进气机构及反应腔室制造技术

本发明专利技术提供一种进气机构及反应腔室，该进气机构用于向反应腔室内输送气体，且包括进气口及气路组件，其中，进气口设置在反应腔室的腔室壁上；气路组件设置在进气口中形成非直线气路。本发明专利技术提供的进气机构，其与现有技术中采用直通孔结构相比，不仅可以在相同气压的条件下，延长输送气体的距离，而且非直线气路可以在电场方向上形成阻挡介质层，从而可以降低气体发生打火的风险。

【技术实现步骤摘要】
进气机构及反应腔室
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种进气机构及反应腔室。
技术介绍
等离子体加工设备是加工半导体器件的常用设备，如图1所示，为常用的等离子体加工设备的反应腔室的结构图。在反应腔室1内设置有作为射频电极和承载晶片的载体的基座10(例如静电卡盘)，用以承载衬底11。在反应腔室1的顶壁上设置有喷嘴12，用以将气体输送至反应腔室1的内部。并且，在反应腔室1的顶壁上方设置有线圈13，其与射频电源14电连接，用以激发反应腔室1内的气体形成等离子体。此外，上述基座10与偏压电源15电连接，用以吸引等离子体朝向衬底11运动。在进行工艺的过程中，由于基座10被加载射频偏压，而喷嘴12及其内部的气体输送管路和与之接触的腔室壁一起接地，这使得在喷嘴12及其内部的气体输送管路与基座10之间形成高电势差，而且，现有的气体输送管路通常采用直通孔的结构，对于加载在基座10上的上千伏高压，现有的气体输送管路输送气体的距离过短，根据典型的气体击穿放电理论，气体输送管路中的气体就有放电打火的风险，一旦发生放电打火，往往会对基座10造成电损伤甚至严重损坏。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种进气机构，用于向反应腔室内输送气体，其特征在于，所述进气机构包括进气口及气路组件，其中，所述进气口设置在所述反应腔室的腔室壁上；所述气路组件设置在所述进气口中形成非直线气路。

【技术特征摘要】
1.一种进气机构，用于向反应腔室内输送气体，其特征在于，所述进气机构包括进气口及气路组件，其中，所述进气口设置在所述反应腔室的腔室壁上；所述气路组件设置在所述进气口中形成非直线气路。2.根据权利要求1所述的进气机构，其特征在于，所述非直线气路采用单线或多线的立体螺旋结构。3.根据权利要求1所述的进气机构，其特征在于，所述气路组件包括螺旋杆，所述螺旋杆设置在所述进气口中，且在所述螺旋杆与所述进气口之间形成所述非直线气路。4.根据权利要求3所述的进气机构，其特征在于，所述气路组件还包括螺旋管，所述螺旋管设置在所述进气口中；所述螺旋杆设置在所述螺旋管中，且在所述螺旋杆与所述螺旋管之间形成所述非直线气路。5.根据权利要求2所述的进气机构，其特征在于，所述非直线气路在垂直于其延伸方向上的截面形状包括三角形、梯形或者矩形。6.根据权利要求1-5任意一项所述的进气机构，其特征在于，所述进气机构还包括喷嘴组件，所述喷嘴组件包括喷嘴和遮挡部，其中，所述喷嘴设置在所述进气口中，且位于所述气路组件的内侧，用于将自所述气路组件流出的气体输送至所述反应腔室的内部；所述遮挡部设置在所述喷嘴的出气端，用以遮挡所述喷嘴与所述进气口之间的间隙。7.根据权利要求6所述的进气机构，其特征在于，所述喷嘴包括喷嘴本体和设置在所述喷嘴本体中的喷嘴气路，其中，所述喷嘴本体设置在所述进气口中；所述喷嘴气路包括第一气孔和第二气孔，其中，所述第一气孔的进气端与所述非直线气路的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李一成，侯文潭，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11