部的个数被设定为，在位于n个第一处理区域与n个第二处理区域的各处理区域中的基板的片数相同时，基板的载置部...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP