成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及成膜装置。提供一种能够将在旋转台的上方侧形成的第一处理区域的气氛与第二处理区域的气氛有效地分离的成膜装置。成膜处理装置设置在真空容器内，对旋转的旋转台上载置的基板供给处理气体来进行成膜处理。在旋转台的上方设置有被分离区域相互分离的第一处理区域、第二处理区域。构成各分离区域的分离区域形成构件沿径向延伸且相互隔开间隔地设置，分离区域形成构件具有缘部和凹部，该缘部与旋转台之间形成狭窄的间隙，该凹部设置于被缘部夹着的区域，用于形成高度尺寸比所述狭窄的间隙的高度尺寸大的缓冲空间，从分离气体供给部朝向缓冲空间内供给分离气体。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置
本专利技术涉及如下一种技术：对在载置有基板的旋转台的上方侧形成的相互分离的第一处理区域、第二处理区域供给不同的处理气体来进行成膜。
技术介绍
作为对作为基板的半导体晶圆(以下，称为“晶圆”)进行成膜的成膜装置，存在如下一种装置：在真空容器内配置的旋转台上以包围旋转台的旋转中心的方式载置多个晶圆，分离地配置多个处理区域(第一处理区域、第二处理区域)，使得向旋转台的上方侧的规定的位置供给不同的处理气体。关于该成膜装置，当使旋转台进行旋转时，各晶圆一边绕旋转中心进行公转一边依次重复通过各处理区域，处理气体在这些晶圆的表面发生反应，由此层叠原子层、分子层来进行成膜。关于上述的成膜装置，本申请的申请人开发了如下一种成膜装置：设置从真空容器的顶板朝向下方侧突出的扇型的凸状部，在旋转台与凸状部之间形成狭窄的空间，并且在该凸状部形成沿旋转台的半径方向延伸的槽部，在槽部内配置有具备多个喷出口的分离气体喷嘴，该多个喷出口以沿长度方向相互隔开间隔的方式设置(例如参照专利文献1)。从分离气体喷嘴朝向旋转台喷出分离气体，由此分离气体在上述狭窄的空间内流动并向各处理区域内流出，来将相邻的处理区域的气氛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种成膜装置，在设置于真空容器内的旋转台的一面侧载置基板，使所述旋转台进行旋转，由此一边使基板绕着该旋转台的旋转中心进行公转一边对该基板供给处理气体来进行成膜处理，该成膜装置的特征在于，具备：第一处理气体供给部和第二处理气体供给部，所述第一处理气体供给部和所述第二处理气体供给部沿所述旋转台的旋转方向被分离地设置，分别用于向所述基板供给第一处理气体和第二处理气体；以及分离区域，其设置在被供给所述第一处理气体的第一处理区域与被供给所述第二处理气体的第二处理区域之间，以将所述第一处理区域的气氛与所述第二处理区域的气氛分离，其中，所述分离区域具备：分离区域形成构件，其具有多个缘部以及凹部，其中，所...

【技术特征摘要】
2017.03.10 JP 2017-0464791.一种成膜装置，在设置于真空容器内的旋转台的一面侧载置基板，使所述旋转台进行旋转，由此一边使基板绕着该旋转台的旋转中心进行公转一边对该基板供给处理气体来进行成膜处理，该成膜装置的特征在于，具备：第一处理气体供给部和第二处理气体供给部，所述第一处理气体供给部和所述第二处理气体供给部沿所述旋转台的旋转方向被分离地设置，分别用于向所述基板供给第一处理气体和第二处理气体；以及分离区域，其设置在被供给所述第一处理气体的第一处理区域与被供给所述第二处理气体的第二处理区域之间，以将所述第一处理区域的气氛与所述第二处理区域的气氛分离，其中，所述分离区域具备：分离区域形成构件，其具有多个缘部以及凹部，其中，所述多个缘部从所述旋转台的旋转中心侧向周缘部侧沿径向延...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木优，高桥宏辅，早濑文朗，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP