光处理装置和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。

【技术实现步骤摘要】
光处理装置和基板处理装置
本专利技术涉及一种向基板的表面照射光而进行处理的技术。
技术介绍
作为在半导体晶圆、液晶显示器用的玻璃基板等形成抗蚀剂图案的方法，公知有使用了光敏化学放大型抗蚀剂的方法。若利用曝光机进行使用了图案掩模的曝光(图案曝光)，该抗蚀剂在所曝光的部位产生酸，若进一步加热，则酸觉醒而成为例如碱溶解性。并且，通过向成为该碱溶解性的部位供给显影液，形成电路图案。另一方面，随着电路图案的微细化进展，在电路图案中要求较高的分辨率。作为应对该要求的方法，公知有例如极端紫外线(EVU)曝光，对于EUV曝光，若增大曝光光源的光强度，则装置变得大型化，成本增大，因此不得不使装置小型化，减小光强度，生产率就变低。另外，在专利文献1公知有一种使用了LED的曝光装置，其中，在使用图案掩模对涂敷有光敏化学放大型抗蚀剂的晶圆进行了图案曝光之后，进一步对图案曝光区域进行成批曝光，使晶圆上的图案的线宽度的面内均匀性良好。该曝光装置构成为，使例如晶圆从壳体内的一方朝向另一方移动，以沿着宽度方向跨越晶圆的移动区域的方式从LED照射光。并且，一边照射光，一边使晶圆从一方向另一方移动，使晶圆横穿照射区域，从而照射晶圆的整个表面。不过，在基板形成涂敷膜后，使用图案掩模来进行图案曝光处理，接下来进行显影处理，此时，使用将进行涂敷膜的形成和显影处理的涂敷、显影装置和进行图案曝光处理的曝光装置连接起来的基板处理系统。在这样的情况下，在图案曝光处理后进一步对图案曝光区域进行曝光的曝光装置装入涂敷、显影装置。在该情况下，出于避免装置的大型化的观点考虑，优选的是，在成批曝光装置设置有进行晶圆的输入和输出的通用的输入输出口，避免基板处理装置内的基板的输送区域的大型化。在这样的曝光装置的情况下，在向曝光装置输入晶圆并对晶圆的整个面进行了曝光处理之后，为了输出晶圆，在使晶圆从输入输出口侧向里侧移动时以及从里侧向输入输出口侧移动时这两次通过光的照射区域，若晶圆多次经过光的照射区域，则难以进行照射量的调整。因此，需要不以曝光为目的而使晶圆在光源的下方经过，但如果为了不对晶圆进行曝光，而若使LED断开，则在使LED连通时直到LED的光强度稳定为止花费时间，存在装置的生产率降低的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-156472号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是在这样的状况下做成的，其目的在于提供一种在向基板的表面照射光而进行基板处理时抑制生产率的降低并向基板进行稳定的光照射的技术。用于解决问题的方案本专利技术的光处理装置的特征在于，具备：壳体，其形成进行基板的输入输出的输入输出口；载置台，其设置于所述壳体内，并用于载置基板；光照射单元，其设置于所述载置台的上方，该光照射单元使光源部发光而形成在比基板的左右方向的宽度宽的区域内延伸的带状的照射区域；移动机构，其使所述载置台和光照射单元沿着前后方向彼此相对地移动；光路变更部，其用于使从所述光照射单元照射的光偏离基板的相对的移动区域；以及控制部，其输出控制信号，以便在所述基板不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元的下方侧移动时，在使所述光源部发光了的状态下，利用所述光路变更部不在基板的表面形成照射区域。本专利技术的基板处理装置是对形成有抗蚀剂膜的基板进行处理的基板处理装置，其特征在于，具备上述的光处理装置。专利技术的效果本专利技术构成为，利用光照射单元在壳体内形成在比基板的左右方向上的宽度宽的区域内延伸的带状的照射区域，使载置基板的载置台和光照射单元沿着前后方向相对地移动而向基板照射光。然后，在基板不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元的下方侧移动时，利用光路变更部使从光照射单元照射的光脱离基板的相对的移动区域。因而，在对基板进行基于光的照射的处理时，能够避免在刚刚将光源部从断开切换成连通之后引起的光的照射的不稳定性导致的不良情况，另外，由光源部的预热时间的介入导致的生产率的降低的担心也被消除。附图说明图1是本专利技术的实施方式的涂敷、显影装置的俯视图。图2是本专利技术的实施方式的涂敷、显影装置的立体图。图3是表示成批曝光装置的立体图。图4是表示对位机构的侧视图。图5是表示光照射单元的纵剖主视图。图6是光照射单元的纵剖侧视图。图7是光照射单元的立体图。图8是表示本专利技术的实施方式的作用的说明图。图9是表示本专利技术的实施方式的作用的说明图。图10是表示本专利技术的实施方式的作用的说明图。图11是表示本专利技术的实施方式的成批曝光装置的另一个例子的剖视图。图12是表示本专利技术的实施方式的成批曝光装置的另一个例子的作用的说明图。图13是表示本专利技术的实施方式的成批曝光装置的另一个例子的剖视图。图14是表示本专利技术的实施方式的成批曝光装置的另一个例子的作用的说明图。图15是表示成批曝光装置的处理序列的一个例子的说明图。附图标记说明3、成批曝光装置；4、光照射单元；5、对位机构；6、照度检测部；7、旋转轴；30、壳体；31、载置台；32、驱动部；33、导轨；34、输入输出口；40、壳体；42、LED；43、狭缝；45、开闭器；47、开闭器驱动部；48、旋转轴；49、镜构件；400、LED光源组。具体实施方式作为本专利技术的实施方式的基板处理装置，对适用到涂敷、显影装置的例子进行说明，该涂敷、显影装置将光敏化学放大型抗蚀剂涂敷于晶圆W，对曝光后的晶圆W进行显影而形成抗蚀剂图案。如图1所示，涂敷、显影装置是通过将承载区块D1、检查区块D2、处理区块D3、转接区块D4沿着横向连接成直线状而构成的。另外，在转接区块D4连接有曝光装置D5。承载区块D1具备供储存作为圆形的基板的晶圆W的承载件C载置的载置台11。图中的附图标记12是开闭部，图中的附图标记13是用于在承载件C与检查区块D2之间输送晶圆W的移载机构。在检查区块D2以从承载区块D1侧观察而沿着左右排列的方式设置有两台检查装置23，在检查装置23之间的、承载区块D1侧设置有暂时载置晶圆W的交接载置台10，在检查装置23之间的、处理区块D3侧设置有用于在交接载置台10、检查装置23、处理区块D3之间进行晶圆W的交接的移载机构19。在检查装置23中，在显影处理后进行在晶圆W形成的图案的线宽度的检查。具体而言，沿着径向分割晶圆W，对各分割区域中的图案的线宽度进行检测，将晶圆W内的分割区域的位置和图案的线宽度相关联地作为图案信息存储于控制部100。处理区块D3是如图2所示那样对晶圆W进行液处理的单位区块E1～E6从下方依次层叠而构成的，在这些单位区块E1～E6中彼此并行地进行晶圆W的输送和处理。单位区块E1、E2彼此同样地构成，单位区块E3、E4彼此同样地构成，单位区块E5、E6彼此同样地构成。在此，一边参照图1一边说明作为单位区块中代表的单位区块E5。在从承载区块D1朝向转接区块D4的输送区域F5的左右的一侧，沿着前后方向配置有多个架单元U，在另一侧沿着前后方向排列设置有两个显影模块21。显影模块21向在晶圆W的表面形成的抗蚀剂膜供给显影液。架单元U具备对晶圆W进行加热的加热模块22和作为光处理装置的成批曝光装置3。另外，在上述的输送区域F5设置有作为晶圆W的输送机构的输送臂14，在设置于该单位区块E5的各模块和随后论述的塔架T1、T2中的设置于与单位区块E5相同的高度的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光处理装置，其特征在于，该光处理装置包括：壳体，其形成进行基板的输入输出的输入输出口；载置台，其设置于所述壳体内，并用于载置基板；光照射单元，其设置于所述载置台的上方，该光照射单元使光源部发光而形成在比基板的左右方向的宽度宽的区域内延伸的带状的照射区域；移动机构，其使所述载置台和光照射单元沿着前后方向彼此相对地移动；光路变更部，其用于使从所述光照射单元照射的光偏离基板的相对的移动区域；以及控制部，其输出控制信号，以便在所述基板不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元的下方侧相对地移动时，在使所述光源部发光了的状态下，利用所述光路变更部在基板的表面不形成照射区域。

【技术特征摘要】
2016.12.13 JP 2016-240855;2017.08.18 JP 2017-158221.一种光处理装置，其特征在于，该光处理装置包括：壳体，其形成进行基板的输入输出的输入输出口；载置台，其设置于所述壳体内，并用于载置基板；光照射单元，其设置于所述载置台的上方，该光照射单元使光源部发光而形成在比基板的左右方向的宽度宽的区域内延伸的带状的照射区域；移动机构，其使所述载置台和光照射单元沿着前后方向彼此相对地移动；光路变更部，其用于使从所述光照射单元照射的光偏离基板的相对的移动区域；以及控制部，其输出控制信号，以便在所述基板不以由光的照射进行的处理为目的而在光照射单元的下方侧相对地移动时，在使所述光源部发光了的状态下，利用所述光路变更部在基板的表面不形成照射区域。2.根据权利要求1所述的光处理装置，其特征在于，所述光路变更部是遮蔽被形成于所述光照射单元的底部的光的照射口的遮蔽机构。3.根据权利要求2所述的光处理装置，其特征在于，所述遮蔽机构在遮蔽了所述光的照射口时反射光而使到达光源部的反射光的照度是不给所述光源部带来不良影响的照度。4.根据权利要求3所述的光处理装置，其特征在于，所述遮蔽机构在所述遮蔽机构中的被光源部的光所照射的照射面设置有凹凸。5.根据权利要求3所述的光处理装置，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：守屋光彦，友野胜，嶋田谅，早川诚，永原诚司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP