基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及能够控制面间均匀性的基板处理装置。基板处理装置具备：内管，其设置为能够容纳多张基板，并且具有第一开口部；外管，其包围所述内管；可动壁，其被设置为能够在所述内管内、或者所述内管与所述外管之间移动，并且具有第二开口部；气体供给单元，其向所述内管内供给处理气体；排气单元，其被设置于比所述可动壁靠外侧的位置，且经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气；以及压力检测单元，其检测所述内管内的压力。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本专利技术涉及一种基板处理装置。
技术介绍
已知一种能够对以多层的方式被保持于基板保持具的多张基板统一地进行处理的、批量式的基板处理装置。作为批量式的基板处理装置已知一种具有容纳基板的内管、包围内管的外管、在内管的侧壁设置的气体排气口、对被内管与外管夹持的空间进行排气的排气单元的装置(例如参照专利文献1)。在该装置中，气体排气口的开口宽度随着接近排气单元而逐渐变窄，因此调整排气的平衡，使向基板的表面供给的气体的流速在基板间均匀化。专利文献1：日本专利第5284182号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在上述的基板处理装置中，气体排气口的开口形状是按装置而决定的，因此有时由于工艺条件、处理张数的变化而无法得到所期望的面间均匀性。这是因为不能够按工艺条件、处理张数来调整排气的平衡。因此，在本专利技术的一个方式中，其目的在于提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。用于解决问题的方案为了达成上述目的，本专利技术的一个方式所涉及的基板处理装置具备：内管，其设置为能够容纳多张基板，并且具有第一开口部；外管，其包围所述内管；可动壁，其可移动地设置于所述内管内、或所述内管与所述外管之间，并且具有第二开口部；气体供给单元，其向所述内管内供给处理气体；排气单元，其设置于比所述可动壁靠外侧的位置，经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气；以及压力检测单元，其检测所述内管内的压力。专利技术的效果根据公开的基板处理装置，能够控制面间均匀性。附图说明图1是第一实施方式所涉及的基板处理装置的概要图。图2是用于说明图1的基板处理装置的处理容器的横剖面图。图3是用于说明图1的基板处理装置的内管的一例的立体图。图4是用于说明图1的基板处理装置的可动壁的一例的立体图。图5是用于说明共通开口部的图。图6是用于说明第一开口部与第二开口部之间的位置关系的图。图7是表示第一实施方式所涉及的压力调整方法的流程图。图8是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(1)。图9是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(2)。图10是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(3)。图11是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(4)。图12是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(5)。图13是第一实施方式所涉及的压力调整方法的各步骤的说明图(6)。图14是第二实施方式所涉及的基板处理装置的概要图。附图标记说明1：基板处理装置；34：处理容器；41：排气单元；44：内管；46：外管；52：第一开口部；76：气体喷嘴；78：气体喷嘴；80：气体喷嘴；88：压力调整阀；100：可动壁；102：第二开口部；104：旋转轴；110：压力检测单元；112：传感器管；114：第二真空计；120：控制单元；122：存储介质；W：晶圆。具体实施方式下面，参照附图来说明用于实施本专利技术的方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，由此省略重复的说明。〔第一实施方式〕(基板处理装置)对本专利技术的第一实施方式所涉及的基板处理装置进行说明。图1是第一实施方式所涉及的基板处理装置的概要图。图2是用于说明图1的基板处理装置的处理容器的横剖面图。图3是用于说明图1的基板处理装置的内管的一例的立体图。图4是用于说明图1的基板处理装置的可动壁的一例的立体图。如图1所示，基板处理装置1具有能够容纳作为基板的半导体晶圆(以下称作“晶圆W”。)的处理容器34。处理容器34具有下端部开放的有顶的圆筒形状的内管44、以及下端部开放且覆盖内管44的外侧的、有顶的圆筒形状的外管46。内管44和外管46由石英等耐热性材料形成，呈同轴状地配置而呈二层管结构。以规定的间隔保持多张晶圆W的基板保持具38相对于处理容器34内被搬入搬出。内管44的顶部44A例如为平坦的。在内管44的一侧形成有喷嘴容纳部48，该喷嘴容纳部48沿着其长度方向(上下方向)容纳气体喷嘴。在第一实施方式中，如图2所示，使内管44的侧壁的一部分朝向外侧突出而形成凸部50，凸部50内形成为喷嘴容纳部48。另外，如图3所示，在内管44的、与喷嘴容纳部48相对的一侧的侧壁沿着其长度方向(上下方向)形成有宽度L1的矩形的第一开口部52。第一开口部52为形成为能够对内管44内的气体进行排气的气体排气口。第一开口部52的长度与基板保持具38的长度相同、或形成为比基板保持具38的长度长而分别向上下方向延伸。即，第一开口部52的上端延伸到而位于与基板保持具38的上端对应的位置以上的高度，第一开口部52的下端延伸到而位于与基板保持具38的下端对应的位置以下的高度。具体地说，如图1所示，基板保持具38的上端与第一开口部52的上端之间的高度方向的距离L2在0mm～5mm左右的范围内。另外，基板保持具38的下端与第一开口部52的下端之间的高度方向的距离L3在0mm～350mm左右的范围内。另外，第一开口部52的宽度L1在10mm～400mm左右的范围内，优选在40mm～200mm左右的范围内。另外，对第一开口部52的四个角部中的两个角部进行倒角。处理容器34的下端由例如由不锈钢形成的圆筒形状的歧管54支承。在歧管54的上端部形成有凸缘部56，在凸缘部56上设置外管46的下端部来支承该外管46的下端部。在凸缘部56与外管46的下端部之间设置O环等密封构件58来使外管46内呈气密状态。在歧管54的上部的内壁设置有圆环状的支承部60，在支持部60上设置内管44的下端部来支承该内管44的下端部。盖部36借助O环等密封构件62气密地安装于歧管54的下端的开口部，气密地堵塞处理容器34的下端的开口部一侧即歧管54的开口部。盖部36例如由不锈钢形成。旋转轴66借助磁性流体密封部64贯通地设置于盖部36的中央部。旋转轴66的下部旋转自如地被支承于包括晶圆舟升降机的升降单元68的臂68A，被电动机进行旋转。在旋转轴66的上端设置有旋转板70，保持晶圆W的基板保持具38借助石英制的保温台72来被载置于旋转板70上。因而，通过使升降单元68升降，盖部36与基板保持具38一体地上下移动，能够相对于处理容器34内来搬出搬入基板保持具38。气体供给单元40设置于歧管54，向内管44内导入处理气体、吹扫气体等气体。气体供给单元40具有多个(例如三个)石英制的气体喷嘴76、78、80。各气体喷嘴76、78、80沿着内管44的长度方向设置于内管44内，并且以各气体喷嘴76、78、80的基端部弯曲为L字状而贯通歧管54的方式来支承各气体喷嘴76、78、80。如图2所示，气体喷嘴76、78、80以沿着周向成为一列的方式设置于内管44的喷嘴容纳部48内。在各气体喷嘴76、78、80沿着其长度方向以规定的间隔形成有多个气体孔76A、78A、80A，能够由各气体孔76A、78A、80A朝向水平方向排出各气体。规定的间隔例如设定为与被基板保持具38支承的晶圆W的间隔相同。另外，关于高度方向的位置，设定为各气体孔76A、78A、80A位于在上下方向上相邻的晶圆W间的中间，能够高效地向晶圆W间的空间部供给各气体。作为气体的种类使用原料气体、氧化气体和吹扫气体，能够一边对各气体进行流量控制一边根据需要经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，具备：内管，其设置为能够容纳多张基板，并且具有第一开口部；外管，其包围所述内管；可动壁，其以能够移动的方式被设置于所述内管内、或者所述内管与所述外管之间，并且具有第二开口部；气体供给单元，其向所述内管内供给处理气体；排气单元，其被设置于比所述可动壁靠外侧的位置，经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气；以及压力检测单元，其检测所述内管内的压力。

【技术特征摘要】
2017.03.07 JP 2017-0432351.一种基板处理装置，具备：内管，其设置为能够容纳多张基板，并且具有第一开口部；外管，其包围所述内管；可动壁，其以能够移动的方式被设置于所述内管内、或者所述内管与所述外管之间，并且具有第二开口部；气体供给单元，其向所述内管内供给处理气体；排气单元，其被设置于比所述可动壁靠外侧的位置，经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气；以及压力检测单元，其检测所述内管内的压力。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述压力检测单元包括：一个或多个传感器管，所述一个或多个传感器管的一端与所述内管内连通；以及一个或多个真空计，所述一个或多个真空计检测所述一个或多个传感器管内的压力。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述一个或多个传感器管的内部能够流通气体。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，所述排气单元包括用于调整所述内管内的压力的压力调整单元。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，具备控制单元，该控制单元基于由所述压力检...

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛讲平，冈部庸之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP