具有含硅减反射涂层或硅氧氮化物相对于不同膜或掩模的可控蚀刻选择性的气相蚀刻制造技术

本发明专利技术描述了用于干式去除微电子工件上的材料的方法。所述方法包括：接纳具有露出由硅和以下中之一组成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；(2)氧和氮两者；以及从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分。选择性去除包括将工件的表面暴露于在第一设定点温度下的含有N、H和F的化学环境，以化学改变目标层的表面区域，以及然后，将工件的温度升高至第二设定点温度，以去除目标层的经化学处理的表面区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有含硅减反射涂层或硅氧氮化物相对于不同膜或掩模的可控蚀刻选择性的气相蚀刻
本专利技术涉及用于处理衬底的干式非等离子体处理系统和方法，并且更具体地涉及用于衬底的化学处理和热处理的干式非等离子体处理系统和方法。
技术介绍
在生产半导体器件的成本和性能方面保持竞争力的需求提高了对不断增加集成电路的器件密度的需求。而且，为了在半导体集成电路中实现更高集成度和小型化，需要稳健的方法来减小形成在半导体衬底上的电路图案的尺寸。这些趋势和要求对将电路图案从一个层转移到另一个层的能力带来了越来越大的挑战。光刻是用于通过将掩模上的几何形状和图案转移到半导体晶片的表面来制造半导体集成电路的主流技术。理论上，使光敏材料暴露于图案化的光以改变其在显影溶液中的溶解度。一旦成像并显影，则光敏材料的可溶于显影化学物质的部分被除去，并保留电路图案。此外，为了推进光学光刻以及适应其缺陷，正在进行持续性的进步以建立可替代的图案化策略，以便为半导体制造工业配备亚30nm的技术节点。光学光刻(193i)与多重图案化、EUV(极紫外)光刻和DSA(直接自组装)图案化结合被认为是正在被评估以满足积极图案化(aggressive本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法，包括：接纳具有露出由硅和以下中任一者构成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；或(2)氧和氮两者；以及通过执行以下步骤从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分：将所述工件的所述表面暴露于在第一设定点温度下的含有N、H和F的化学环境以化学改变所述目标层的表面区域，以及然后，将所述工件的温度升高至第二设定点温度以去除所述目标层的经化学处理的表面区域。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.26 US 62/185,1501.一种用于干式去除微电子工件上的材料的方法，包括：接纳具有露出由硅和以下中任一者构成的目标层的表面的工件：(1)有机材料；或(2)氧和氮两者；以及通过执行以下步骤从所述工件选择性去除所述目标层的至少一部分：将所述工件的所述表面暴露于在第一设定点温度下的含有N、H和F的化学环境以化学改变所述目标层的表面区域，以及然后，将所述工件的温度升高至第二设定点温度以去除所述目标层的经化学处理的表面区域。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述工件放置在干式非等离子体蚀刻室中；以及操作所述干式非等离子体蚀刻室以在单个室中执行所述选择性去除。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标层具有小于或等于20重量％的硅含量。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标层具有大于20重量％的硅含量。5.根据权利要求3所述的方法，其中所述目标层具有高于40重量％的硅含量。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度小于100℃，所述第二温度大于100℃。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度为60℃至90℃，所述第二温度为100℃至225℃。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一温度为35℃至100℃，所述第二温度为100℃至225℃。9.根据权利要求1所述的方法，其中暴露步骤和升温步骤在500毫托至2托的处理压力下执行。10.根据权利要求1所述的方法，其中暴露步骤和升温步骤交替且相继地执行。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述化学环境包含HF、NF3、F2、NH3、N2或H2、或者其两种或更...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏巴迪普·卡尔，尼哈尔·莫汉蒂，安热利克·雷利，艾兰·莫斯登，斯克特·莱费夫雷，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP