基板处理装置、基板处理方法以及存储介质制造方法及图纸

防止在基板的周端部形成异常的抗蚀图案。本发明专利技术的基板处理方法包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所述下层膜的整个表面形成抗蚀膜。因而，在该基板的周端部，抑制曝光时对抗蚀膜的表面的聚焦偏移。作为其结果，能够抑制在该周端部形成异常的抗蚀图案。

Substrate processing device, substrate processing method and storage medium

An abnormal resist pattern is formed at the circumferential end of the substrate. The base plate processing method of the present invention includes the following process: to obtain a radial height distribution along the base plate for the circumferential end of the surface of the substrate; then, a lower layer film is formed on the whole surface of the substrate on the basis of the height distribution based on the height distribution of the height of the circumferential end; and then, at the same time, the bottom layer of the substrate is formed. The whole surface of the lower layer forms an anticorrosion film. Thus, at the peripheral end of the substrate, the focusing offset of the surface of the resist film is suppressed. As a result, an abnormal corrosion pattern can be suppressed at the end of the week.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
本专利技术涉及一种形成设置于抗蚀膜的下层的下层膜的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。
技术介绍
在作为半导体装置的制造工序之一的光刻工序中，在作为基板的半导体晶圆(以下记载为晶圆)形成抗蚀图案。为了形成该抗蚀图案，例如晶圆在被搬送到进行抗蚀剂的涂布、显影的涂布、显影装置来接受抗蚀剂的涂布处理之后，被搬送到与相应的涂布、显影装置连接的曝光装置来按照期望的图案进行曝光。上述晶圆的表面的周端部构成为朝向外方下降的倾斜面。另外，有时向上述涂布、显影装置搬入在向相应的涂布、显影装置搬入之前的半导体装置的制造工艺中进行了膜的形成和基于CMP(ChemicalMechanicalPolishing：化学机械抛光)的该膜的去除后的晶圆(以后有时记载为研磨晶圆)。存在反复多次进行该膜的形成和膜的去除的情况，存在如下倾向：该反复的次数越多，上述倾斜面的、该倾斜面的上端的高度与从该倾斜面的上端向晶圆的外方偏移规定距离后的位置的高度之间的差(下降量)即边缘下降(EdgeRoll-Off)量越大。另外，在上述曝光装置中，进行使该晶圆倾斜的整平校正，以使聚焦面与被进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其特征在于，包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式，在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所述下层膜的整个表面形成抗蚀膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.15 JP 2015-1819401.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下工序：针对基板的表面的周端部，获取沿着该基板的径向的高度分布；接着，以基于所述高度分布对所述周端部的高度的下降进行矫正的方式，在所述基板的整个表面形成下层膜；以及接着，在所述下层膜的整个表面形成抗蚀膜。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，获取所述高度分布的工序是基于使用第一摄像机构对载置于第一载置部的所述基板的侧端部进行拍摄所获取到的所述第一图像数据来进行的。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，在获取所述高度分布的工序中，检测载置于所述第一载置部的所述基板的端部相对于上下方向的基准位置的位置偏移，获取所述高度分布的工序是基于该位置偏移来进行的。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，所述位置偏移的检测是基于利用第二摄像机构对载置于所述第一载置部的所述基板的侧面进行拍摄所获取的第二图像数据来进行的。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，形成所述下层膜的工序包括以下工序：药液供给工序，向载置在设置于杯内的第二载置部的基板的表面的中心部供给用于形成下层膜的药液；旋转工序，使第二载置部旋转，通过离心力使所述药液向该基板的表面的周缘部展伸并且使所述药液干燥；以及调整工序，在所述旋转工序的实施中，根据所述高度分布来对该基板的周端部处的药液的干燥速度进行调整。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，所述调整工序具备排气工序，在该排气工序中，以与所述高度分布相应的排气量对杯内进行排气。7.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，所述调整工序具备以下工序：对所述基板的周端部局部性地进行加热，以设为与所述高度分布相应的温度。8.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，所述调整工序具备以下工序：将设置在基板之上...

【专利技术属性】
技术研发人员：小玉辉彦，榎本正志，田所真任，桥本崇史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP