等离子体处理方法技术
Plasma treatment method
A plasma treatment process that uses plasma to process the treated bodies that are sequentially laminated with an organic film, a mask film, and an anticorrosive film, including the steps to supply the modified gas in the chamber chamber of the treated body that is placed on an anticorrosive film to form a specified pattern. The modified gas is H2 gas and hydrogen halide. Gas, mixed gas containing rare gas and H2 gas or mixed gas containing rare gas and hydrogen halide gas; and modification steps, at the temperature of 20 C, modification of the anticorrosive film of the treated body by the plasma of modified gas.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体处理方法
本专利技术的各种方面和实施方式涉及等离子体处理方法。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，在被蚀刻层上形成规定的图案的掩模，通过蚀刻，将该掩模的图案转印到被蚀刻层。作为掩模，例如使用利用光刻技术形成的抗蚀剂掩模。因此，在形成于被蚀刻层的图案的极限尺寸，受到利用光刻技术形成的抗蚀剂掩模的分辨率的极限的影响。近年来，随着半导体器件的微小化、高集成化，对使用比ArF准分子激光的波长短的EUV(ExtremeUltra-Violet)光的光刻技术进行了研究。使用EUV光的光刻与使用ArF准分子激光光刻相比，能够在抗蚀剂掩模形成微小的图案。在使用EUV光的光刻中，能够进行在例如10nm以下的微小的加工。另外，在形成于抗蚀剂掩模的图案中，抗蚀剂掩模的高度对图案尺寸的比值在3以上时，会产生图案倒塌等的不良状况。因此，抗蚀剂掩模的高度对图案尺寸的比值需要在3以下。因此，随着半导体器件的微小化进展，抗蚀剂掩模也有进展。抗蚀剂掩模的高度为，在10nm级中，例如为30nm以下。当蚀刻被蚀刻层时，抗蚀剂掩模也一部分被蚀刻，但是随着抗蚀剂掩模的薄膜化进展，到在被蚀刻层形成...
【技术保护点】
一种等离子体处理方法，其利用等离子体对依次层叠有有机膜、掩模膜和抗蚀剂膜的被处理体进行处理，所述等离子体处理方法的特征在于，包括：向放入了在所述抗蚀剂膜上形成有规定的图案的所述被处理体的腔室内供给改性气体的步骤，其中，所述改性气体为H2气体、卤化氢气体、包含稀有气体和H2气体的混合气体或者包含稀有气体和卤化氢气体的混合气体；和改性步骤，在‑20℃的处理温度下，利用所述改性气体的等离子体对所述被处理体的所述抗蚀剂膜进行改性。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.27 JP 2015-1674161.一种等离子体处理方法，其利用等离子体对依次层叠有有机膜、掩模膜和抗蚀剂膜的被处理体进行处理，所述等离子体处理方法的特征在于，包括：向放入了在所述抗蚀剂膜上形成有规定的图案的所述被处理体的腔室内供给改性气体的步骤，其中，所述改性气体为H2气体、卤化氢气体、包含稀有气体和H2气体的混合气体或者包含稀有气体和卤化氢气体的混合气体；和改性步骤，在-20℃的处理温度下，利用所述改性气体的等离子体对所述被处理体的所述抗蚀剂膜进行改性。2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于，包括：向所述腔室内供给蚀刻用的第一处理气体的步骤；和第一蚀刻步骤，在0℃以上、40℃以下的处理温度下，利用所述第一处理气体的等离子体，以在所述改性步骤中被改性后的所述抗蚀剂膜为掩模，对所述掩模膜进行蚀刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：小川秀平，朴玩哉，木原嘉英，本田昌伸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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