金属污染防止方法和成膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及金属污染防止方法和成膜装置，能够防止在清洁成膜装置时发生的金属污染。金属污染防止方法，在成膜处理中使用的处理室的干式清洁后且成膜开始前进行，该金属污染防止方法包括：温度变更步骤，将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度；活化步骤，在进行了该温度变更步骤之后，向所述处理室内供给氢和氧，并在所述处理室内使所述氢和氧活化；以及涂敷步骤，在进行了该活化步骤之后，在所述处理室内不存在基板的状态下进行所述成膜处理，对所述处理室内进行涂敷。

Metal pollution prevention method and film forming device

The invention relates to a method for preventing metal pollution and a film forming device, which can prevent metal pollution when cleaning the film forming device. METAL POLLUTION PREVENTION METHOD: After the dry cleaning of the treatment chamber used in the film forming process and before the film forming begins, the metal pollution prevention method includes: temperature changing step, changing the temperature of the treatment chamber from the dry cleaning to the specified film forming temperature; activation step, in which the temperature changing step is carried out After that, hydrogen and oxygen are supplied to the treatment chamber, and the hydrogen and oxygen are activated in the treatment chamber, and the coating step is carried out, and after the activation step is carried out, the film forming process is carried out in the condition that there is no substrate in the treatment chamber, and the treatment chamber is coated.

【技术实现步骤摘要】
金属污染防止方法和成膜装置
本专利技术涉及一种金属污染防止方法和成膜装置。
技术介绍
以往已知如下一种清洁方法(例如，参照专利文献1)：在成膜装置中，一边使第一真空排气口的排气停止并从第二真空排气口进行真空排气，一边供给清洁气体，该成膜装置具备在旋转台的旋转方向上分离地设置并向基板分别供给第一处理气体和第二处理气体的第一处理气体供给部和第二处理气体供给部、专用于将第一处理气体和第二处理气体各自排出的第一真空排气口和第二真空排气口以及供给清洁气体的清洁气体供给部。根据所述专利文献1所记载的清洁方法，能够防止从第二真空排气口排出的清洁气体多从而与旋转台接触的清洁气体的量变少这样的问题。专利文献1：日本特开2014-17322号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，清洁成膜装置使用ClF3等氟系的清洁气体的情况多，并且使用具有蚀刻作用的气体的情况多。使用所述氟系气体的清洁存在如下的情况：不仅去除旋转台上的膜，还对旋转台、处理室内的金属部件等造成了损伤，由此发生金属污染。当发生所述金属污染时，作为杂质的金属成分混入要形成的膜，产生导致膜的质量下降这样的问题。因此，本专利技术的目的在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属污染防止方法，在成膜处理中使用的处理室的干式清洁后且成膜开始前进行，该金属污染防止方法包括：温度变更步骤，将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度；活化步骤，在进行了该温度变更步骤之后，向所述处理室内供给氢和氧，并在所述处理室内使所述氢和所述氧活化；以及涂敷步骤，在进行了该活化步骤之后，在所述处理室内不存在基板的状态下进行所述成膜处理，对所述处理室内进行涂敷。

【技术特征摘要】
2017.03.29 JP 2017-0643681.一种金属污染防止方法，在成膜处理中使用的处理室的干式清洁后且成膜开始前进行，该金属污染防止方法包括：温度变更步骤，将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度；活化步骤，在进行了该温度变更步骤之后，向所述处理室内供给氢和氧，并在所述处理室内使所述氢和所述氧活化；以及涂敷步骤，在进行了该活化步骤之后，在所述处理室内不存在基板的状态下进行所述成膜处理，对所述处理室内进行涂敷。2.一种金属污染防止方法，在成膜处理中使用的处理室的干式清洁后且成膜开始前进行，该金属污染防止方法包括：活化步骤，一边将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为规定的成膜温度，一边在所述处理室内使氢和氧活化；以及涂敷步骤，在进行了该活化步骤之后，在所述处理室内不存在基板的状态下进行所述成膜处理，对所述处理室内进行涂敷。3.一种金属污染防止方法，在成膜处理中使用的处理室的干式清洁后且成膜开始前进行，该金属污染防止方法包括：活化步骤，一边将所述处理室内从干式清洁时的温度变更为比成膜温度高的规定温度，一边在所述处理室内使氢和氧活化；温度变更步骤，将所述处理室内从所述规定温度变更为所述成膜温度；以及涂敷步骤，在进行了该温度变更步骤之后，在所述处理室内不存在基板的状态下进行所述成膜处理，对所述处理室内进行涂敷。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的金属污染防止方法，其特征在于，所述成膜温度是比所述干式清洁时的温度高的温度。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的金属污染防止方法，其特征在于，所述成膜温度被设定为使所述氢和所述氧活化的温度。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的金属污染防止方法，其特征在于，所述成膜温度被设定为700℃以上的温度。7.根据权利要求1至6中的任一项所述的金属污染防止方法，其特征在于，所述干式清洁时的温度被设定为600℃～690℃的温度。8.根据权利要求3所述的金属污染防止方法，其特征在于，所述规定温度被设定为765℃以上的温度。9.根据权利要求1至8中的任一项所述的金属污染防止方法，其特征在于，所述氢和所述氧被等离子体活化。10.根据权利要求1至9中的任一项所述的金属污染防止方法，其特征在于，所述成膜处理是在基板上形成氧化膜的处理。11.根据权利要求10所述的金属污染防止方法，其特征在于，所述氧化膜是氧化硅膜。12.一种成膜装置，具有：处理室；加热器，其设置在该处理室内；原料气体供给单元，其能够...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅原隆人，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP